公开(公告)号：JP2017151483A

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：JP2017112272

申请日：2017-06-07

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 笑喜 勉 ,  淺川 竜男 ,  浜本 和宏

IPC: G03F1/60 ,  G03F7/20 ,  G03F1/38 ,  G03F1/24

Abstract: 【課題】 導電膜にタンタルを含有する材料を用いた反射型マスクブランク及び反射型マスクにおいて、導電膜の膜応力が時間の経過とともに圧縮応力の傾向が強くなるという問題を解決するための、反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。 【解決手段】 ガラス基板上に、EUV光を反射する多層反射膜が形成され、さらに前記多層反射膜が設けられた面に対して、反対側の面に導電膜が形成されたEUVリソグラフィー用多層反射膜付き基板であって、前記導電膜が、タンタルを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなり、前記ガラス基板と前記導電膜との間に前記ガラス基板から前記導電膜へ水素が侵入することを抑制する水素侵入抑制膜を備えることを特徴とする、EUVリソグラフィー用多層反射膜付き基板である。 【選択図】 図1

公开(公告)号：JP6111243B2

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：JP2014507762

申请日：2013-03-21

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 笑喜 勉 ,  浜本 和宏

IPC: G03F1/24

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/42 ,  G03F1/80

公开(公告)号：JP6091136B2

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：JP2012218562

申请日：2012-09-28

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 折原 敏彦 ,  河原 明宏 ,  笑喜 勉

IPC: G03F1/60 ,  G03F7/20 ,  G03F1/24 ,  G03F1/38

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/38 ,  G03F1/60

公开(公告)号：JP2016072438A

公开(公告)日：2016-05-09

申请号：JP2014200628

申请日：2014-09-30

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 池邊 洋平 ,  笑喜 勉 ,  尾上 貴弘

IPC: G03F1/24 ,  H01L21/027

Abstract: 【課題】膜全体として洗浄耐性や加工性に優れ、且つ、EUV光の位相をシフトさせる薄膜の位相シフト膜を有する反射型マスクブランクを提供する。 【解決手段】反射型マスクブランクの位相シフト膜15は、一つ又は複数の第1の層15aと一つ又は複数の第2の層15bを含む多層膜からなる。第1の層15aは、波長13.5nmにおける屈折率nが0.95以下の金属材料から選択された金属材料(Ta又はCr等)を含む。第2の層15bは、波長13.5nmにおける屈折率nが0.95以下の金属材料のうち、第1の層15aとは異なる金属材料から選択された金属材料(Mo、Ru、Pt、Pd、Ag及びAu等)を含む。第1の層15aと第2の層15bとの界面およびその近傍には、第1の層15a一層と第2の層15b一層の合計膜厚に対して25%以上の割合で、金属拡散領域R1が形成されている。 【選択図】図2

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有薄膜相移膜的反射掩模坯料，作为整体膜具有优异的耐洗涤性和使EUV光的相位移动。解决方案：反射掩模板的相移膜15 由包括一个或多个第一层15a和一个或多个第二层15b的多层膜组成。 第一层15a包含在13.5nm波长处选择折射率n为0.95以下的金属材料的金属材料（Ta，Cr等）。 第二层15b包含选自折射率n在0.95nm以下的金属材料的金属材料（Mo，Ru，Pt，Pd，Ag，Au等），其波长为13.5nm，与 第一层15a。 在第一层15a和第二层15b的界面附近，对于一个第一层15a和一个第二层15b的总厚度，以25％以上的比例形成金属扩散区域R1。 ：图2

公开(公告)号：JP5826887B2

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：JP2014093018

申请日：2014-04-28

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 浜本 和宏 ,  折原 敏彦 ,  小坂井 弘文 ,  臼井 洋一 ,  笑喜 勉 ,  堀川 順一

IPC: G03F1/60 ,  G03F1/20

CPC classification number: G03F1/50 ,  G03F1/22 ,  G03F1/60

公开(公告)号：JP5826886B2

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：JP2014093017

申请日：2014-04-28

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 折原 敏彦 ,  浜本 和宏 ,  小坂井 弘文 ,  臼井 洋一 ,  笑喜 勉 ,  堀川 順一

IPC: G03F1/84 ,  G03F1/24 ,  C03C15/02 ,  C03C19/00 ,  C03C17/34 ,  G03F1/60

CPC classification number: G03F1/48 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/3435 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3636 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3665 ,  C03C23/0075 ,  C03C3/06 ,  G02B5/08 ,  G02B5/0816 ,  G02B5/0891 ,  G03F1/22 ,  G03F7/16 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/70733 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085 ,  C03C2201/42 ,  C03C2218/33

公开(公告)号：JP2015122468A

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：JP2013266982

申请日：2013-12-25

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 池邊 洋平 ,  尾上 貴弘 ,  笑喜 勉

IPC: G03F1/24 ,  C23C14/06 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/26 ,  G03F1/38 ,  G03F1/48 ,  G03F7/2004 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/185

Abstract: 【課題】EUV露光機の露光光源が高パワー化した場合においても、保護膜とこれに隣接する位相シフト膜パターンの材料との間で、熱拡散による相互拡散によってEUV光に対する反射率が変動してしまうことを抑止することができる反射型マスクブランク及びこれによって作製される反射型マスクの提供、並びに半導体装置の製造方法の提供。 【解決手段】基板12上に多層反射膜13と、保護膜14と、EUV光の位相をシフトさせる位相シフト膜16がこの順に形成された反射型マスクブランクであって、保護膜14はルテニウムを主成分として含む材料からなり、位相シフト膜16はタンタルを含むタンタル系材料層を有し、保護膜14の表面上又は保護膜14の一部として位相シフト層16と接する側に、位相シフト膜16との相互拡散を抑止するルテニウムと酸素とを含む拡散防止層15を形成することにより、保護膜14と位相シフト膜パターンの材料との間での熱拡散を抑止する。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种反射掩模板，其能够防止相对于EUV光的反射率由于在曝光的情况下由保护膜和与其相邻的相移膜图案的材料之间的热扩散引起的相互扩散而变化 EUV曝光机的光源变为高功率，由其制造的反射掩模和半导体器件的制造方法。解决方案：在反射掩模坯料中，多层反射膜13，保护膜14和相移膜16 依次在基板12上形成偏移EUV光的相位。 保护膜14由含有钌作为主要成分的材料形成，并且相移膜16包括含有钽的钽基材料层。 在保护膜14的表面上或与作为保护膜14的一部分的相移层16接触的一侧，形成含有钌和氧的防扩散层15，以防止与相移膜16的相互扩散 因此，防止了保护膜14与相移膜图案的材料之间的热扩散。

公开(公告)号：JP5712336B2

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：JP2014539933

申请日：2013-12-27

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 浜本 和宏 ,  折原 敏彦 ,  笑喜 勉 ,  堀川 順一

IPC: G03F1/24 ,  C03C17/40 ,  G03F1/60

CPC classification number: G03F1/60 ,  G03F1/24 ,  G03F1/80 ,  G03F7/20