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公开(公告)号：JPWO2016204051A1
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：JP2017525171
申请日：2016-06-08
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: パターン転写の際の反射型マスクの位置ずれを防止することができる反射型マスクを製造するための導電膜付き基板を得る。リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板の主表面上の一方の表面に、導電膜が形成された導電膜付き基板であって、前記導電膜表面の静摩擦係数が0.25以上であることを特徴とする導電膜付き基板である。
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公开(公告)号：JP2017151483A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：JP2017112272
申请日：2017-06-07
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 【課題】 導電膜にタンタルを含有する材料を用いた反射型マスクブランク及び反射型マスクにおいて、導電膜の膜応力が時間の経過とともに圧縮応力の傾向が強くなるという問題を解決するための、反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。 【解決手段】 ガラス基板上に、EUV光を反射する多層反射膜が形成され、さらに前記多層反射膜が設けられた面に対して、反対側の面に導電膜が形成されたEUVリソグラフィー用多層反射膜付き基板であって、前記導電膜が、タンタルを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなり、前記ガラス基板と前記導電膜との間に前記ガラス基板から前記導電膜へ水素が侵入することを抑制する水素侵入抑制膜を備えることを特徴とする、EUVリソグラフィー用多層反射膜付き基板である。 【選択図】 図1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2016063020A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014188680
申请日：2014-09-17
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 【課題】電子線によるマスク欠陥検査時のチャージアップを防止するとともに、平滑性の高い多層反射膜を持つ低欠陥な反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。 【解決手段】基板上に導電性下地膜と、露光光を反射する多層反射膜と、露光光を吸収する吸収体膜が積層されたEUVリソグラフィ用の反射型マスクブランクであって、前記導電性下地膜は、前記多層反射膜と隣接して設けられ、膜厚が1nm以上10nm以下のルテニウム系材料からなる反射型マスクブランク、及びそのマスクブランクを用いた反射型マスクとする。又、その反射型マスクを用い半導体装置を製造する。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供低缺陷的反射掩模坯料和反射掩模，并且具有高平滑度的多层反射膜，并且可以防止通过电子束检查掩模缺陷中的电荷。 ：用于EUV光刻的反射掩模板通过在基板上层叠基板上的导电基膜，反射曝光的多层反射膜和吸收曝光光的吸收膜来布置。 导电性基底膜与多层反射膜相邻地设置，由膜厚为1〜10nm的钌系材料构成。 通过使用面罩坯料布置反光罩。 制造具有反射罩的半导体器件。选择图：图1
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公开(公告)号：JP2021015295A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：JP2020182324
申请日：2020-10-30
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 【課題】 パターン転写の際の反射型マスクの位置ずれを防止することができる反射型マスクを製造するための導電膜付き基板を得る。 【解決手段】 リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板の主表面上の一方の表面に、導電膜が形成された導電膜付き基板であって、前記導電膜表面の静摩擦係数が0.25以上であることを特徴とする導電膜付き基板である。 【選択図】図2
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8.发明专利EUVリソグラフィー用多層反射膜付き基板の製造方法及びEUVリソグラフィー用反射型マスクブランクの製造方法、EUVリソグラフィー用反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 有权用于产生EUV光刻多层反射膜包衣制剂和EUV光刻反射型掩模基板，所述EUV光刻反射型掩模的制造方法，以及一种制造半导体器件的方法的方法
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公开(公告)号：JP2016126319A
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：JP2015180419
申请日：2015-09-14
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 【課題】電子線によるマスク欠陥検査時のチャージアップを防止するとともに、平滑性の高い多層反射膜を持つ低欠陥なEUV用反射型マスクブランク、及び反射型マスクとその製造方法を提供する。 【解決手段】基板1上に導電性下地膜4と、露光光を反射する多層反射膜5と、露光光を吸収する吸収体膜7が積層され、導電性下地膜4は、多層反射膜5と隣接して設けられた膜厚が1nm以上10nm以下のタンタル系材料の単層膜、あるいは多層反射膜5と隣接して設けられた膜厚が1nm以上10nm以下のタンタル系材料層と該タンタル系材料層と前記基板との間に設けられた導電性材料層とを含む積層膜からなる。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于通过电子束检查掩模缺陷时防止充电的小缺陷的EUV的反射型掩模板，并且具有高度平滑的多层反射膜，以及反射型掩模和生产方法 相同。解决方案：导电基膜4，反射曝光的多层反射膜5和吸收曝光光的吸收体膜7层叠在基板1上。导电性基膜4由单层膜 或者与多层反射膜5相邻设置的厚度不小于1nm且不大于10nm的钽材料，或包括厚度不小于1nm且不大于10的钽材料层的层压膜 设置在多层反射膜5附近的导电材料层和设置在钽材料层和基板之间的导电材料层。 G：图1
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公开(公告)号：JP2015156494A
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：JP2015052133
申请日：2015-03-16
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/24 , G03F1/84 , G03F7/20 , C23C14/06 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/24 , G03F1/84 , G03F7/2004
Abstract: 【課題】高感度の欠陥検査装置を用いた欠陥検査において、基板や膜の表面粗さに起因する疑似欠陥検出を抑制し、異物や傷などの致命欠陥の発見を容易にすることが可能な反射型マスクブランクを提供する。 【解決手段】マスクブランク用基板10の主表面の上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜21及び吸収体膜24を含むマスクブランク用多層膜26を有する反射型マスクブランク30であって、前記反射型マスクブランク30表面における1μm×1μmの領域を原子間力顕微鏡で測定して得られるベアリングエリア(%)とベアリング深さ(nm)との関係において、(BA 70 −BA 30 )/(BD 70 −BD 30 )≧60(%/nm)の関係を満たし、かつ最大高さ(Rmax)≦4.5nmである。 【選択図】図5
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