公开(公告)号：CN117015635A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202280019692.7

申请日：2022-03-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 角谷均 ,  西林良树 ,  左亦康 ,  李真和 ,  寺本三记 ,  小林丰

IPC: C30B29/04

Abstract: 一种单晶金刚石，其中，所述单晶金刚石的氮的原子数基准的含有率为大于0.1ppm且50ppm以下，所述单晶金刚石的硼的原子数基准的含有率为0.1ppm以下，所述单晶金刚石的每单位厚度的相位差的平均为20nm/mm以下，所述相位差的标准偏差为10nm/mm以下。

公开(公告)号：CN115698392A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180039794.0

申请日：2021-05-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 角谷均 ,  李真和 ,  寺本三记

IPC: C30B29/04 ,  B01J3/06 ,  C01B32/26 ,  C30B9/10 ,  C30B33/04

Abstract: 一种合成单晶金刚石，其是包含100ppm以上且1500ppm以下的氮原子的合成单晶金刚石，其中，所述合成单晶金刚石包含聚集体，所述聚集体由一个空穴和与所述空穴相邻地存在的两个至四个中的任一数量的氮原子构成，所述合成单晶金刚石的{001}面中的 方向上的努氏压痕的对角线中的、短的一方的对角线的长度b与长的一方的对角线的长度a之比b/a为0.08以下，所述努氏压痕是依据JIS Z 2251：2009，在温度为23℃±5℃以及试验载荷为4.9N的条件下，对所述合成单晶金刚石的{001}面内的 方向上的努氏硬度进行测定而形成的。

公开(公告)号：CN107109691B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201680006136.0

申请日：2016-07-22

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  住友电工硬质合金株式会社

Inventor： 西林良树 ,  辰巳夏生 ,  角谷均 ,  植田晓彦 ,  小林丰

IPC: C30B29/04 ,  B23B51/00 ,  C23C16/27 ,  C30B25/20

Abstract: 在单晶金刚石材料中，非置换型氮原子的浓度为200ppm以下，置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石材料具有偏角为20°以下的晶体生长主表面。在单晶金刚石芯片中，非置换型氮原子的浓度可以为200ppm以下，置换型氮原子的浓度可以低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石芯片可以具有偏角为20°以下的主表面。一种穿孔工具，其包含单晶金刚石拉丝模，其中在所述单晶金刚石拉丝模中，非置换型氮原子的浓度为200ppm以下，置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石拉丝模具有由‑5以上且5以下的整数密勒指数表示的低指数面，所述低指数面的垂线相对于拉丝用孔的取向的偏角为20°以下。

公开(公告)号：CN112340727A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202011260632.3

申请日：2016-01-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石田雄 ,  有元桂子 ,  山本佳津子 ,  角谷均

IPC: C01B32/26 ,  B23P15/00 ,  C30B29/04

Abstract: 金刚石多晶体(10)包含金刚石粒子，并且所述金刚石粒子的平均粒径为50nm以下。通过断裂强度试验确定的裂纹载荷为10N以上，其中将顶端半径Dr为50μm的金刚石压头D以100N/分钟的载荷速度F压向金刚石多晶体(10)的表面(10s)。由此，本发明提供了具有小粒径且具有韧性的金刚石多晶体、切削工具、耐磨工具、磨削工具，以及用于制造金刚石多晶体的方法。

公开(公告)号：CN111356792A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201880074208.4

申请日：2018-11-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 角谷均 ,  石田雄 ,  滨木健成 ,  山本佳津子

IPC: C30B29/04 ,  B23B27/14 ,  B23B27/20 ,  C01B32/25 ,  C01B32/26

Abstract: 该金刚石多晶体具有作为基本组成的金刚石单相，其中金刚石多晶体由多个平均粒径为30nm以下的金刚石颗粒构成，并且金刚石多晶体的碳悬空键密度为10ppm以上。

公开(公告)号：CN111247276A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201880068281.0

申请日：2018-08-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 角谷均 ,  滨木健成 ,  寺本三记 ,  山本佳津子

IPC: C30B29/04 ,  B23B27/14 ,  B23B27/20 ,  C30B9/10 ,  C30B33/02 ,  C30B33/04

Abstract: 一种合成单晶金刚石，该合成单晶金刚石包含浓度大于600ppm且为1500ppm以下的氮原子。合成单晶金刚石的一次拉曼散射光谱中的峰的拉曼位移λ'(cm-1)和氮原子含量为1ppm以下的合成IIa型单晶金刚石的一次拉曼散射光谱中的峰的拉曼位移λ(cm-1)满足式(1)。式(1)：λ'-λ≥0.10。

公开(公告)号：CN110933945A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201880003675.8

申请日：2018-07-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 角谷均 ,  山本佳津子

IPC: C04B35/52 ,  B23B27/14 ,  B23B27/20 ,  B23C5/16

Abstract: 一种金刚石多晶体，其中在JIS Z 2251:2009定义的条件下进行的努普硬度试验中a'与a之比(a'/a)的值为0.99以下，其中a表示当试验负荷为4.9N的努普压头压到所述金刚石多晶体的表面上时，在所述金刚石多晶体的表面形成的第一努普压痕的较长对角线的长度，a'表示在解除试验负荷后，在所述金刚石多晶体的表面留有的第二努普压痕的较长对角线的长度。

公开(公告)号：CN110219042A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910397906.4

申请日：2015-05-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石田雄 ,  山本佳津子 ,  角谷均

IPC: C30B29/04 ,  C30B28/02 ,  B23D79/00

Abstract: 本发明提供了一种包含金刚石颗粒的多晶金刚石体。所述金刚石颗粒的平均粒径为50nm或更小。在23℃±5℃、4.9N的测试负荷下的努氏硬度测定中，所述多晶金刚石体的努氏压痕的对角线中较短对角线的长度B与较长对角线的长度A的比值为0.080或更小，其中该比值表示为比值B/A。该多晶金刚石体具有韧性且具有小粒径。本发明还提供了一种切削工具、耐磨工具、磨削工具，以及用于制造多晶金刚石体的方法。

公开(公告)号：CN109890753A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201780067572.3

申请日：2017-11-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 池田和宽 ,  有元桂子 ,  山本佳津子 ,  角谷均

IPC: C01B32/25 ,  B01J3/06 ,  B23B27/14 ,  B23B27/20 ,  C01B32/205 ,  C04B35/528 ,  C04B41/87 ,  C23C16/26 ,  C25B11/12 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明提供一种以金刚石单相作为基本组成的多晶金刚石。所述多晶金刚石包括多个晶粒，并且包含硼、氢和氧，剩余物包括碳和微量杂质。所述硼以原子水平分散在晶粒中，并且90原子％以上的所述硼以孤立置换型存在。所述氢和氧以孤立置换型或间隙型存在于晶粒中。每个晶粒的粒度为500nm以下，并且所述多晶金刚石的表面被保护膜覆盖。

公开(公告)号：CN108349821A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201780003556.8

申请日：2017-08-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石田雄 ,  角谷均

IPC: C04B35/5831 ,  B23B27/14 ,  B23B27/20 ,  B24D3/00 ,  C01B21/064

Abstract: 根据本发明的制造氮化硼多晶体的方法包括：通过在1300℃以上对高压相氮化硼粉末进行热处理，以获得热处理粉末的第一步骤；以及通过在8GPa至20GPa和1200℃至2300℃的条件下烧结所述热处理粉末，以获得氮化硼多晶体的第二步骤。