公开(公告)号：KR1019940015600A

公开(公告)日：1994-07-21

申请号：KR1019920024463

申请日：1992-12-16

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장동훈 ,  이중기 ,  박경현 ,  김홍만

IPC: H01L33/00

Abstract: 본 발명은 광통신을 위한 광변조기의 집적 광원 및 그 제조방법에 관한 것으로, 두개의 격리된 다중양자우물구조 (Multi-Quantum-Well : MQW)층을 형성하고, 한개의 다중양자 우물구조층에 실리콘이온을 주입한 후, 열처리등의 공정을 통하여 양자우물구조의 무질서화를 통하여 양자우물구조가 본재 지니고 있던 광흡수 특성을 변화시켜 한번의 결정 성장으로 단일모드 반도체 레이저의 활성층과 광변조기의 광흡수 다중양자우물구조층을 분리시킨다.

公开(公告)号：KR100327106B1

公开(公告)日：2002-05-10

申请号：KR1019970064107

申请日：1997-11-28

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이상환 ,  송민규 ,  김홍만 ,  주관종 ,  박기성

IPC: H01S5/10

Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser module is provided to reduce manufacturing costs and the degree of difficulty needed for a package process by simplifying and miniaturizing an optical couple structure of a semiconductor laser and a monitor photo diode. CONSTITUTION: A semiconductor laser(1) is mounted by an active alignment manner, and a driver circuit drives the semiconductor laser. An optical system transfers an optical signal from the semiconductor laser. A monitor photo diode(2) is provided at a rear part of the semiconductor laser diode. A reflection body is disposed at a rear part of the semiconductor laser so as to be spaced apart from each other, and reflects an optical output from a wave guide(9a) of the semiconductor laser to transfer the reflected signal to the monitor photo diode.

公开(公告)号：KR100277698B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019970050791

申请日：1997-10-01

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김덕봉 ,  오광룡 ,  김홍만 ,  박찬용

IPC: G02B5/20

Abstract: 1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
광소자 제조 분야에 관한 것임.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
도파로의 TE/TM 편광의존성을 제거할 수 있는 격자도움 수직결합형 반도체 광필터를 제공하고자 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
도파로 상에 TE모드에 해당하는 격자주기와 TM모드에 해당하는 격자주기를 동시에 설치하되 공간적으로 분리하고, 각각의 격자가 존재하는 도파로에 전류 주입의 방법 또는 전기장 효과에 의해 독립적인 파장 가변이 가능케 함으로써 도파로의 TE/TM 편광의존성을 제거한다.
4. 발명의 중요한 용도
광소자에 이용됨.

公开(公告)号：KR100275488B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019980016539

申请日：1998-05-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이승원 ,  김명규 ,  박찬용 ,  오대곤 ,  김홍만

IPC: G02B6/02

Abstract: PURPOSE: A very high speed optical modulator, a manufacturing method thereof and optical modulating method using the same are provided to prevent crystal defects and thus degradation of device through regrowth process by providing passive optical waveguide integrated optical modulator without regrowth process. CONSTITUTION: A very high speed optical modulator comprises a first clad layer on a semiconductor substrate, a multi quantum well structured optical absorption layer(11A) on a center portion of the first clad layer, a passive optical waveguide(11B) on the first clad layer and on opposite sides of the optical absorption layer, a second clad layer(13) on the optical absorption layer and passive optical waveguide, an insulating layer(14) on an interface of the optical absorption layer and passive optical waveguide, an electrode for applying voltage on the optical absorption layer and passive optical waveguide, and an anti-reflection layer adjacent to the first clad layer, passive optical waveguide and second clad layer. The optical absorption layer and passive optical waveguide are of same multi quantum well structured semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供一种非常高速的光调制器及其制造方法和使用该光调制方法的光调制方法，通过提供无再生长过程的无源光波导集成光调制器来防止晶体缺陷，从而通过再生长过程降低器件的劣化。 构成：非常高速的光调制器包括半导体衬底上的第一覆盖层，在第一覆层的中心部分上的多量子阱结构的光吸收层（11A），第一覆层上的无源光波导（11B） 层和光吸收层的相对侧，光吸收层和无源光波导上的第二包层（13），光吸收层和无源光波导的界面上的绝缘层（14），用于 在光吸收层和无源光波导上施加电压，以及与第一包层相邻的抗反射层，无源光波导和第二包层。 光吸收层和无源光波导具有相同的多量子阱结构的半导体层。

公开(公告)号：KR100226445B1

公开(公告)日：1999-10-15

申请号：KR1019960064708

申请日：1996-12-12

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 문종태 ,  이상환 ,  주관종 ,  송민규 ,  김홍만

IPC: H01S3/101

Abstract: 본 발명은 레이저 다이오드를 실리콘 기판에 플리칩 접합하여 수동 정렬용 광통신용 서브모듈을 제조시 레이저 다이오드의 접합 정밀도를 증대시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일면에 따른, 레이저 다이오드의 접합 정밀도 증대방법은, 레이저 다이오드(3)를 브이홈(1)이 구비된 실리콘 기판(6)위에 접합시, 상기한 레이저 다이오드(3)의 일면 중앙부에 실리콘 기판(6)과의 표면 경도값의 차이가 상대적으로 큰 부드러운 솔더 스탠드 오프(5)를 형성하고 실리콘 기판(6)과 플리칩 접합하여, 접합 압력에 의해 발생하는 미소 어긋남을 상기한 스탠드 오프(5)의 두께감소를 통하여 흡수 및 소멸시키도록 하는 것을 특징으로 하며, 본 발명의 또 다른 일면에 따른, 레이저 다이오드의 접합 정밀도 증대방법은, 레이저 다이오드(13)를 브이홈(11)이 구비된 실리콘 기판(16)위에 접합시, 상기한 레이저 다이오드(13)의 일면 중앙부에 높은 열전도율을 지닌 골드 스탠드 오프(15)를 형성하고, 실리콘 기판(16)의 브이홈(11a)의 말단부에 솔더 � �착용 브이홈(11a)을 추가로 형성한 다음, 상기한 솔더 증착용 브이홈(11a) 내에 실리콘 기판(16)과의 표면 경도값의 차이가 상대적으로 큰 부드러운 솔더(20)를 열중착하여, 상가한 실리콘 기판(16)과의 플리칩 접합시, 접합 압력에 의해 발생하는 미소 어긋남을 상기한 솔더 증착용 브이홈(11a) 내의 솔더(20)가 흡수 및 완충시키도록 하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 플리칩 접합 후에도 초기 정렬이 정확히 유지되는 효과를 가질 수 있을 뿐만 아니라, 레이저 다이오드의 작동시 발생하는 열을 스탠드 오프와 솔더 주위로 빠르게 전도 및 소멸시킴으로써, 레이저 다이오드 소자의 신뢰성도 증가시킬 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100216528B1

公开(公告)日：1999-08-16

申请号：KR1019960066279

申请日：1996-12-16

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박찬용 ,  이승원 ,  김덕봉 ,  오광룡 ,  김홍만

IPC: H01L33/00

Abstract: 본 발명은 초격자(superlattice) 도파로 구조를 갖는 파장가변 반도체 광여과기에 관한 것으로, 특히 파장분할 다중 방식(Wavelength Division Multiplexing: 이하, 'WDM'이라 한다)의 광통신에 사용되는 파장선택성을 갖는 광여과기(Optical Tunable Filter)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 광여과기는, n형 InP 기판(1)과, 그 위에 두께 0.5∼1㎛로 적층된 n형 InP 성장완충층(2)과, 그 위에 InGaAsP 장벽층(3a)과 InGaAsP 우물층(3b)이 교대로 적층 형성된 InGaAsP/InGaAsP 초격자구조의 제 1 광도파로층(3)과, 그 위에 두께 0.5∼1.5㎛로 적층된 n형 또는 p형 InP층(4)과, 그 위에 두께 0.05∼0.2㎛로 적층되고 10∼20㎛의 주기를 갖도록 공간적으로 제한된 n형 또는 p형 InGaAsP 회절격자층(5)과, 그 위에 두께 0.1∼1.0㎛로 적층된 n형 또는 p형 InP층(6)과, 그 위에 두께 0.2∼3㎛로 적층되고 1∼5㎛의 폭과 3∼10㎜의 길이를 갖도록 공간적으로 제한된 p형 InGaAsP 제 2 광도파로층(7)과, 그 위에 두께 1∼3㎛로 적충된 p형 InP 클래드층(8)과, 그 위에 두께 0.05∼0.3㎛로 적충된 p형 InGaAsP 오믹 접촉층(9)으로 구성된 웨이퍼 상에, 상기한 제 2 광도파로층(7)보다 1∼10㎛ 더 넓은 창폭을 갖도록 적층된 실리콘 나이트라이드(SINx) 또는 이산화 규소(SiO
2 )와 같은 유전체층(10)과, 그 위에 적층된 p형 전극금속층(11) 및 상기한 기판(1) 아래에 형성된 n형 전극금속층(12)으로 이루어진다.

公开(公告)号：KR100216524B1

公开(公告)日：1999-08-16

申请号：KR1019960061996

申请日：1996-12-05

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박찬용 ,  김홍만

IPC: H01L31/12

Abstract: 본 발명을 10 Gps (Giga bit per second) 이상의 초고속 광통신에서도 사용 할 수 있고 간단한 구조를 가지며 제조방법이 매우 쉬운 애벌런치 포토다이오드 및 제조방법에 관한 것이다. 그 목적은 가장자리 항복을 막고 증폭층 폭을 0.3 ㎛ 이하의 두께로 줄여 이득×대역폭 곱을 80 ㎓ 이상으로 증가시키는 데에 있다. 그 구성은 기판과, 상기 기판 위에 적층된 버퍼층과, 상기 버퍼층 위에 적층된 도핑하지 않은 광흡수층과, 상기 광흡수층 위에 한 층 또는 여러 층으로 적층된 그레이딩층과, 상기 그레이딩층 위에 적층된 전기장 완충층과, 상기 전기장 완충층 위에 적층된 도핑하지 않은 증폭층과, 상기 증폭층의 상단 일부에 증폭층이 되도록 형성되고 가장자리 부분은 상기 증폭층의 폭이 중앙보다 크도록 하여 상층부에서부터의 깊이가 작게 형성된 확산층과, 상기 확산층 주위로 링 형태를 가지며 상기 확산층의 중앙부와 동일한 깊이를 갖도록 형성된 가드링과, 상기 가드링 위에 형성된 p-금속전극 및 기판쪽에 형성된 n-금속전극으로 되어 있다.

公开(公告)号：KR1019990052190A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970071639

申请日：1997-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김정수 ,  박기성 ,  김홍만

IPC: H01L21/20

Abstract: 광 송신용 평면 매립형 반도체 레이저 다이오드와 광 수신용 광검출기를 수직 방향으로 집적한 구조의 반도체 소자를 제조함에 있어서, 집적된 구조의 아랫 부분에 제작되는 레이저 다이오드의 에피를 평탄화 하여 광검출기용 에피가 평탄화된 레이저 다이오드위에 성장되게 하여 비평면 구조위에 성장될 때의 성장 특성 변화를 제거함으로써 고품질의 에피 특성을 얻으며, 나아가 고 품질의 광수광소자를 구현하는 반도체 소자의 평탄화 방법이 개시된다. 본 발명은 매립형 레이저 다이오드의 제작과정에서 발생하는 전류 차단층 표면의 요철을 제거하는 방법으로, 상기한 반도체 레이저 다이오드의 제작 과정에서 전류 차단층의 에피를 성장 한 후 요철을 포함하는 부분을 건식 식각으로 식각하여 요철의 높이보다 큰 단차를 형성하고 경사면에서의 성장 속도가 수평면인 (100)면에 비해 빨라지는 온도에서 이원조성 화합물 반도체를 성장 함으로써 단차에서부터 옆으로 진행하는 에피 성장이 단차의 골짜기 부분을 메우도록 함으로써 평탄화 된 기판을 얻는다.

公开(公告)号：KR1019990043106A

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019970064092

申请日：1997-11-28

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박기성 ,  김홍만

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 각각 다른 파장의 송신 및 수신용 빛을 사용하여 한 가닥의 광섬유를 통하여 동시에 신호를 전송하는 파장 분할 다중화 양방향 광통신에 있어서, 별도의 광도파로 형태의 파장 분할 다중화 소자 없이 짧은 파장의 빛을 내는 광송신용 반도체 레이저와 긴 파장의 빛을 받는 광수신용 광검출기 소자를 동일한 반도체 기판 위에 수직 집적시켜 반도체 레이저의 활성층과 광검출기의 광흡수층을 매우 근접하여 위치시키므로써 동일한 광섬유와의 광결합이 상기 두 가지 소자에 대하여 모두 용이하게 이루어지도록 하는 한편, 적층된 반도체 레이저와 광검출기의 p형 반도체층은 동일한 층을 서로 공유하여 수직으로 NPN 구조를 이루도록 하며 이때 반도체 레이저 및 광검출기 소자가 공통으로 사용하는 p형 반도체층과 상부에 위치한 광검출기의 N형 반도체층은 반도체 레이저에서 나오는 짧은 파장의 송신용 빛은 흡수하고 광검출기에 흡수되는 긴 파장의 수신용 빛은 통과시키는 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 구성하여 파장 분할 필터 역할을 하도록 하는 파장 분할 다중화 소자의 구조 및 제조 공정에 관한것이다. 따라서 이와 같이 단일칩 집적에 의한 반도체 레이저와 광검출기가 집적된 파장 분할 다중화 소자를 사용하므로써 파장 분할 양방향 광통신용 모듈의 제작시 광부품 수 저감 및 광패키징 공정 간략화에 따른 모듈의 소형화, 제작 원가 절감 및 특성 개선 등의 효과를 거둘 수 있다.

公开(公告)号：KR100198464B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960055704

申请日：1996-11-20

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오광룡 ,  박찬용 ,  김홍만 ,  정영철 ,  문성욱

IPC: G02B6/24

Abstract: 본 발명은 광도파로 격자 라우터(WGR:Waveguide Grating Router)는 차세대의 WDM(Wavelength Division Multiplexing) 전광네트웍(All-Optical Network)을 실현하는데 있어서 핵심부품인 다중모드 간섭형 NxN 광도파로 격자 라우터에 관한 것으로서, 종래의 WGR은 방사형 성형결합기(Radiative Star Coupler)와 광도파로열을 집적하여 구현하고 있으며, 성형결합기의 방사에 의하여 약 3-4dB의 잉여 삽입 손실(chip 내부)이 필연적으로 발생했던 문제점을 해결하기 위해, 본 발명에서는 방사형 성형결합기를 다중모드 간섭형(MMI:Multimode Interference) 성형결합기로 대체함으로서 MMI 성형결합기의 저손실성을 WGR의 설계에 반영하여 고성능의 새로운 구조의 NxN WGR을 제안하였다. 파장 채널 간격이 주어지고 입력도파로 i로 빛이 입사할 때 출력도파로에 적절한 채널 파장이 할당되도록 광도파로열에 사용될 도파로의 경로차를 찾아낸다. 그러면 입력도파로 i 이외의 입력단으로 입사되는 광파는 출력단에서 N개의 같은 채널파장들이 다른 출력단으로 할당됨을 전산모사를 통하여 확인한 것이다. 즉, NxN MMI WGR에서 찾아낸 광도파로열의 도파로 경로차를 적용한 8x8 WGR은 BPM(Beam Propagation Method)를 이용한 전산 모사 결과 현재 파장 분할 방식의 표준화 움직임이 있는 1.6㎚(200GHz) 파장 채널 간격에서 0.4 dB이하의 잉여손실과 -25dB이하의 누화를 갖을 수 있는 것이다.