公开(公告)号：KR3009180260000S

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：KR3020160053008

申请日：2016-11-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 김대정

公开(公告)号：KR3009159210000S

公开(公告)日：2017-07-24

申请号：KR3020160053420

申请日：2016-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 김대정

公开(公告)号：KR3008189080000S

公开(公告)日：2015-10-12

申请号：KR3020150004908

申请日：2015-01-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 김대정 ,  전예진

公开(公告)号：KR1020150047411A

公开(公告)日：2015-05-04

申请号：KR1020140019433

申请日：2014-02-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종배 ,  김대정 ,  박동규 ,  손성하 ,  이경태 ,  이주연 ,  조종인 ,  김성주 ,  정동현 ,  황선호 ,  안대경 ,  우상성 ,  현상민

IPC: H04R1/26 ,  H04R5/02

CPC classification number: H04R1/028 ,  H04R1/26 ,  H04R1/403 ,  H04R3/12 ,  H04R5/02 ,  H04R7/045 ,  H04R2499/11 ,  H04R2499/15 ,  H04S7/303

Abstract: 적어도하나의틈을통해제1 채널의음향중 고주파수의음향을출력하는적어도하나의제1 틈스피커, 적어도하나의틈을통해제2 채널의음향또는제1 채널의음향중 저주파수의음향을출력하는적어도하나의제2 틈스피커를포함하고, 제1 틈스피커와제2 틈스피커는각각다른수평면상에서음향이출력되는상부레이어및 하부레이어를형성하는것을특징으로하는틈 스피커장치가개시된다.

Abstract translation: 公开了一种间隙扬声器装置，其特征在于包括：通过至少一个间隙在第一通道的声音之间输出高频声音的至少一个第一间隙扬声器; 以及至少一个第二间隙扬声器，其通过至少一个间隙在第一声道的声音或第二声道的声音之间输出低频声音，其中第一间隙扬声器和第二间隙扬声器形成上层和下层，其中 在不同的水平面上输出声音。

公开(公告)号：KR3007876140000S

公开(公告)日：2015-03-10

申请号：KR3020140023108

申请日：2014-05-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 김대정 ,  우상성 ,  백지인 ,  김홍표 ,  안치영

公开(公告)号：KR3007636070000S

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：KR3020130049269

申请日：2013-09-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 김대정 ,  안대경 ,  우상성 ,  이승찬 ,  현상민

公开(公告)号：KR1020140113191A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：KR1020130028268

申请日：2013-03-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김대정 ,  김갑용 ,  이광우 ,  이헌 ,  조인호

IPC: G11C29/00 ,  G11C11/406

CPC classification number: G11C11/40618 ,  G11C11/40603 ,  G11C29/70 ,  G11C29/783 ,  G11C2211/4061

Abstract: According to the present invention, a semiconductor memory device includes: a normal memory cell block including a plurality of normal memory cells; a redundancy memory cell block including a plurality of redundancy memory cells for replacing repair memory cells of the normal memory cells; a weak cell information storage unit configured to, in response to a refresh command, store information on weak memory cells included in the normal and redundancy memory cell blocks; and a refresh control circuit configured to control memory cells corresponding to a refresh address among the normal memory cells and the redundancy memory cells to be refreshed and to control weak memory cells to be refreshed based on information on at least one weak memory cell stored in the weak cell information storage unit, wherein the weak memory cells are additionally refreshed at least once more than other memory cells by the refresh control circuit during a refresh cycle of the normal memory cells.

Abstract translation: 根据本发明，半导体存储器件包括：包括多个正常存储单元的正常存储单元块; 冗余存储单元块，包括用于替换正常存储器单元的修复存储单元的多个冗余存储单元; 弱单元信息存储单元，被配置为响应于刷新命令，存储关于包括在正常和冗余存储单元块中的弱存储单元的信息; 以及刷新控制电路，被配置为控制对应于要刷新的正常存储器单元和冗余存储单元中的刷新地址的存储单元，并且基于存储在所述存储单元中的至少一个弱存储器单元的信息来控制要刷新的弱存储器单元 弱小区信息存储单元，其中在正常存储器单元的刷新周期期间，刷新控制电路至少比其他存储器单元刷新弱存储器单元一次。

公开(公告)号：KR3006083660000S

公开(公告)日：2011-08-08

申请号：KR3020090056060

申请日：2009-12-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 김대정 ,  부민혁

公开(公告)号：KR3006052810000S

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：KR3020100034885

申请日：2010-08-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 조철용 ,  김대정 ,  유진이 ,  문지현

公开(公告)号：KR3006052770000S

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：KR3020100034883

申请日：2010-08-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 조철용 ,  김대정 ,  유진이 ,  문지현