公开(公告)号：CN1495869A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN200310101574.X

申请日：1995-06-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  F16C29/00 ,  F16C2360/45 ,  G02F1/13454 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种薄膜半导体器件的制造方法，该半导体器件在基板的一部分上形成衬底保护膜，进而在该衬底保护膜上形成半导体膜，所述衬底保护膜包含一种绝缘材料，将所述半导体膜作为晶体管的有源层，该方法的特征在于，包括以下工序：制作结晶的半导体膜，其中，包含所述结晶半导体膜的构成元素的化学物质用作原料气体，惰性气体用作冲淡气体。

公开(公告)号：CN1495857A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN200310101575.4

申请日：1995-06-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏

IPC: H01L21/205 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  F16C29/00 ,  F16C2360/45 ,  G02F1/13454 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种薄膜半导体器件的制造方法，该半导体器件在基板的一部分上形成衬底保护膜，进而使用等离子体增强的化学汽相淀积装置在该衬底保护膜上形成半导体膜，所述衬底保护膜包含一种绝缘材料，将所述半导体膜作为晶体管的有源层，该方法的特征在于，包括工序：将所述衬底保护膜暴露到氧等离子体或氢等离子体中；然后，在不破坏等离子体增强的化学汽相淀积装置真空的条件下在所述衬底保护膜的顶部形成所述半导体膜。

公开(公告)号：CN1485789A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN03149529.X

申请日：2003-07-14

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 天野和彦 ,  宫坂光敏 ,  下田达也

IPC: G06K9/00 ,  A61B5/117

CPC classification number: G06K9/0002

Abstract: 本发明提供一种本人对照装置，其具有检测操作者指纹用的指纹检测传感器和检测操作者脉搏用的脉搏检测传感器。被脉搏检测传感器检测出的脉搏由指标提取部分进行处理后提取至少一个指标。与指纹比较的第一比较信息被存储在第一比较信息存储部分，与至少一个指标比较的第二比较信息被存储在第二比较信息存储部分。对照部分根据指纹和第一比较信息的比较结果，当判断出操作者与被注册者本人一致，并根据至少一个指标与第二比较信息的比较结果，判断操作者生存时，输出表示其操作者为真正本人的信号。

公开(公告)号：CN1130777C

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN99107026.7

申请日：1995-06-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/66757 ,  F16C29/00 ,  F16C2360/45 ,  G02F1/13454 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78675

Abstract: 为了利用可以使用廉价的玻璃基板的低温处理来制造高性能的薄膜半导体器件，在不到450℃的温度下形成硅膜、结晶化之后、在最高工作温度为350℃以下的条件下制造了薄膜半导体器件。当将本发明用于有源矩阵液晶显示器件的制造时，可以容易而且稳定地制造出大型高质量的液晶显示器件。而且，当用于其他的电子电路的制造时也可以容易而稳定地制造出高质量的电子电路。

公开(公告)号：CN1245972A

公开(公告)日：2000-03-01

申请号：CN99107026.7

申请日：1995-06-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/66757 ,  F16C29/00 ,  F16C2360/45 ,  G02F1/13454 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78675

Abstract: 为了利用可以使用廉价的玻璃基板的低温处理来制造高性能的薄膜半导体器件,在不到450℃的温度下形成硅膜、结晶化之后、在最高工作温度为350℃以下的条件下制造了薄膜半导体器件。当将本发明用于有源矩阵液晶显示器件的制造时,可以容易而且稳定地制造出大型高质量的液晶显示器件。而且,当用于其他的电子电路的制造时也可以容易而稳定地制造出高质量的电子电路。

公开(公告)号：CN1129492A

公开(公告)日：1996-08-21

申请号：CN95190552.X

申请日：1995-06-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫坂光敏

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/205 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  F16C29/00 ,  F16C2360/45 ,  G02F1/13454 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78675

Abstract: 为了利用可以使用廉价的玻璃基板的低温处理来制造高性能的薄膜半导体器件，在不到450℃的温度下形成硅膜、结晶化之后、在最高工作温度为350℃以下的条件下制造了薄膜半导体器件。当将本发明用于有源矩阵液晶显示器件的制造时，可以容易而稳定地制造出大型高质量的液晶显示器件。而且，当用于其他的电子电路的制造时也可以容易而稳定地制造出高质量的电子电路。