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公开(公告)号:KR100416792B1
公开(公告)日:2004-01-31
申请号:KR1020010016065
申请日:2001-03-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C5/14
CPC classification number: G11C5/146
Abstract: A semiconductor memory device which provides an improved operation performance in response to a relatively low external power voltage is included. The device comprises a plurality of direct-current voltage generating circuits for generating a plurality of direct-current voltages and a plurality of reference voltage generating circuits for generating reference voltages for the plurality of the direct-current voltage generating circuits, respectively.
Abstract translation: 包括响应于相对较低的外部电源电压而提供改善的操作性能的半导体存储器件。 该装置包括用于产生多个直流电压的多个直流电压产生电路和用于分别产生用于多个直流电压产生电路的参考电压的多个参考电压产生电路。
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公开(公告)号:KR1020040003339A
公开(公告)日:2004-01-13
申请号:KR1020020038009
申请日:2002-07-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C5/14
CPC classification number: G11C11/4074 , G11C5/147
Abstract: PURPOSE: A reference voltage selection circuit of a semiconductor memory device and a method thereof are provided to change an internal power supply voltage(IVC) and a high voltage(VPP) respectively by supplying a plurality of reference voltages selectively. CONSTITUTION: The first reference voltage generator(20) generates the first reference voltage in response to the supply of an external power supply voltage. The second reference voltage generator(22) generates the second reference voltage in response to the supply of the external power supply voltage. A control part(32) outputs the first and the second reference voltage switching selection signal to select a reference voltage in correspondence to a reference voltage selection signal inputted from the external. The first switch(24) supplies the first reference voltage to a high voltage generator(30) by the first reference voltage switching selection signal of the control part. And the second switch(26) supplies the second reference voltage to the high voltage generator by the second reference voltage switching selection signal of the control part.
Abstract translation: 目的:提供半导体存储器件的参考电压选择电路及其方法,以分别通过选择性地提供多个参考电压来改变内部电源电压(IVC)和高电压(VPP)。 构成:第一参考电压发生器(20)响应于外部电源电压的供应产生第一参考电压。 第二参考电压发生器(22)响应于外部电源电压的供应产生第二参考电压。 控制部分(32)输出第一和第二参考电压切换选择信号,以对应于从外部输入的参考电压选择信号选择参考电压。 第一开关(24)通过控制部分的第一参考电压切换选择信号将第一参考电压提供给高电压发生器(30)。 并且第二开关26通过控制部分的第二基准电压切换选择信号将第二参考电压提供给高电压发生器。
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公开(公告)号:KR1020030013050A
公开(公告)日:2003-02-14
申请号:KR1020010047337
申请日:2001-08-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor: 김재훈
IPC: G11C8/08
Abstract: PURPOSE: A word line enable driving circuit of semiconductor memory device is provided to be capable of reducing a word line enable time by removing a boosting margin. CONSTITUTION: A boost voltage generating circuit(300) receives an external power supply voltage and generates a high voltage(Vpp) and a boosted voltage. A row decoder(200) is supplied with the boosted voltage from the boost voltage generating circuit as a power supply voltage, and outputs a normal word line enable signal(NWE) of the boosted voltage level in response to row address signals. A row address pre-decoder(40) receives other row address signals and generates four decoded address signals(DRAij). A control signal generating circuit(30) generates a control signal(PX) and an inverted control signal(PXB) in response to output signals of the pre-decoder. A sub-word line driver(100) is connected to a word line, and enables the word line in response to the normal word line enable signal of the boosted voltage level, the control signal, and the inverted control signal.
Abstract translation: 目的:提供半导体存储器件的字线使能驱动电路,以便通过去除升压裕度来减少字线使能时间。 构成:升压电压产生电路(300)接收外部电源电压并产生高电压(Vpp)和升压电压。 一行解码器(200)被提供来自升压电压产生电路的升压电压作为电源电压,并响应于行地址信号输出升压电压电平的正常字线使能信号(NWE)。 行地址预解码器(40)接收其它行地址信号并产生四个译码地址信号(DRAij)。 控制信号发生电路(30)响应于预解码器的输出信号产生控制信号(PX)和反相控制信号(PXB)。 子字线驱动器(100)连接到字线,并且响应于升压电压电平的正常字线使能信号,控制信号和反相控制信号使能字线。
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公开(公告)号:KR1020020076073A
公开(公告)日:2002-10-09
申请号:KR1020010016065
申请日:2001-03-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C5/14
CPC classification number: G11C5/146
Abstract: PURPOSE: A semiconductor memory device and a method for generating a voltage of the same are provided to generate a high voltage by using a reference voltage for peripheral circuit. CONSTITUTION: The first reference voltage generation circuit(10) receives an external supply voltage(VEXT) and generates the first reference voltage(VREF1). The first standby internal supply voltage generation circuit(12) receives the first reference voltage(VREF1) and generates the second reference voltage(VREF2). The first standby internal supply voltage generation circuit(16) generates a standby internal supply voltage(IVCPS) for a peripheral circuit(28). The first active internal supply voltage generation circuit(18) generates an active internal supply voltage(IVCPA) for a peripheral circuit(28). The first substrate voltage generation circuit(30) generates a substrate voltage(VBB) for a peripheral circuit(28). A high voltage generation circuit generates a high voltage for a peripheral circuit(28) and a memory cell array(34). The third reference voltage generation circuit(14) generates the third reference voltage(VREF3). The second standby internal supply voltage generation circuit(20) generates a standby internal supply voltage(IVCPS) for memory cell array(34). The second active internal supply voltage generation circuit(22) generates an active internal supply voltage(IVCAA) for memory cell array(34). The second substrate voltage generation circuit(24) generates a substrate voltage(VP) for memory cell array(34). A bit line precharge voltage generation circuit(26) generates a bit line precharge voltage(VBL) the third reference voltage.
Abstract translation: 目的:提供一种用于产生其电压的半导体存储器件和方法以通过使用外围电路的参考电压来产生高电压。 构成:第一参考电压产生电路(10)接收外部电源电压(VEXT)并产生第一参考电压(VREF1)。 第一备用内部电源电压产生电路(12)接收第一参考电压(VREF1)并产生第二参考电压(VREF2)。 第一待机内部电源电压产生电路(16)产生用于外围电路(28)的备用内部电源电压(IVCPS)。 第一有源内部电源电压产生电路(18)产生用于外围电路(28)的有源内部电源电压(IVCPA)。 第一基板电压产生电路(30)产生外围电路(28)的基板电压(VBB)。 高电压产生电路为外围电路(28)和存储单元阵列(34)产生高电压。 第三参考电压产生电路(14)产生第三参考电压(VREF3)。 第二备用内部电源电压产生电路(20)产生用于存储单元阵列(34)的备用内部电源电压(IVCPS)。 第二有源内部电源电压产生电路(22)产生用于存储单元阵列(34)的有效内部电源电压(IVCAA)。 第二基板电压产生电路(24)产生用于存储单元阵列(34)的基板电压(VP)。 位线预充电电压产生电路(26)产生位线预充电电压(VBL)第三参考电压。
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公开(公告)号:KR200258813Y1
公开(公告)日:2002-08-22
申请号:KR2019980017541
申请日:1998-09-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor: 김재훈
IPC: F24F1/00
Abstract: 본 고안은, 실내공기를 각각 흡입 및 토출하는 흡입구와 토출구가 형성된 외부케이싱과, 상기 흡입구로부터 실내공기를 흡입하여 상기 토출구로 토출하는 송풍팬과, 상기 송풍팬의 상부에 배치되어 상기 외부케이싱에 결합되는 분리판과, 상기 송풍팬에 의한 공기의 유동경로상에 설치되는 히터부재와, 상기 히터부재를 상기 분리판에 고정하는 제1 및 제2 히터프레임을 갖는 공조기기용 실내기에 있어서, 상기 히터부재의 온도를 검출하는 온도센서와; 상기 온도센서를 상기 제2 히터프레임에 고정하는 온도센서브래킷과; 상기 온도센서브래킷과 상기 제2 히터프레임 사이에 개재되어 상기 히터부재로부터 누설된 전기가 상기 온도센서브래킷을 통해 상기 제2 히터프레임으로 전달되는 것을 방지하는 절연브래킷을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 온도센서브래킷 및 제2 히터프레임을 전기적으로 절연시킬 수 있다.
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公开(公告)号:KR1020020024720A
公开(公告)日:2002-04-01
申请号:KR1020000056503
申请日:2000-09-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/133
Abstract: PURPOSE: A wide field angle LCD device is provided to attach biaxial compensation films and polarizers on both sides of a liquid crystal cell, and to make polarization axes of the polarizers vertical to each other, then to make the longest axes of the biaxial compensation films vertical to each other, so as to change a linearly-polarized light into a circular polarization by the polarizers to improve an angular field as well as brightness. CONSTITUTION: Biaxial compensation films(241, 242) and polarizers(231, 232) are attached on both sides of a liquid crystal cell(210). Polarization axes of the two polarizers(231, 232) are vertical to each other. The longest axes of the biaxial compensation films(241, 242) are vertical to each other. The longest axes and the polarization axes are 45 degrees. The first biaxial compensation film(241) changes light straightly polarized by the first polarizer(231) into a circular polarization. The circular-polarized light passes through the liquid crystal cell(210), and is changed into the straight-polarized light by the second biaxial compensation film(241).
Abstract translation: 目的:提供一种宽场角LCD装置,用于在液晶单元两侧安装双轴补偿膜和偏振器,并使偏振片的偏振轴彼此垂直,从而使双轴补偿膜的最长轴 彼此垂直,以便通过偏振器将线性偏振光改变为圆偏振,以改善角度场和亮度。 构成:双轴补偿膜(241,242)和偏振器(231,232)附着在液晶单元(210)的两侧。 两个偏振器(231,232)的极化轴彼此垂直。 双轴补偿膜(241,242)的最长轴线彼此垂直。 最长轴和偏振轴为45度。 第一双轴补偿膜(241)将由第一偏振器(231)直线偏振的光改变为圆偏振。 圆偏振光通过液晶单元(210),并通过第二双轴补偿膜(241)变成直线偏振光。
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公开(公告)号:KR100308562B1
公开(公告)日:2001-10-20
申请号:KR1019980049609
申请日:1998-11-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: F24F11/00
Abstract: 본 발명은 공기조화기의 히터 구동장치에 관한 것으로, 3상 교류전원의 R상, S상, T상 전원이 각각 공급되는 제1 내지 제3히팅소자가 Y결선방식으로 결선된 히터가 구비된 공기조화기에 있어서, 공기조화기의 전체 동작을 제어하는 제어수단의 제어에 따라 동작하여 R상 전원을 제1히팅소자로 공급/차단하는 제1릴레이와, 상기 제어수단의 제어에 따라 동작하여 S상 전원을 제2히팅소자로 공급/차단하는 제2릴레이, 상기 제어수단의 제어에 따라 동작하여 T상 전원을 제3히팅소자로 공급/차단하는 제3릴레이 및, 상기 히터의 온도에 따라 동작하여 상기 제1 내지 제3릴레이의 동작을 제어하는 서모스탯부을 포함하여 구성되어, 히터로 공급되는 전원을 제어하기 용이할 뿐만 아니라 히터의 온도가 급상승하면 히터로 공급되는 전원을 자동으로 차단하여 안정� �을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号:KR100291738B1
公开(公告)日:2001-06-01
申请号:KR1019980051401
申请日:1998-11-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: F24F13/00
Abstract: 본 발명은 공기조화기의 직출,덕트 풍량절환장치에 관한 것으로, 실내공기를 순환시키는 송풍팬모터와, 상기 송풍팬모터에 의해 순환되는 공기를 공기조화기 본체가 설치된 전면으로 토출시키는 토출구와, 상기 송풍팬모터에 의해 순환되는 공기를 공기조화기 본체가 설치된 전면 이외의 다른 방향으로 토출시키는 덕트관을 구비한 공기조화기에 있어서, 상기 토출구를 통해 공기를 토출시키도록 상기 송풍팬모터의 풍량을 직출풍으로 절환시키는 직출용 컨넥터와, 상기 덕트관을 통해 공기를 토출시키도록 상기 송풍팬모터의 풍량을 덕트풍으로 절환시키는 덕트용 컨넥터와, 외부로부터 380V 3상 인입전원 또는 220V 메인교류전원이 인입되는 380V 또는 220V 전원용 컨넥터와, 상기 380V 및 220V 전원용 컨넥터에 연결되어 동작하는 마그네틱 S/W와, 상기 마그� ��틱 S/W를 통해 3상 인입전원의 R상, S상, T상 전원을 상기 직출용 컨넥터로 공급하는 직출용 과부하 계전기와, 상기 마그네틱 S/W를 통해 3상 인입전원의 R상, S상, T상 전원을 상기 덕트용 컨넥터로 공급하는 덕트용 과부하 계전기로 이루어져, 송풍팬모터를 직출 또는 덕트풍으로 절환시킬 수 있는 컨넥터, 마그네틱 S/W, 과부하 계전기를 설치하여 사용자가 원하는 풍량을 직출 또는 덕트풍으로 용이하게 절환시킬 수 있다.
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公开(公告)号:KR1020000037682A
公开(公告)日:2000-07-05
申请号:KR1019980052325
申请日:1998-12-01
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor: 김재훈
IPC: H01L27/04
Abstract: PURPOSE: A capacitor and a method for manufacturing the capacitor are provided to increase the capacitance of the capacitor by lowering the hight of the storage plug pattern and the storage cylinder pattern. CONSTITUTION: A capacitor has an inter layer insulation film pattern(4a) and an anti etching film pattern(6a) which are sequentially formed on a semiconductor substrate(1) by interposing a contact hole(12). A storage plug pattern(14p) is protruded above the anti etching film pattern(6a) while filling the contact hole(12). A storage cylinder pattern(18s) surrounds the storage plug pattern(14p). The storage cylinder pattern(18s) makes contact with a side wall of the storage plug pattern(14p). The storage cylinder pattern(18s) is cooperated with the storage plug pattern(14p) so as to form a storage electrode.
Abstract translation: 目的:提供电容器和制造电容器的方法,以通过降低存储插头图案和存储筒图案的高度来增加电容器的电容。 构成:电容器具有通过插入接触孔(12)而顺序地形成在半导体衬底(1)上的层间绝缘膜图案(4a)和抗蚀剂图案(6a)。 存储插头图案(14p)在填充接触孔(12)的同时在抗蚀剂膜图案(6a)的上方突出。 存储筒图案(18s)围绕存储插头图案(14p)。 存储筒图案(18s)与存储插头图案(14p)的侧壁接触。 存储筒图案(18s)与存储插头图案(14p)配合以形成存储电极。
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公开(公告)号:KR1020000034165A
公开(公告)日:2000-06-15
申请号:KR1019980051401
申请日:1998-11-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: F24F13/00
Abstract: PURPOSE: An apparatus for switching the wind direction of air conditioner is provided to conveniently switching the air volume of a blowing fan motor into a direct discharging mode or duct discharging mode by changing the rpm of the motor. CONSTITUTION: An apparatus for switching the air direction of air conditioner includes a direct discharging connector(102) for switching air volume of a blowing fan motor(21) to a direct discharging mode for discharging cool air out of a discharging hole directly, a duct discharging connector(104) for switching air volume of the blowing fan motor to a duct discharging mode for discharging cool air via a duct pipe, an exclusive 380V/220V connector for introducing 380V three-phase power supply or 220V main ac power supply from outside, a magnetic switch(110) connected to the 380V/220V connector to be energized, a direct discharging overload relay(114) for supplying R,S and T-phase power supply to the direct discharging connector via the magnetic switch, and a duct discharging overload relay(116) for supplying the R,S and T-phase power supply to the duct discharging connector.
Abstract translation: 目的:提供一种用于切换空调的风向的装置,以便通过改变电动机的转速来方便地将鼓风风扇电动机的风量转换为直接排放模式或管道排放模式。 一种用于切换空气调节器的空气方向的装置包括一个直接排放连接器(102),用于将吹风扇电动机(21)的风量切换到用于将冷空气直接排出排出孔的直接排放模式;管道 用于将吹风风扇电动机的风量切换到通过管道排出冷气的管道排出模式的排出连接器(104),用于从外部引入380V三相电源或220V主交流电源的专用380V / 220V连接器 连接到要被通电的380V / 220V连接器的磁性开关(110),用于经由磁性开关将R,S和T相电源提供给直接放电连接器的直接放电过载继电器(114) 放电过载继电器(116),用于将R,S和T相电源提供给管道排放连接器。
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