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公开(公告)号：KR100241342B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970039416
申请日：1997-08-19
IPC: H01L31/0232
CPC classification number: G02B6/12002 , G02B6/12007 , G02B2006/12107 , G02B2006/12147
Abstract: 본 발명은 파장 선택 가변 반도체 광필터에서 선택영역 성장법을 적용하여 도파로 사이의 광결합 효율을 가중화함으로써 광필터의 특성을 저해하는 사이드로브(sidelobe)가 제어된 광필터와 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 선택영역 성장법에 있어서 성장이 이루어지지 않는 유전체 박막 마스크의 폭을 조절함으로써 성장층의 두께를 선택적으로 조절할 수 있고, 이 현상을 두 도파로 사이의 거리 조절에 활용함으로써 파장 선택 가변 반도체 광필터의 두 도파로 사이의 거리를 조절할 수 있으며, 따라서 두 도파로 사이의 광결합효율을 공간적으로 바꿀 수 있게 된다. 두 도파로 사이의 거리가 삼각함수의 한 주기에 해당되도록 임의로 조절한다면 사이드로브 특성이 크게 향상되기 때문에 본 발명을 적용하면 특성이 매우 우수한 반도체 광필터를 제작할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100241326B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019950041335
申请日：1995-11-14
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 고출력 반도체 레이저에서의 활성층 구조에 관한 것으로서, 종래 기술의 InGaAs 다중 양자우물 구조에서는 광출력 특성이 좋지 않았던 문제점을 해결하기 위해 (InAs)
m (GaAs)
m 단주기 초격자 박막구조를 활성층의 양자우물로 사용한 활성층을 제공함으로써 내부 스트레인이 종래의 방법에 비해 수 %로 매우 크며 초격자 박막의 구조적 특성으로부터 소자의 광학적 특성, 특히 고출력 특성이 향상될 수가 있는 것이다.-
公开(公告)号：KR100228396B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019960069824
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/026
Abstract: 본 발명에서 제안한 광변조기 집적 단일파장 레이저 소자의 제작에 있어서 레이저 부분과 광변조소자 부분을 전기적으로 격리시킬 영역을 형성할 때 식각용액의 종류에 대해서 식각 선택성이 있는 초박막의 InGaAsP층을 성장하여 최적 구조의 격리구조를 형성하면 소광비를 크게하고 광손실을 줄이며 선폭확대계수를 최소로 조절할수 있는 광변조 집적소자를 제작 가능하게되어 우수한 특성을 갖는 파장 다중화 광통신용 광원의 제작방법에 관한 내용이다.
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公开(公告)号：KR100228395B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019960069761
申请日：1996-12-21
IPC: H01S5/12
Abstract: 본 발명은 초고속 장거리 광통신의 광원으로서 기존의 굴절률 결합형에 이득 결합을 추가한 복소 결합형 분포 궤환형 반도체 레이저에 있어서 이득 결합의 분율을 증가시키기 위하여 광 흡수와 전류 차단의 이중효과가 있는 반절연 인듐갈륨비소를 회절격자로 사용하므로써 레이저의 광 특성을 증대시키는 것이다. 발명의 구성은 단일 모드 광원용 분포 궤환형 반도체 레이저에 있어서 반절연 인듐갈륨비소를 회절격자로 사용하는 것과 이 회절격자를 n형 인듐인 기판 사용시 n형 인듐인 버퍼층에 삽입시키므로써 본 회절격자가 p형 반도체와 접합시 야기될 수 있는 정공 주입효과를 배제 시키는 방법, 그리고 회절격자 두께의 자유로운 조절을 위하여, p형 인듐인 기판 사용시 공정상의 제한을 가지지 않도록 활성층 윗쪽에 본 회절격자를 위치시키는 소자 설계 등을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1019990050455A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970069574
申请日：1997-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 분포궤환 레이저 (DFB laser)와 전계 흡수형 (electro-absorption) 광변조기의 집적화소자를 제작함에 있어서 응력이 가해진 다중양자우물구조의 버트커플링 (Butt-coupling) 결정성장시 발생하는 결정결함을 제거하기 위하여, 결정결함이 발생된 부분을 반응성 이온 식각 혹은 습식식각으로 제거하고 반절연 InGaAsP 도파로층 및 InP 클래드(clad)층의 성장을 통하여 결정결함을 제거함으로써 소자의 신뢰성과 광결합 특성을 높이는 제조 방법 및 그 방법으로 제작된 광변조기 집적소자에 관한 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990042429A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970063249
申请日：1997-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 반도체 레이저와 광 변조기를 집적한 구조에 있어서, 반도체 레이저에서 발생한 광이 광 변조기를 통과한 후 광 변조기의 출력 단면에서 반사하여 광변조기를 거친 다음 반도체 레이저로 재 입사함으로 인하여 반도체 레이저에서 출력되는 광의 특성을 교란하는 현상을 방지하는 반도체 레이저와 광 변조기의 집적 구조가 개시된다. 본 발명은 반도체 레이저와 광 변조기 사이에, 2x2 광커플러를 설치하고, 반도체 레이저의 출력부를 2x2 광커플러의 입력부 중 한 개와 연결하고, 광변조기를 2x2 광커플러의 출력부 두곳에 설치하여 각각이 2x2 광커플러와 연결되게 함으로써, 광변조기 단면에서 발생한 광이 반도체 레이저에 재입사되는 현상을 방지하여 반도체 레이저의 특성 교란 현상을 방지한다. 이와 같이, 광 변조기에서 발생하는 광의 반사에 의한 반도체 레이저와 광 변조기의 집적 구조의 특성 악화를 방지 할 수 있어, 광변조기 단면에 설치하여야 하는 매우 정밀한 공정을 필요로 하는 무반사막 형성 공정을 생략 혹은 그 조건을 크게 완화시킬 수 있다. 그 결과, 제작 원가 절감, 대량 생산성 향상 및 특성 개선등의 효과를 거둘 수 있다.
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公开(公告)号：KR100175444B1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：KR1019950052686
申请日：1995-12-20
IPC: H01L21/312
Abstract: 본 발명은 반도체웨이퍼상에 깊이가 수 내지 수백 미크론에 이르는 깊은 홈이나 분지 형태의 패턴이 있을 경우에 스핀코팅에 의한 균일한 포토레지스트의 도포가 어려운 문제점을 해소하는데 그 목적이 있는 것으로, 깊은 홈이나 분지를 형성하기 위한 식각 패턴을 형성한 단계에서 식각패턴 위에 내부식성 물질로 이루어진 다리 형태의 뚜껑을 먼저 형성시키고 다리 측면과 상판에 형성된 적은 틈새를 통하여 깊은 홈이라 분지를 에칭하여, 에칭 이후에 다리가 홈이나 분지를 덮고 있게 함으로써 깊은 홈이나 분지로 인한 포토레지스트의 도포 작업시 포토레지스트의 불균일한 도포와 가장자리에서의 벗겨짐 현상 등을 제거하는 이점이 있다.
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公开(公告)号：KR1019990017960A
公开(公告)日：1999-03-15
申请号：KR1019970041044
申请日：1997-08-26
Abstract: 본 발명은 격자의 방향을 도파로의 방향과 어긋나게 하여 두 도파로 사이의 광결합 효율을 가중화함으로써 광필터의 특성을 저해하는 사이드로브를 제어하는 격자도움 수직결합형 파장가변 광필터에 관한 것이다. 본 발명에 의한 격자도움 수직결합형 파장가변 광필터는 두 도파로와 격자층을 갖는데 두 도파로 사이의 광결합은 격자층에서 발생하며, 따라서 격자가 두 도파로 사이의 평면적 공간상으로 중앙에 위치하지 않고 옆으로 빗나간 상태가 될 경우 두 도파로 사이의 광결합효율이 감소하게 되는 원리를 이용하여 광결합효율을 공간적으로 제어할 수 있고 사이드로브 특성이 크게 향상되기 때문에 본 발명을 적용하면 특성이 매우 우수한 반도체 광필터를 제작할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980050914A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069762
申请日：1996-12-21
IPC: G02B6/42
Abstract: 본 발명은 플립칩 본딩(Flip chip bonding)과 실리콘 V-홈을 이용한 광소자와 광섬유와의 광결합 장치에 있어서, 종래의 수동 정렬 방식에서 발생하는 정렬 오차에 따른 광결합 효율의 감소를 해결하고 최적의 광결합 효율을 얻기 위하여 광섬유가 위치하는 넓은 V-홈과 이 V-홈 내에 두 개의 광섬유 고정축을 두고 별도의 V-홈이 파진 실리콘 덮개로 두 고정축 사이의 소정의 위치에서 광섬유를 눌러 광섬유에 미소한 휨, 즉 마이크로 벤딩(micro-bending)을 유도하고 이로써 광섬유 끝단의 위치를 실리콘 덮개의 위치에 따라 조절하므로써 광소자와 광섬유와의 광결합 효율이 최대가 되는 위치를 찾아 광섬유를 고정시키는 광결합 장치를 제공한다.
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