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公开(公告)号：CN110504264B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN201910298285.4
申请日：2019-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本发明构思的示例实施例的半导体装置包括：衬底，其具有第一区域和与第一区域水平地分开的第二区域；第一栅线，其位于第一区域中，第一栅线包括第一下功函数层和布置在第一下功函数层上的第一上功函数层；以及，第二栅线，其位于第二区域中，并且包括第二下功函数层，第二栅线在水平的第一方向上的宽度等于或窄于第一栅线在第一方向上的宽度，其中，第一上功函数层的最上端和第二下功函数层的最上端相对于与第一方向垂直的第二方向各自位于比第一下功函数层的最上端更高的竖直水平处。
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公开(公告)号：CN110875393B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201910500036.9
申请日：2019-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括基底，基底具有分隔开并且平行地纵向延伸的第一鳍和第二鳍。鳍残余设置在第一鳍与第二鳍之间，与第一鳍和第二鳍平行地纵向延伸，并且具有比第一鳍和第二鳍中的每个的高度低的高度。第一场绝缘层设置在第一鳍的侧壁与鳍残余的第一侧壁之间，第二场绝缘层设置在第二鳍的侧壁上。阻挡衬里沿由鳍残余的第二侧壁和第二场绝缘层的侧壁界定的沟槽的侧壁和底表面设置。沟槽绝缘层在沟槽中设置在阻挡衬里上。
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公开(公告)号：CN108346619B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201810067806.0
申请日：2018-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 一种半导体器件和形成其的方法，该半导体器件包括：具有开口的绝缘结构；设置在开口中的导电图案；覆盖导电图案的底表面的阻挡结构，阻挡结构在导电图案与开口的侧壁之间延伸；以及晶核结构，设置在导电图案与阻挡结构之间。晶核结构包括接触阻挡结构的第一晶核层和接触导电图案的第二晶核层，并且第二晶核层的顶端部分高于第一晶核层的顶端部分。
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公开(公告)号：CN109524468B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201811085088.6
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一晶体管，该第一晶体管具有第一阈值电压并包括第一沟道、连接到第一沟道的相反的侧壁的第一源极/漏极层、以及围绕第一沟道并包括顺序堆叠的第一栅极绝缘图案、第一阈值电压控制图案和第一功函数金属图案的第一栅极结构。该半导体器件包括第二晶体管，该第二晶体管具有大于第一阈值电压的第二阈值电压，并包括第二沟道、连接到第二沟道的相反的侧壁的第二源极/漏极层、以及围绕第二沟道并包括顺序堆叠的第二栅极绝缘图案、第二阈值电压控制图案和第二功函数金属图案的第二栅极结构。第二阈值电压控制图案的厚度等于或小于第一阈值
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公开(公告)号：CN109755299B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201811307372.3
申请日：2018-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种集成电路器件和制造其的方法。集成电路器件包括：半导体衬底、限定半导体衬底的有源区域的器件隔离层、在有源区域上的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的栅极堆叠、在栅极堆叠的侧壁上的间隔物、以及提供在栅极堆叠的两侧的杂质区域，其中栅极堆叠包括金属碳化物层和在金属碳化物层上的金属层，其中金属碳化物层包括具有约0.01at％到约15％的碳含量的层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111223834B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201910800057.2
申请日：2019-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L27/088
Abstract: 提供了集成电路装置。所述集成电路装置包括：鳍型有源区，从基底的顶表面突出，并在与基底的顶表面平行的第一方向上延伸；栅极结构，与鳍型有源区交叉，并在基底上沿与第一方向垂直的第二方向延伸；源区/漏区，在鳍型有源区中位于栅极结构的第一侧上；第一接触结构，位于源区/漏区上；以及接触盖层，位于第一接触结构上。第一接触结构的顶表面在第一方向上具有第一宽度，接触盖层的底表面在第一方向上具有比上述第一宽度大的第二宽度，并且接触盖层包括从第一接触结构的侧壁向外延伸的突出部分。
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公开(公告)号：CN106981487B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201610884201.1
申请日：2016-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明可以提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括：基板，具有至少一个鳍形有源区，该至少一个鳍形有源区在第一方向上延伸；栅线，在第二方向上在该至少一个鳍形有源区上延伸，第二方向与第一方向交叉；导电区域，在该至少一个鳍形有源区的在栅线的一侧的一部分上；以及接触插塞，在第三方向上从导电区域延伸，第三方向垂直于基板的主平面。接触插塞可以包括金属插塞、在导电区域上的导电的阻挡膜以及在导电区域和导电的阻挡膜之间的金属硅化物膜，该导电的阻挡膜围绕金属插塞的侧壁和底表面，该导电的阻挡膜包括富N的金属氮化物膜。
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公开(公告)号：CN106298877B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201610476203.7
申请日：2016-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法如下。第一鳍型图案设置在衬底上。第一场绝缘薄膜邻近于第一鳍型图案的侧壁。第二场绝缘薄膜邻近于第一场绝缘薄膜的侧壁。第一场绝缘薄膜介于第一鳍型图案与第二场绝缘薄膜之间。第二场绝缘薄膜包括第一区和第二区。第一区更靠近第一场绝缘薄膜的侧壁。从第二场绝缘薄膜的底部至第二区的上表面的高度大于从第二场绝缘薄膜的底部至第一区的上表面的高度。
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公开(公告)号：CN112242404A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010359712.8
申请日：2020-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L25/18
Abstract: 一种三维半导体器件包括：下衬底；设置在下衬底上的多个下晶体管；设置在下晶体管上的上衬底；设置在下晶体管与上衬底之间的多个下导电线路；以及设置在上衬底上的多个上晶体管。至少一个下晶体管连接到相应的下导电线路。每一个上晶体管包括：设置在上衬底上的上栅电极；在上栅电极的第一侧设置在上衬底中的第一上源/漏极图案；以及在上栅电极的相对的第二侧设置在上衬底中的第二上源/漏极图案。上栅电极包括硅锗(SiGe)。
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公开(公告)号：CN110875393A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910500036.9
申请日：2019-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括基底，基底具有分隔开并且平行地纵向延伸的第一鳍和第二鳍。鳍残余设置在第一鳍与第二鳍之间，与第一鳍和第二鳍平行地纵向延伸，并且具有比第一鳍和第二鳍中的每个的高度低的高度。第一场绝缘层设置在第一鳍的侧壁与鳍残余的第一侧壁之间，第二场绝缘层设置在第二鳍的侧壁上。阻挡衬里沿由鳍残余的第二侧壁和第二场绝缘层的侧壁界定的沟槽的侧壁和底表面设置。沟槽绝缘层在沟槽中设置在阻挡衬里上。
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