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公开(公告)号：CN114981967A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180009503.3
申请日：2021-01-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/11556
Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。在Z方向上延伸且包含导电体和氧化物半导体的存储器串与在Y方向上延伸的多个布线CG交叉。导电体沿着存储器串的中心轴配置，氧化物半导体在导电体的外侧被配置为同心状。导电体与氧化物半导体电连接。存储器串与布线CG的交叉部被用作晶体管。此外，交叉部被用作存储单元。
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公开(公告)号：CN114600096A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080074162.3
申请日：2020-10-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06F16/332
Abstract: 提供一种考虑到文档的概念检索文档的文档检索系统。文档检索系统(100)包括输入部(101)、第一处理部(102)、存储部(105)、第二处理部(103)以及输出部(104)。输入部(101)具有输入第一文档(20)的功能，第一处理部(102)具有使用第一文档(20)形成第一图结构(21)的功能，存储部(105)具有储存第二图结构(11)的功能，第二处理部(103)具有计算出第一图结构(21)与第二图结构(11)的相似度的功能，输出部(104)具有供应信息的功能，第一处理部(102)具有将第一文档(20)分割成多个记号的功能，第一图结构(21)的节点及边具有标签，并且标签由多个记号构成。
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公开(公告)号：CN113892114A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080039166.8
申请日：2020-06-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种安全级别高的电子设备的识别系统。识别系统包括：储存根据预先登录的第一用户的使用状态的第一数据并生成第一数据群的数据保持单元；识别操作电子设备的第二用户为第一用户而解除锁定状态的第一识别单元；在解除锁定状态的状态下取得第二用户的使用状态的第二数据的数据取得单元；以及根据第一数据群和第二数据识别第二用户为第一用户而在识别不到第二用户为第一用户时使电子设备进入锁定状态的第二识别单元。此外，数据保持单元具有删除包括在第一数据群中的多个第一数据中最旧的第一数据的功能。
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公开(公告)号：CN110718557A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910813308.0
申请日：2011-02-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 所公开的半导体装置，包括：绝缘层；嵌入在绝缘层中的源电极和漏电极；接触于绝缘层、源电极和漏电极的氧化物半导体层；覆盖氧化物半导体层的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极。接触于氧化物半导体层的绝缘层的上表面的均方根（RMS）粗糙度是1nm以下。绝缘层的上表面与源电极的上表面有高度差，以及绝缘层的上表面与漏电极的上表面有高度差。优选高度差为5nm以上。本结构有助于抑制半导体装置的缺陷且实现其微型化。
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公开(公告)号：CN105609565A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610182265.7
申请日：2010-09-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 一个目的是提供一种包括氧化物半导体膜、具有稳定电特性的高度可靠的薄膜晶体管。包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的沟道长度在1.5μm至100μm(包括两端)、优选地为3μm至10μm(包括两端)的范围之内；当阈值电压的变化量在室温至180℃(包括两端)或者-25℃至-150℃(包括两端)的工作温度范围中小于或等于3V、优选地小于或等于1.5V时，能够制造具有稳定电特性的半导体器件。具体来说，在作为半导体器件的一个实施例的显示装置中，能够降低因阈值电压的变化而引起的显示不均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101859798B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201010158301.9
申请日：2010-03-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/41733 , H01L29/45
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。根据连接的元件的驱动电压决定晶体管的漏电压。随着晶体管的小型化集中在漏区的电场强度增高，而容易产生热载流子。目的之一在于提供在漏区中电场不容易集中的晶体管。此外，目的之一在于提供具有晶体管的显示装置。通过具有高导电率的第一布线层及第二布线层的端部不与栅电极层重叠，缓和在第一电极层及第二电极层附近电场集中的现象，而抑制载流子的产生，并将其电阻高于第一布线层及第二布线层的电阻的第一电极层及第二电极层用作漏电极层而构成晶体管。
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公开(公告)号：CN102834921B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201180016196.8
申请日：2011-03-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/316 , H01L27/146 , H01L29/417 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225
Abstract: 在包括氧化物半导体膜的晶体管中，形成与氧化物半导体膜接触并且覆盖源电极及漏电极的用来防止带电的金属氧化物膜，然后进行热处理。通过该热处理，从氧化物半导体膜中有意地去除氢、水分、羟基或者氢化物等杂质，以高度纯化氧化物半导体膜。通过设置金属氧化物膜，可以防止在晶体管中的氧化物半导体膜的背沟道侧产生寄生沟道。
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公开(公告)号：CN102742014B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201080062030.5
申请日：2010-12-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种维持有利的特性并实现微细化的、包括氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与所述氧化物半导体层重叠的栅电极；以及设置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘层，其中，所述源电极及所述漏电极各包括第一导电层和具有从所述第一导电层的端部向沟道长度方向延伸的区域的第二导电层。
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公开(公告)号：CN102347454B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201110278735.7
申请日：2004-06-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5246 , H01L23/564 , H01L27/124 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L33/44 , H01L51/5237 , H01L2227/323 , H01L2251/5323 , H05B33/04 , H05B33/14 , Y10T428/24777
Abstract: 本发明的目的是提供一种可靠性高的显示器件及其制作方法，该显示器件的结构能够阻断从密封区域侵入的导致显示器件特性产生退化的水分或氧。本发明的显示器件及其制作方法的特征是：显示器件包括的显示部分是将在一对衬底之间使用有机发光材料的EL元件排列而形成的；其中，所述显示部分形成在绝缘层上，该绝缘层形成在其中一方的衬底上；所述一对衬底借助包围所述显示部分外围且形成于所述绝缘层上的密封材料被键合(bonding)；所述绝缘层中的至少一层由有机树脂材料形成；所述显示部分的外围包括第一区域和第二区域；所述第一区域的所述绝缘层具有被保护膜覆盖的开口部分，并且所述密封材料和所述开口部分及保护膜连接而形成；所述第二区域的所述绝缘层的外边缘部分被保护膜或密封材料覆盖。
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公开(公告)号：CN102834921A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201180016196.8
申请日：2011-03-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/316 , H01L27/146 , H01L29/417 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225
Abstract: 在包括氧化物半导体膜的晶体管中，形成与氧化物半导体膜接触并且覆盖源电极及漏电极的用来防止带电的金属氧化物膜，然后进行热处理。通过该热处理，从氧化物半导体膜中有意地去除氢、水分、羟基或者氢化物等杂质，以高度纯化氧化物半导体膜。通过设置金属氧化物膜，可以防止在晶体管中的氧化物半导体膜的背沟道侧产生寄生沟道。
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