公开(公告)号：CN102983335A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210317652.9

申请日：2012-08-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野田耕生 ,  栗城和贵 ,  井上信洋

IPC: H01M4/62 ,  H01M4/04 ,  H01M10/42

CPC classification number: H01G11/68 ,  H01G11/06 ,  H01G11/28 ,  H01G11/30 ,  H01G11/46 ,  H01G11/86 ,  H01M4/131 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/386 ,  H01M4/387 ,  H01M4/48 ,  H01M4/483 ,  H01M10/052 ,  Y02E60/13 ,  Y02T10/7011 ,  Y02T10/7022

Abstract: 本发明的目的是提供一种充放电循环特性及比率特性高且不容易发生活性物质的剥离等导致的劣化的电极及蓄电装置。在蓄电装置的电极中，通过使用如下电极可以提高蓄电装置的充放电循环特性，该电极包含：集电体；该集电体上的第一活性物质层；以及该活性物质层上的包含具有氧化铌的粒子和粒状活性物质的第二活性物质层。再者，通过使粒状活性物质与具有氧化铌的粒子接触，由此粒状活性物质被物理地固定，从而能够抑制伴随蓄电装置的充放电的活性物质的膨胀或收缩导致活性物质的微粉化或活性物质从集电体上剥离等劣化。

公开(公告)号：CN102918683A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180026274.2

申请日：2011-05-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 栗城和贵 ,  汤川干央 ,  松仓英树

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/134 ,  H01M4/36

CPC classification number: H01M4/661 ,  H01M4/0428 ,  H01M4/134 ,  H01M4/667 ,  H01M4/70 ,  H01M10/0525 ,  Y02T10/7011

Abstract: 目的在于通过设计活性材料层的形状来改进电力存储设备的特性。可通过提供包括第一电极、第二电极、以及设置在第一电极和第二电极之间的电解质的电力存储设备来改进电力存储设备的特性。第二电极包括活性材料层。活性材料层包括包含活性材料的多个凸部以及包含活性材料的多个颗粒，这些颗粒排列在多个凸部上或者多个凸部之间的空隙中。

公开(公告)号：CN102906913A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180027170.3

申请日：2011-05-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 栗城和贵 ,  汤川干央

IPC: H01M4/66 ,  H01M4/134 ,  H01G11/26 ,  H01G11/30

CPC classification number: H01G11/26 ,  H01G11/30 ,  H01M4/0428 ,  H01M4/134 ,  H01M4/661 ,  Y02E60/13

Abstract: 提供一种能够提高放电容量的蓄能装置和/或提供一种能够减小由反复充放电导致的电极退化的蓄能装置。提供一种包括用作活性材料层的晶体硅层的蓄能装置的电极。晶体硅层包括晶体硅区域、以及具有从该晶体硅区域向上突出的多个突起物的须状晶体硅区域。这些突起物包括第一突起物和第二突起物，第二突起物具有比第一突起物更大的沿轴的长度以及更尖锐的顶端。

公开(公告)号：CN102738516A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210124226.3

申请日：2012-04-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 栗城和贵

IPC: H01M10/058 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/525

CPC classification number: H01M4/1391 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/131 ,  H01M4/525 ,  Y10T29/417 ,  Y10T29/49108

Abstract: 所公开的发明的一个方式的目的是：抑制钴酸锂被分解而产生分解生成物；抑制钴酸锂中的氧与集电体起反应；以及得到充放电容量大的蓄电装置。一种蓄电装置的制造方法，包括如下步骤：在通过以钴酸锂为靶材且使用Ar作为溅射气体的溅射法在正极集电体上形成钴酸锂层时，在使钴酸锂的结晶呈c轴取向且不产生氧化钴的温度下加热该正极集电体，其中该正极集电体的加热温度为400℃以上且低于600℃。

公开(公告)号：CN102576608A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080044992.8

申请日：2010-09-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 栗城和贵 ,  荻野清文 ,  斋藤祐美子 ,  坂田淳一郎

IPC: H01G9/00 ,  H01G9/038 ,  H01G9/058 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01G11/02 ,  H01G9/038 ,  H01G9/22 ,  H01G11/28 ,  H01G11/56 ,  H01G11/68 ,  H01G11/70 ,  H01G11/84 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L28/40 ,  Y02E60/13

Abstract: 提供可在室温被制造的氧化还原电容器以及其制造方法。含有氢的非晶半导体被用作氧化还原电容器的电解质。可使用含有诸如非晶硅、非晶硅锗、或非晶锗之类的半导体元素的非晶半导体作为含有氢的非晶半导体的典型示例。可使用含有氢的非晶半导体作为含有氢的非晶半导体的另一个示例。可给出含有诸如氧化锌、氧化钛、氧化镍、氧化钒、以及氧化铟之类的单组分氧化物半导体的非晶半导体作为含有氢的氧化物半导体的典型示例。可使用诸如In-M-Zn-氧化物半导体(M是选自Al、Ga、Fe、Ni、Mn、以及Co的一个或多个金属元素)之类的多组分氧化物半导体作为含有氢的非晶半导体的另一个示例。

公开(公告)号：CN102034969A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010512983.9

申请日：2010-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  栗城和贵 ,  桃纯平 ,  松原里枝

IPC: H01M4/1395 ,  H01M10/058 ,  H01G9/04

CPC classification number: H01G9/016 ,  H01G9/055 ,  H01G9/058 ,  H01G11/26 ,  H01G11/28 ,  H01G11/50 ,  H01G11/86 ,  H01M4/0438 ,  H01M4/0445 ,  H01M4/13 ,  H01M4/139 ,  H01M4/661 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/122 ,  Y02E60/13 ,  Y02P70/54

Abstract: 本发明的目的之一是减少由于活性物质的体积膨胀造成的影响。本发明提供一种在集电体的一个表面上包括活性物质的蓄电装置用电极的制造方法：形成用作该集电体的导体，在该导体的一个表面上形成包括非晶体区域及微晶区域的混合层，通过对该混合层选择性地进行蚀刻，以去除该非晶体区域的一部分或全部而使该微晶区域露出，由此形成活性物质，而可以减少由于该活性物质的体积膨胀造成的影响。

公开(公告)号：CN101425454A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810173827.7

申请日：2008-10-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 掛端哲弥 ,  栗城和贵

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明的目的在于提供一种即使是将氮化硅膜等用作接合层的情况，也可以降低支撑衬底和半导体衬底之间的结合不良的产生的SOI衬底的制造方法。此外，本发明还有一个目的是提供一种可以抑制工序的增加的SOI衬底的制造方法。其步骤如下：准备半导体衬底、以及支撑衬底，在半导体衬底上形成氧化膜，通过透过氧化膜对半导体衬底照射被加速的离子以在距半导体衬底的表面有预定的深度中形成剥离层，在照射离子之后在氧化膜上形成含有氮的层，使半导体衬底与支撑衬底相对并使含有氮的层的表面和支撑衬底的表面接合，加热半导体衬底使其以剥离层为界线分离以在支撑衬底上中间夹着氧化膜以及含有氮的层形成单晶半导体层。