公开(公告)号：CN101840864B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201010146652.8

申请日：2010-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  乡户宏充 ,  筱原聪始

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供一种解决在使用具有绝缘表面的衬底的情况下有可能发生的问题的半导体装置。该半导体装置包括：具有绝缘表面的基底衬底；绝缘表面上的导电层；导电层上的绝缘层；绝缘层上的包括沟道形成区、第一杂质区、第二杂质区、以及沟道形成区与第二杂质区之间的第三杂质区的半导体层；覆盖半导体层的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的栅电极；电连接到第一杂质区的第一电极；以及电连接到第二杂质区的第二电极，其中，导电层被保持为规定电位。

公开(公告)号：CN101540342B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN200910128138.9

申请日：2009-03-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  黑川义元 ,  乡户宏充 ,  宫入秀和

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明要求保护一种薄膜晶体管及显示装置，其课题之一在于解决涉及薄膜晶体管的导通电流及截止电流的问题。另一课题在于提供一种能够高速工作的薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括：覆盖栅电极的栅极绝缘层；设置于栅极绝缘层上的微晶半导体层；重叠于微晶半导体层及栅极绝缘层的非晶半导体层；以及添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层，该一对杂质半导体层设置于非晶半导体层上，并且形成源区或漏区，其中，栅极绝缘层在与微晶半导体层的端部接触的附近具有高低差，并且所述微晶半导体层外侧的栅极绝缘层的第二厚度比接触所述微晶半导体层的栅极绝缘层的第一厚度要薄。

公开(公告)号：CN101859710B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201010161138.1

申请日：2010-04-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  井上卓之

IPC: H01L21/363 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225

Abstract: 本发明的目的在于一种提供一种使用氧化物半导体的优选结构的n沟道型晶体管及p沟道型晶体管。本发明的半导体装置包括：与第一氧化物半导体层电连接并由包含第一材料的第一导电层和包含第二材料的第二导电层的叠层结构形成的第一源电极或漏电极；以及与第二氧化物半导体层电连接并由包含第一材料的第三导电层和包含第二材料的第四导电层的叠层结构形成的第二源电极或漏电极，其中，第一氧化物半导体层与第一源电极或漏电极的第一导电层接触，并且，第二氧化物半导体层与第二源电极或漏电极的第三导电层及第四导电层接触。

公开(公告)号：CN103779426A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201410046438.3

申请日：2010-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  乡户宏充 ,  须泽英臣 ,  笹川慎也 ,  仓田求 ,  三上真弓

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种维持有利的特性并实现微细化的、包括氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与所述氧化物半导体层重叠的栅电极；以及设置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘层，其中，所述源电极及所述漏电极各包括第一导电层和具有从所述第一导电层的端部向沟道长度方向延伸的区域的第二导电层。

公开(公告)号：CN102640293A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201080053607.6

申请日：2010-10-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  乡户宏充 ,  河江大辅

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 经受脱水或脱氢的步骤和添加氧的步骤以使得载流子浓度小于1×1012/cm3的本征或基本上本征半导体用于其中形成沟道区的绝缘栅晶体管的氧化物半导体层。氧化物半导体层中形成的沟道的长度设置为0.2μm至3.0μm(包括两端)，以及氧化物半导体层和栅绝缘层的厚度分别设置为15nm至30nm(包括两端)和20nm至50nm(包括两端)或者分别为15nm至100nm(包括两端)和10nm至20nm(包括两端)。因此，能够抑制短沟道效应，并且阈值电压的变化量在上述沟道长度的范围之内能够小于0.5V。

公开(公告)号：CN102347454A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110278735.7

申请日：2004-06-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  乡户宏充 ,  土屋薰

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/5246 ,  H01L23/564 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L33/44 ,  H01L51/5237 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5323 ,  H05B33/04 ,  H05B33/14 ,  Y10T428/24777

Abstract: 本发明的目的是提供一种可靠性高的显示器件及其制作方法，该显示器件的结构能够阻断从密封区域侵入的导致显示器件特性产生退化的水分或氧。本发明的显示器件及其制作方法的特征是：显示器件包括的显示部分是将在一对衬底之间使用有机发光材料的EL元件排列而形成的；其中，所述显示部分形成在绝缘层上，该绝缘层形成在其中一方的衬底上；所述一对衬底借助包围所述显示部分外围且形成于所述绝缘层上的密封材料被键合(bonding)；所述绝缘层中的至少一层由有机树脂材料形成；所述显示部分的外围包括第一区域和第二区域；所述第一区域的所述绝缘层具有被保护膜覆盖的开口部分，并且所述密封材料和所述开口部分及保护膜连接而形成；所述第二区域的所述绝缘层的外边缘部分被保护膜或密封材料覆盖。

公开(公告)号：CN101615628B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200910160481.1

申请日：2005-06-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  松原友惠 ,  坂仓真之

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/5262 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明涉及一种显示器件。一种能够容易地改善视角特性的有源矩阵显示器件。在向其上制作薄膜晶体管的衬底的方向发射光的有源矩阵显示器件中，当关注由从发光元件发射的光在用来制作薄膜晶体管的膜上反射所引起的多重干涉时，借助于将反射膜形成为具有基本上λ/2的光学厚度，能够大幅度降低对多重干涉的影响，而不损失薄膜晶体管的功能。

公开(公告)号：CN101859798A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010158301.9

申请日：2010-03-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  乡户宏充 ,  宫永昭治

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。根据连接的元件的驱动电压决定晶体管的漏电压。随着晶体管的小型化集中在漏区的电场强度增高，而容易产生热载流子。目的之一在于提供在漏区中电场不容易集中的晶体管。此外，目的之一在于提供具有晶体管的显示装置。通过具有高导电率的第一布线层及第二布线层的端部不与栅电极层重叠，缓和在第一电极层及第二电极层附近电场集中的现象，而抑制载流子的产生，并将其电阻高于第一布线层及第二布线层的电阻的第一电极层及第二电极层用作漏电极层而构成晶体管。

公开(公告)号：CN101800250A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN201010116559.2

申请日：2010-01-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 及川欣聪 ,  丸山穗高 ,  乡户宏充 ,  河江大辅 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L27/12 ,  H01L21/34 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/156 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 发明的目的在于提供一种备有使用氧化物半导体层且电特性优良的薄膜晶体管的半导体装置。将含有SiOX的In-Sn-O类氧化物半导体层用作沟道形成区，并且为了降低其与由电阻值低的金属材料构成的布线层的接触电阻，在源电极层以及漏电极层与上述含有SiOX的In-Sn-O类氧化物半导体层之间设置源区或漏区。源区或漏区以及像素区使用同一层的不含有SiOX的In-Sn-O类氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN101013722B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200610064386.8

申请日：2006-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  德永肇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L21/84 ,  H01L24/73 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78618 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15184 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的在于不用增加步骤数量来获得包含硅化物层的具有高导通电流的晶体管。包括该晶体管的半导体器件包括其中厚度从沟道形成区侧上的边缘增加的第一区和其中厚度比第一区的厚度更均匀的第二区。第一和第二区被垂直于水平线的线分开，该线经过穿过硅化物层的边缘且与水平线形成角度θ(0°