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    ANZEIGEVORRICHTUNG
    91.
    发明申请
    ANZEIGEVORRICHTUNG 审中-公开
    显示设备

    公开(公告)号：WO2012136421A1

    公开(公告)日：2012-10-11

    申请号：PCT/EP2012/053548

    申请日：2012-03-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  RÜGHEIMER, Tilman ,  VON MALM, Norwin ,  ILLEK, Stefan

    Inventor： RÜGHEIMER, Tilman ,  VON MALM, Norwin ,  ILLEK, Stefan

    IPC: G09G3/34

    CPC classification number: G09G3/3208 ,  G09G3/32 ,  H01L25/0753

    Abstract: Es wird eine Anzeigevorrichtung angegeben, mit - einer Vielzahl von Bildpunkten (1), - zumindest einem Anschlussträger (2), und - einer Vielzahl von anorganischen Leuchtdiodenchips (3), wobei - der Anschlussträger (2) eine Vielzahl von Schaltern (21) umfasst, - jeder Bildpunkt (1) zumindest einen Leuchtdiodenchip (3) enthält, - jeder Leuchtdiodenchip (3) am Anschlussträger (2) mechanisch befestigt und elektrisch angeschlossen ist, - jeder Schalter (21) zur Ansteuerung zumindest eines Leuchtdiodenchips (3) eingerichtet ist, und - die Leuchtdiodenchips (3) bildgebende Elemente der Anzeigevorrichtung sind.

    Abstract translation: 提供了一种显示装置，包括： - 多个像素（1）， - 至少一个连接构件（2），以及 - 多个无机发光二极管芯片（3），其特征在于， - 所述连接构件（2）包括多个开关（21） ， - 每个像素（1）的至少一个LED芯片（3）， - 每个发光二极管芯片（3）连接到连接器载体（2）机械地附接和电连接， - 用于驱动至少一个发光二极管芯片的每个开关（21）（3）被布置， 和 - 所述发光二极管芯片（3），显示装置的摄像元件。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
    92.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
    方法用于制造光电子半导体芯片和光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2011157523A1

    公开(公告)日：2011-12-22

    申请号：PCT/EP2011/058653

    申请日：2011-05-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HÖPPEL, Lutz ,  VON MALM, Norwin

    Inventor： HÖPPEL, Lutz ,  VON MALM, Norwin

    IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/40 ,  H01L33/38 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

    CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/861 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/186 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben, mit den Schritten: - Bereitstellen einer n-leitenden Schicht (2), - Anordnen einer p-leitenden Schicht (4) auf der n-leitenden Schicht (2), - Anordnen einer Metallschichtenfolge (5) auf der p-leitenden Schicht (4), - Anordnen einer Maske (6) an der der p-leitenden Schicht (4) abgewandten Seite der Metallschichtenfolge (5), - stellenweises Abtragen der Metallschichtenfolge (5) und Freilegen der p-leitenden Schicht (4) unter Verwendung der Maske (6), und - stellenweises Neutralisieren oder Entfernen der freigelegten Bereiche (4a) der p-leitenden Schicht (4) bis zur n-leitenden Schicht (2) unter Verwendung der Maske (6), wobei - die Metallschichtenfolge (5) zumindest eine Spiegelschicht (51) und eine Sperrschicht (52) umfasst, und - die Spiegelschicht (52) der Metallschichtenfolge (5) der p- leitenden Schicht (4) zugewandt ist.

    Abstract translation: 公开的是用于制造光电子半导体芯片，包括以下步骤的方法： - 提供一个n型层（2）， - 设置金属层序列 - 在n型层（2），上放置一个p型层（4） （5）p型层（4）上， - 布置掩模（6）在其上的p型层（4）从所述金属层序列（5）的背向侧， - 提供明智移除金属层序列（5）的并暴露在p 型层（4）使用掩模（6），以及 - 提供明智中和或去除p型层（4）使用掩模（2）的n型层的暴露部分（4a）的（6） ，其特征在于， - - 金属层序列（5）包括至少一个反射镜层（51）和阻挡层（52），并且在p型层（4）的面对的是在金属层序列的镜层（52）（5）。

    VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG EINES STRAHLUNGSAUSKOPPELELEMENTS
    93.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG EINES STRAHLUNGSAUSKOPPELELEMENTS 审中-公开
    方法构建以STRAHLUNGSAUSKOPPELELEMENTS

    公开(公告)号：WO2011141274A1

    公开(公告)日：2011-11-17

    申请号：PCT/EP2011/056034

    申请日：2011-04-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  VON MALM, Norwin

    Inventor： VON MALM, Norwin

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/58

    CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/005 ,  H01L33/58 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0091

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Strukturierung eines Strahlungsauskoppelelements (1) angegeben, mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines strahlungsdurchlässigen Strahlungsauskoppelelements (1), das mit einem Kunststoffmaterial, einem Glas und/oder einem keramischen Material gebildet ist; Strukturieren einer Außenfläche (11) des Strahlungsauskoppelelements (1), wobei zumindest mittelbar eine durch Ätzen erzeugte Oberflächenstruktur (33) eines Halbleiterkristalls (3) auf die Außenfläche (11) des Strahlungsauskoppelelements (1) übertragen wird.

    Abstract translation: 提供了一种方法，用于构造一个Strahlungsauskoppelelements（1），包括以下步骤：提供透水Strahlungsauskoppelelements（1），其用塑料材料，玻璃和/或陶瓷材料形成的辐射; 图案化所述Strahlungsauskoppelelements（1）的外表面（11）至少间接地，表面结构由被发送的Strahlungsauskoppelelements（1）的外表面（11）上的半导体晶体（3）的蚀刻（33）产生的。

    OPTOELEKTRONISCHE PROJEKTIONSVORRICHTUNG
    95.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHE PROJEKTIONSVORRICHTUNG 审中-公开
    亚光电子投影设备

    公开(公告)号：WO2010072191A1

    公开(公告)日：2010-07-01

    申请号：PCT/DE2009/001694

    申请日：2009-11-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  VON MALM, Norwin ,  STREUBEL, Klaus ,  RODE, Patrick ,  ENGL, Karl ,  HÖPPEL, Lutz ,  MOOSBURGER, Jürgen

    Inventor： VON MALM, Norwin ,  STREUBEL, Klaus ,  RODE, Patrick ,  ENGL, Karl ,  HÖPPEL, Lutz ,  MOOSBURGER, Jürgen

    IPC: H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

    CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L27/156 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es ist eine optoelektronische Projektionsvorrichtung vorgesehen, die im Betrieb ein vorgegebenes Bild (10) erzeugt. Die Projektionsvorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper (1), der eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (101) und eine Strahlungsaustrittsseite (102) aufweist. Der Halbleiterkörper (1) ist ein Bild gebendes Element der Projektionsvorrichtung. Zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers (1) sind eine erste Kontaktschicht (2) und eine zweite Kontaktschicht (3) an einer der Strahlungsaustrittsseite (102) gegenüberliegenden Rückseite (103) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet und mittels einer Trennschicht (4) elektrisch voneinander isoliert.

    Abstract translation: 它是光电突出部被设置装置，该装置产生在操作的预定的图像（10）。 投影装置包括半导体主体（1），适于产生电磁辐射活性层（101）和具有辐射出射侧（102）的装置构成。 半导体本体（1）是所述投影装置的成像元件。 用于半导体本体（1），第一接触层的电接触（2）和第二接触层（3）在半导体本体的辐射出射侧（102）相对的后侧（103）的一（1），并通过分离层（4）从每个电隔离 ，

    OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL
    96.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
    OPTO电子元件

    公开(公告)号：WO2009036718A1

    公开(公告)日：2009-03-26

    申请号：PCT/DE2008/001302

    申请日：2008-08-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KLEIN, Markus ,  VON MALM, Norwin ,  KRUMMACHER, Benjamin Claus

    Inventor： KLEIN, Markus ,  VON MALM, Norwin ,  KRUMMACHER, Benjamin Claus

    IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32

    CPC classification number: H01L51/5036 ,  H01L51/5262

    Abstract: Ein optoelektronisches Bauteil umfasst eine organische Schichtenfolge (1), die im Betrieb eine elektromagnetische Strahlung (15) mit einem ersten Wellenlängenspektrum abstrahlt sowie eine strukturierte Schicht (2), die der organischen Schichtenfolge (1) im Strahlengang der von der organischen Schichtenfolge (1) abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung (15) nachgeordnet ist und erste und zweite Bereiche (2A, 2B) aufweist. Dabei weisen die ersten Bereiche (2A) jeweils eine Wellenlängenkonversionsschicht (3) auf, die eingerichtet ist, zumindest teilweise elektromagnetische Strahlung (15) mit dem ersten Wellenlängenspektrum in eine elektromagnetische Strahlung (16) mit einem zweiten Wellenlängenspektrum umzuwandeln. Des Weiteren weisen die zweiten Bereiche (2B) jeweils eine Filterschicht (4) auf, die für eine elektromagnetische Strahlung mit einem dritten Wellenlängenspektrum, das zumindest einem Teil des zweiten Wellenlängenspektrums entspricht, undurchlässig ist.

    Abstract translation: 一种光电器件包括有机层序列（1），其发射的电磁辐射（15），其具有在操作的第一波长谱以及图案化层（2）的光束路径中的有机层序列（1）的有机层序列（1）的 所发射的电磁辐射（15）被布置下游，并具有第一和第二部分（2A，2B）。 第一区域（2A）分别具有波长转换层（3），其被布置为至少部分的电磁辐射（15）到所述第一波长光谱为电磁辐射（16）转换成第二波长光谱。 进一步包括第二区域（2B）分别具有过滤层（4），其是不可渗透的为具有第三波长光谱，其对应于所述第二波长谱的至少一部分上的电磁辐射。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON LICHTEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUTEILEN UND LICHTEMITTIERENDES HALBLEITERBAUTEIL
    98.
    发明公开
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON LICHTEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUTEILEN UND LICHTEMITTIERENDES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开

    公开(公告)号：EP3341975A1

    公开(公告)日：2018-07-04

    申请号：EP16754243.0

    申请日：2016-08-10

    Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

    Inventor： O'BRIEN, David ,  GÖÖTZ, Britta ,  VON MALM, Norwin

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L33/58

    Abstract: The invention relates, in one embodiment, to a method for producing light-emitting semiconductor components, which method comprises the following steps: A) providing a glass capillary (2) composed of a glass material, B) filling the glass capillary (2) with luminescent substances (3), C) sealing the glass capillary (2) in a sealing region (22) by melting the glass material such that the glass capillary (2) is closed by the glass material itself, and D) attaching the sealed glass capillary (2) to a light-emitting diode chip (4) such that the radiation emitted by the light-emitting diode chip (4) is converted into visible light by the luminescent substances (3) during operation, wherein in step C) a distance between the sealing region (22) and the luminescent substances (3) is at most 7 mm, and wherein the different luminescent substances (3) are separated from each other along a longitudinal axis (L) of the glass capillary (2).

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