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公开(公告)号：CN114315355A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210121521.7
申请日：2017-09-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/528 , C04B35/645 , B24D3/00 , C01B32/25 , C01B32/26 , B82Y40/00
Abstract: 本申请提供了一种金刚石多晶体的制造方法，该方法包括：第一步骤，其中在1300℃以上对高压相碳的粉末进行热处理，以得到经热处理的碳粉末；以及第二步骤，其中在12GPa以上25GPa以下和1200℃以上2300℃以下的条件下烧结经热处理的碳粉末，以得到金刚石多晶体。
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公开(公告)号：CN108349821B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201780003556.8
申请日：2017-08-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/5831 , B23B27/14 , B23B27/20 , B24D3/00 , C01B21/064
Abstract: 根据本发明的制造氮化硼多晶体的方法包括：通过在1300℃以上对高压相氮化硼粉末进行热处理，以获得热处理粉末的第一步骤；以及通过在8GPa至20GPa和1200℃至2300℃的条件下烧结所述热处理粉末，以获得氮化硼多晶体的第二步骤。
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公开(公告)号：CN107207364B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201680009499.X
申请日：2016-01-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/583 , B23B27/14 , B23B27/20 , B23B51/00 , B23C5/16
Abstract: 一种立方氮化硼多晶体，其包含立方氮化硼，该立方氮化硼的平均晶粒尺寸为150nm以下，在使用R200μm金刚石压头并以100N/分钟的速率施加负荷的断裂强度试验中，该立方氮化硼多晶体的裂纹产生负荷为25N以上。
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公开(公告)号：CN107108231B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201680004557.X
申请日：2016-10-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B32/26 , B23B27/14 , B23B27/20 , C01B32/205 , C04B35/52
Abstract: 复合多晶体包含：由相互直接结合的金刚石粒子形成的多晶金刚石，以及分散在所述多晶金刚石中的压缩型石墨。
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公开(公告)号：CN107406334B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201680014181.0
申请日：2016-01-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 金刚石多晶体(10)包含金刚石粒子，并且所述金刚石粒子的平均粒径为50nm以下。通过断裂强度试验确定的裂纹载荷为10N以上，其中将顶端半径Dr为50μm的金刚石压头D以100N/分钟的载荷速度F压向金刚石多晶体(10)的表面(10s)。由此，本发明提供了具有小粒径且具有韧性的金刚石多晶体、切削工具、耐磨工具、磨削工具，以及用于制造金刚石多晶体的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107207363B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201680008804.3
申请日：2016-01-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/583 , B23B27/14 , B23B27/20 , C01B21/064
Abstract: 本发明的目的是提供韧性优异的立方氮化硼多晶体。立方氮化硼多晶体包含：细颗粒状的立方氮化硼，其最大粒径为100nm以下，且平均粒径为70nm以下；平均长度为50nm以上10,000nm以下的板状立方氮化硼和/或粗颗粒状的立方氮化硼，该粗颗粒状的立方氮化硼的最小粒径大于100nm并且平均粒径为1,000nm以下。
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公开(公告)号：CN111263741A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201880026144.0
申请日：2018-10-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 金刚石多晶体包含金刚石粒子，所述金刚石多晶体包含立方金刚石和6H型六方金刚石，其中立方金刚石和6H型六方金刚石存在于同一金刚石粒子中或存在于不同的金刚石粒子中，并且比率Ab1/Ab2为0.4以上1以下，Ab1表示红外吸收光谱中在1200cm-1以上1300cm-1以下的范围内的吸收的最大值，Ab2表示在1900cm-1以上2100cm-1以下的范围内的吸收的最大值。
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公开(公告)号：CN106574393B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201580039728.8
申请日：2015-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04 , B23B27/14 , B23B27/20 , B24B53/047 , C23C16/27
Abstract: 在单晶金刚石(20)的晶体生长主表面(20m)的X射线形貌照片中，晶体缺陷点(20dp)的组聚集而存在，各个晶体缺陷点(20dp)是到达所述晶体生长主表面(20m)的晶体缺陷线(20dq)的前端点，所述晶体缺陷线(20dq)表示其中存在晶体缺陷(20d)的线。此外，在所述单晶金刚石(20)中，平行存在多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)。在所述多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)中，晶体缺陷点(20dp)的组聚集并在相对于一个任意规定方向成30°以内的角的方向上以线状延伸。由此，提供一种单晶金刚石，所述单晶金刚石适合用于切削工具、抛光工具、光学部件、电子部件、半导体材料等。
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公开(公告)号：CN110023238A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780073841.7
申请日：2017-11-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B32/25 , B01J3/06 , B23B27/14 , B23B27/20 , C01B32/205 , C04B35/528 , C04B41/87 , C23C16/26 , C25B11/12 , C30B29/04
Abstract: 本发明提供一种以金刚石单相作为基本组成的多晶金刚石，该多晶金刚石由多个晶粒构成，并且包含氮和硅中的至少任一者、硼、以及碳和微量杂质的余量；所述硼以原子水平分散在晶粒中，并且全部的硼的90原子％以上以孤立置换型存在；所述氮和硅以孤立置换型或间隙型存在于晶粒中；晶粒的粒度为500nm以下；并且多晶金刚石的表面被保护膜覆盖。
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公开(公告)号：CN105088339B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201510229309.2
申请日：2015-05-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: B24D18/0009 , B24D3/008 , C01B32/25 , C04B35/52 , C04B35/645 , C04B2235/425 , C04B2235/427 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/76 , C04B2235/785 , C04B2235/96
Abstract: 本发明提供了一种包含金刚石颗粒的多晶金刚石体。所述金刚石颗粒的平均粒径为50nm或更小。在23℃±5℃、4.9N的测试负荷下的努氏硬度测定中，所述多晶金刚石体的努氏压痕的对角线中较短对角线的长度B与较长对角线的长度A的比值为0.080或更小，其中该比值表示为比值B/A。该多晶金刚石体具有韧性且具有小粒径。本发明还提供了一种切削工具、耐磨工具、磨削工具，以及用于制造多晶金刚石体的方法。
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