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公开(公告)号：CN114664248A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111562478.X
申请日：2021-12-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G09G3/3208 , G09G3/3266 , G09G3/32
Abstract: 提供电光装置和电子设备，能够兼顾与环境的明亮度相应的显示亮度调整和良好的灰度显示。电光装置(15)包含多个数字扫描线、数字信号线和多个像素电路(30)。各像素电路(30)包含发光元件(31)和数字驱动电路(36)。数字驱动电路(36)进行基于显示数据的灰度值使发光元件(31)接通或断开的数字驱动。数字驱动电路(36)在与显示数据的灰度值对应的长度的灰度显示期间中的、使能信号为有效的期间，通过向发光元件供给驱动电流而使发光元件成为接通状态。控制线驱动电路(130)可变地设定使能信号为有效的期间。使发光元件成为接通状态的接通状态期间相对于灰度显示期间的比例根据使能信号为有效的期间而变化。
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公开(公告)号：CN110010068A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811580321.8
申请日：2018-12-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G09G3/3225 , G09G3/32
Abstract: 电光装置以及电子设备，该电光装置能够低功耗地显示高分辨率且高质量的图像，其动作速度更快，显示更明亮。电光装置(10)的特征在于，具有：第1扫描线(42)；信号线(43)；像素电路(41)，其与第1扫描线和信号线的交叉处对应地设置，像素电路包含发光元件(20)、存储电路(60)、第1晶体管(31)和第2晶体管(32)，第1晶体管与发光元件串联地电连接，并且其栅极与存储电路电连接，第2晶体管配置在信号线与第1反相器(61)的输入端子(25)之间，第3晶体管(33)配置在第2反相器(62)的输出端子(27)与第1反相器的输入端子之间，在第2晶体管从截止状态变化为导通状态时，第3晶体管不处于导通状态。
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公开(公告)号：CN101063785B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200710104709.6
申请日：2007-04-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G09G3/344 , G09G3/2011 , G09G3/2022 , G09G3/2081 , G09G2300/08 , G09G2310/061
Abstract: 本发明的目的是提供可以使电泳显示装置的画质提高的技术。电泳显示装置具备：使含有电泳微粒的分散介质介于共用电极和像素电极间的电泳显示元件；对共用电极和像素电极间施加电压来驱动电泳显示元件的驱动机构；以及控制驱动机构的控制机构；为了进行图像重写、利用控制机构控制驱动机构而对共用电极和像素电极之间施加电压的图像重写期间，包括复位期间和设置在该复位期间之后的图像信号导入期间；图像信号导入期间由分别供给构成显示图像的信号的多个帧期间构成，包括将与第1帧期间的数据输入脉冲不同的脉冲宽度和/或脉冲强度的数据输入脉冲施加到电泳显示元件的至少一个其它的帧期间。
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公开(公告)号：CN100410621C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510113702.1
申请日：2005-10-12
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 宫坂光敏
IPC: G01B7/28
CPC classification number: G06K9/0002 , G01R27/26
Abstract: 提供一种能够实现耐静电破坏性高的静电电容检测装置，在读取对象物的表面形状的静电电容检测装置中，含有：配置成M行N列的静电电容检测元件(1)；和分别给该静电电容检测元件(1)提供电源的电源线。该静电电容检测元件(1)含有：信号检测元件(4)，其蓄积与该静电电容相应的电荷；信号放大元件(T1)，其将该信号检测元件(4)蓄积的电荷对应的信号进行放大。该信号检测元件(T1)含有：电容检测电极(41)；和在该电容检测电极(41)与该对象物接触的一侧设置的电容检测电介质膜(42)。尤其，电容检测电介质膜(42)含有绝缘膜(160)和半导体膜(162)。
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公开(公告)号：CN100401176C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200510097086.5
申请日：2005-12-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 宫坂光敏
CPC classification number: G09G3/344 , G09G2300/0434 , G09G2300/08 , G09G2310/061 , G09G2320/0238
Abstract: 电泳装置的驱动方法中，图像更新期间，包括：复位期间、和设置在该复位期间之后的图像信号导入期间。复位期间，包括：第1复位期间(r1)，其中在公共电极与像素电极之间施加相当于比中间灰度亮度高的第1灰度的电压，由该电压使电泳粒子移动；以及第2复位期间(r2)，其中在公共电极与像素电极之间施加相当于第3灰度的电压，由该电压使电泳粒子移动，该第3灰度包含在比中间灰度亮度低的第2灰度与第1灰度之间。从而，提高电泳装置的画质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101211083A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710307081.X
申请日：2007-12-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1362 , G09G3/36 , H01L29/72
CPC classification number: G02F1/13624 , G02F1/13338 , G02F1/136209 , G02F2001/13312 , G06F3/0412 , G06F3/042
Abstract: 本发明公开了一种可以进行光输入的液晶装置，能够在简单化各像素部结构的同时提高画面质量，所述液晶装置包括：与液晶扫描线(10)并列配置的光电传感器扫描线(12)；光电传感器转换晶体管(42)，作为像素部(16)的一部分，其栅极与光电传感器扫描线(12)连接，源极/漏极中的一个电极(D)与液晶转换晶体管(40)的源极/漏极(S)连接、且源极/漏极中的另一个电极(S)与液晶扫描线(10)连接；以及遮光膜，覆盖液晶转换晶体管(40)和光电传感器转换晶体管(42)的背光源侧。
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公开(公告)号：CN1487462A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03156278.7
申请日：2003-09-02
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G06K9/0002 , G06F3/03547 , G06F21/32 , G06F21/83 , G06F2203/0338
Abstract: 一种信息装置(10)，其中指纹图像取得部(20)取得操作者的指纹的图像。在将指纹图像取得部(20)所取得的指纹图像作为第一指纹图像，将在取得该第一指纹图像后的经过给定的时间再次被取得的指纹图像作为第二指纹图像的情况下，比较部(30)将特征点抽出部(60)所抽出的第一及第二指纹图像的特征点进行比较。图像生成部(40)生成反映比较部(30)的检测结果的变化的图像的信息。显示部(50)根据图像生成部(40)所生成的图像的信息进行显示。另外，也可以在信息装置(10)内设置核对部(110)，根据指纹图像，在认证本人后进行显示部(50)的显示控制。
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公开(公告)号：CN1434483A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN02120461.6
申请日：1996-08-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 宫坂光敏
IPC: H01L21/205 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/66757 , C23C16/0209 , C23C16/0272 , C23C16/24 , G02F1/13454 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02661
Abstract: 为了通过可使用廉价的玻璃基板的低温工艺来制造高性能的薄膜半导体器件，在通过使用了作为原料气体的硅烷和作为稀释气体的氩的PECVD法形成结晶性高的混晶质半导体膜之后，用激光照射等方法提高结晶性来制造薄膜半导体器件，使用该薄膜半导体器件制成液晶显示装置或电子设备。在将本发明应用于有源矩阵基板的液晶显示装置的制造时，可容易地而且稳定地制造大型和高质量的液晶显示装置。此外，在应用于其他的电子电路的制造时，也可容易地而且稳定地制造高质量的电子电路。
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公开(公告)号：CN1395289A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN01137486.1
申请日：1996-06-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 宫坂光敏
IPC: H01L21/20 , H01L21/324 , H01L31/18 , H01L31/048
CPC classification number: H01L21/02667 , H01L21/02422 , H01L21/02675 , H01L21/2022 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：在基板上淀积半导体膜的半导体膜淀积工艺，反复进行使该半导体膜的一部分熔融结晶化处理，从而使该半导体膜的实质上整个领域进行结晶的第1退火工艺，对该已结晶的半导体膜施行快速热处理的第2退火工艺，对该已结晶的半导体膜施行电路图案形成工艺，以及形成与最终得到的晶体性半导体连接的电极的电极形成工艺。
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