-
公开(公告)号：KR1019980068258A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970004769
申请日：1997-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 전정식
IPC: H01L21/76
Abstract: 고집적화된 반도체 장치의 소자 분리 방법에 관해 개시한다. 발명은 반도체 기판상에 활성 영역을 정의하는 패턴을 형성하는 단계, 상기 패턴의 측벽에 패턴 두께의 2/4 내지 3/4 에 해당하는 높이로 폴리실리콘 스페이서를 형성하는 단계 및 상기 패턴 및 폴리실리콘 스페이서에 의해 노출된 반도체 기판을 산화시켜 소자 분리 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자 분리 방법을 제공한다. 발명에 따르면, 필드 산화막 형성 공정시 발생하는 계면 마찰 응력을 감소시켜 기판에 잔류 응력이 남는 것을 최소화하여 특성이 양호한 트랜지스터를 형성할 수 있으며 평탄화되고 균일한 소자 분리막을 형성할 수 있다.
Search Results
91
records
(took 0.017 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
