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公开(公告)号：JP2015019099A
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：JP2014183250
申请日：2014-09-09
Applicant: オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： WILM ALEXANDER
CPC classification number: F21V15/01 , F21K9/00 , F21S41/143 , F21V3/0463 , F21V3/0481 , F21V5/004 , F21V9/16 , F21V13/02 , F21V31/04 , F21Y2103/10 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 【課題】特にAFSに適した可変の放射特性を有する光源を提供し、最小限の技術コストで均一な照明を提供する。【解決手段】複数のLEDチップ1から成るLED装置と、複数のLEDチップ1を個別にまたはグループごとにオンオフするオンオフ回路と、スイッチオンされたLEDチップ1から放出される光を均一化する均一化装置とが設けられており、均一化装置は、変換プレート4、変換材料および/または散乱粒子を含む充填材、複数のマイクロ光学系を備えたビーム整形装置のうち少なくとも1つの部品を含む。【選択図】図3
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有特别适合于AFS（先进的前照明系统）的可调发射特性的光源，并通过最低的技术成本实现均匀的照明。解决方案：一种光源包括：一个LED装置， 的多个LED芯片1; 单独或分组地接通和断开多个LED芯片1的开关电路; 以及用于使从开启的LED芯片1发射的光束均匀化的均匀化装置。均化装置包括转换板4，包含转换器材料和/或散射颗粒的填充材料中的至少一个部件和用于光束的装置 具有多个微光学元件。
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公开(公告)号：JP2015015260A
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：JP2014208110
申请日：2014-10-09
Applicant: オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： WANNINGER MARIO , MARKUS ZEILER , OTT HUBERT
CPC classification number: H01L33/58 , G02B3/04 , H01L33/44 , H01L33/60 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 【課題】本発明の課題は、照射されるビームを簡単かつ確実に所定の照射特性にしたがい整形することのできる照明装置を提供することである。【解決手段】ビーム形成のために設けられた少なくとも1つの半導体チップ(5)を備える表面実装可能な光電構成素子(2)を有する照明装置であって、前記半導体チップ(5)は薄膜半導体チップとして構成されており、主ビーム出射面として構成された表面(52)と、副ビーム出射面を形成する側面(53)とを有し、前記光電構成素子(2)は反射器状に成形されたエレメント(3)を有し、該エレメントの形状と配置とは、前記副ビーム出射面から出射するビームの少なくとも一部を偏向するように構成されており、前記反射器状に成形されたエレメントは、前記半導体チップから放射されるビームに対して、所期のように吸光性であるように構成されることにより解決される。【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种照明装置，其能够容易且无故障地使得能够根据预定的辐射特性对辐射的光束进行成形。照明装置包括能够表面光刻的光电构造元件（2） 包括至少一个用于波束形成的半导体芯片（5）。 半导体芯片（5）被构造为薄膜半导体芯片，其包括被配置为主光束发射表面的表面（52）和形成子光束发射表面的侧表面（53）。 光电配置元件（2）包括以反射器形状模制的元件（3）。 元件的形状和布置被配置为使得从子束发射表面发射的光束的至少一部分被偏转。 模制成反射体形状的元件被配置成相对于从半导体芯片辐射的光束具有预定的光吸收特性。
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3.发明专利
公开(公告)号：JP2015057848A
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：JP2014230666
申请日：2014-11-13
Applicant: オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： LUTZ HOPPEL
Abstract: 【課題】機能しないオプトエレクトロニクス部品に関連する不良品の発生数を少なくする。【解決手段】A)成長基板と、動作時にアクティブであるゾーンを生成するための、成長基板の上に配置されている半導体層と、を形成するステップと、B)半導体層に分離構造を形成するステップと、C)分離構造によって区切られている領域において、半導体層に多数の銅層7を堆積させるステップと、D)分離構造を除去するステップと、E)銅層の少なくとも側面に保護層11を形成するステップと、F)銅層に補助基板を貼り付けるステップと、G)成長基板を除去するステップと、H)補助基板を除去した後、半導体層と、銅層とを備えている複合体を個片化して、互いに個別である部品を形成するステップと、で製造するオプトエレクトロニクス部品と、本方法を使用して製造されるオプトエレクトロニクス部品を、反射体空洞を有するハウジングにレイアウトする。【選択図】図9
Abstract translation: 要解决的问题：减少与不起作用的光电子部件相关的缺陷产物的发生次数。解决方案：通过使用包括以下步骤的方法制造光电子部件：A）形成生长衬底和半导体层 其布置在生长衬底上，用于产生在操作期间有活性的区域; B）在半导体层上形成分离结构; C）在由分离结构分离的区域中在半导体层上沉积多个铜层7; D）去除分离结构; E）在铜层的至少侧表面上形成保护层11; F）在铜层上附加辅助基板; G）去除生长底物; H），在除去辅助基板之后，将包括半导体层和铜层的复合体分割成片并形成彼此分离的部件。 使用该方法制造的光电子部件布置在具有反射器中空的壳体中。
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公开(公告)号：JP2015039024A
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：JP2014212013
申请日：2014-10-16
Applicant: オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： KARL ENGL , MATTHIAS SABATHIL
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/22 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 【課題】全体効率が特に高く、かつ/または、製造コスト効率が特に高いオプトエレクトロニクス半導体ボディを提供する。【解決手段】電磁放射の発生に適している活性層を有する半導体積層体1と、第1の電気接続層4と、を備えているオプトエレクトロニクス半導体ボディを開示する。本オプトエレクトロニクス半導体ボディは、前側2から電磁放射を出射するようにされている。半導体積層体1は、前側2から前側2と反対側の後側3の方向に、半導体積層体1を完全に貫通する少なくとも1つの開口110を有する。第1の電気接触層4は、半導体ボディの後側3に設けられており、少なくとも一部分において光を透過するようにされている。第1の電気接触層4の部分領域40は、後側3から開口110を通って2まで延在して、半導体積層体1の主面10の第1の副領域11を覆っている。前側主面10の第2の副領域12は、第1の電気接触層4で覆われていない。【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供具有特别高的整体效率和/或特别高的制造成本效率的光电半导体本体。解决方案：一种光电子半导体本体，包括具有适于产生电磁辐射的有源层的半导体层叠体1和第一电 公开了接触层4。 光电半导体本体被构造为从前侧2发射电磁辐射。半导体层叠体1包括从前侧2到相反侧的后侧3完全穿透在半导体层叠体1中的至少一个孔110 第一电接触层4形成在半导体本体的后侧3上，并且被构造成使得至少在第一电接触层4的一部分上穿透光。第一电接触层4的局部区域40 电接触层4通过孔110从后侧3延伸到前侧2并且覆盖半导体层1的主平面10的第一子区域11.正面的第二子区域12 主平面10不被第一电接触层4覆盖。
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公开(公告)号：JP2015015497A
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：JP2014193756
申请日：2014-09-24
Applicant: オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： MOOSBURGER JUERGEN , NORWIN VON MALM , PATRICK RODE , LUTZ HOPPEL , KARL ENGL
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L27/15 , H01L25/167 , H01L33/005 , H01L33/02 , H01L33/08 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
Abstract: 【課題】静電放電の影響を受けにくい放射放出半導体チップを提供する。【解決手段】放射放出半導体チップ1は、キャリア5と半導体積層体を有する半導体ボディ2とを備える。半導体積層体を有する半導体ボディには、放出領域23および保護ダイオード領域24が形成されている。半導体積層体は、放射を発生するために設けられている活性領域20を備えており、この活性領域は、第1の半導体層21と第2の半導体層22との間に配置されている。第1の半導体層は、キャリアとは反対側の活性領域の面に配置されている。放出領域は、活性領域を貫いて延在する凹部25を有する。第1の半導体層は、放出領域においては、第1の接続層に導電接続されており、この第1の接続層31は、第1の半導体層から凹部の中をキャリアの方向に延在している。第1の接続層は、保護ダイオード領域においては、第2の半導体層に導電接続されている。【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：提供较少受静电放电影响的辐射发射半导体芯片。解决方案：辐射发射半导体芯片1包括载体5和包括半导体层叠体的半导体本体2。 在包括半导体层叠体的半导体本体中形成发光区域23和保护二极管区域24。 半导体层叠体包括用于辐射产生的有源区域20。 有源区设置在第一半导体层21和第二半导体层22之间。第一半导体层设置在与载体相对的有源区的表面上。 发射区域包括延伸穿过有源区的凹部25。 第一半导体层与发射区域中的第一连接层导电连接。 第一连接层31沿着载体方向在第一半导体层的凹部中延伸。 第一连接层也导电连接到保护二极管区域中的第二半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2014207473A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：JP2014136894
申请日：2014-07-02
Applicant: オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： SINGER FRANK , ZEILER THOMAS , REILL JOACHIM
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/10155 , H01L2924/181 , H01L2924/18165 , H01L2933/0058 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 【課題】本発明は少なくとも2つの発光半導体素子を備えたデバイスに関する。【解決手段】本発明のデバイスは、相互に隣接する少なくとも2つの発光半導体素子(101,111)と、各発光半導体素子を少なくとも部分的に包囲し、発光半導体素子から放出された光の波長領域を部分的にまたは完全に変換する変換物質を含む複数の包囲部材(102,112)と、発光半導体素子および包囲部材のあいだに配置される少なくとも1つの光学減衰素子(103)とを有しており、光学減衰素子は、或る発光半導体素子または或る包囲部材から別の発光半導体素子または別の包囲部材への光の入力が低減されるように配置されている。【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种包括至少两个发光半导体元件的器件。解决方案：本发明的器件包括：至少两个彼此相邻的发光半导体元件（101,111）; 至少部分地包围每个发光半导体元件并且包含部分地或全部地转换从发光半导体元件发射的光的波长区域的转换材料的多个封闭构件（102,112） 以及设置在所述发光半导体元件之间和所述封闭构件之间的至少一个光衰减元件（103）。 光学衰减元件被布置成使得从一个发光半导体元件或一个外壳构件到另一个发光半导体元件或另一个外壳构件的光的输入减少。
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公开(公告)号：KR20180051667A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：KR20187012757
申请日：2011-05-26
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HOEPPEL LUTZ , VON MALM NORWIN
CPC classification number: H01L33/46 , H01L27/0248 , H01L29/861 , H01L31/0224 , H01L31/02327 , H01L31/186 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 본발명은광전자반도체칩의제조방법에관한것으로, 상기방법은하기단계들: n-전도층(2)을제공하는단계, 상기 n-전도층(2) 위에 p-전도층(4)을배치하는단계, 상기 p-전도층(4) 위에금속층시퀀스(5)를배치하는단계, 상기 p-전도층(4)으로부터멀리떨어진상기금속층시퀀스(5) 측면에마스크(6)를배치하는단계, 상기마스크(6)를사용하여상기금속층시퀀스(5)를부분적으로제거하고상기 p-전도층(4)을노출시키는단계, 그리고상기마스크(6)를사용하여상기 p-전도층(4)의노출된영역들(4a)을상기 n-전도층(2)에이르기까지부분적으로중성화하거나제거하는단계를포함하며, 이때상기금속층시퀀스(5)는적어도하나의미러층(51) 및적어도하나의장벽층(52)을포함하며, 상기금속층시퀀스(5)의미러층(52)은상기 p-전도층(4)을향해있다.
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公开(公告)号：KR20180019661A
公开(公告)日：2018-02-26
申请号：KR20187001260
申请日：2016-06-16
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KATZ SIMEON , GEHRKE KAI , DRAGO MASSIMO , HERTKORN JOACHIM
Abstract: 광전반도체소자를제조하는방법이제공되며, 본방법은, 반도체층 시퀀스(1)를제공하는단계 - 상기반도체층 시퀀스는발광및/또는광흡수활성영역(12) 및상기반도체층 시퀀스(1)의주 연장평면에수직으로연장되는스택방향(z)으로상기활성영역(12) 후방에배치되는커버면(1a)을포함함 -; 상기커버면(1a) 상에층 스택(2)을적층하는단계 - 상기층 스택(2)은인듐을함유하는산화물층(20) 및상기스택방향(z)으로상기커버면(1a) 후방에배치되는중간면(2a)을포함함 -; 상기중간면(2a) 상에인듐주석산화물로형성된접촉층(3)을적층하는단계를포함하고, 상기층 스택(2)은제조공차의범위내에서주석이없다.
Abstract translation: 本发明提供的光电半导体元件，该方法包括的制造方法，包括：提供半导体层序列（1），其中，所述半导体层序列是发光和/或光吸收有源区12和半导体层序列（1） 以及在垂直于边缘延伸平面延伸的堆叠方向（z）上布置在有源区（12）后面的覆盖表面（1a） （2）在所述覆盖表面（1a）上，所述叠层（2）包括在所述覆盖表面的后侧上的包含铟的氧化物层（20）和氧化物层（20） 中间表面（2a）被布置; 并且在中间表面（2a）上层压由铟锡氧化物形成的接触层（3），其中堆叠（2）在制造公差内不含锡。
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公开(公告)号：KR20180072874A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：KR20187017728
申请日：2010-07-19
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： WEIDNER KARL , WIRTH RALPH , KALTENBACHER AXEL , WEGLEITER WALTER , BARCHMANN BERND , WUTZ OLIVER , MARFELD JAN
IPC: H01L31/0232 , H01L33/48 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/62
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L23/3107 , H01L23/3185 , H01L25/042 , H01L25/0753 , H01L31/02005 , H01L31/0203 , H01L31/0232 , H01L31/02322 , H01L31/02327 , H01L31/1892 , H01L33/483 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0033 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 본발명은광전자반도체소자를제조하기위한방법에관한것이며, 상기방법은하기의단계들을포함한다: 캐리어(1)를제공하는단계, 적어도하나의광전자반도체칩(2)을상기캐리어(1)의상부면(1a)에배치하는단계, 상기적어도하나의광전자반도체칩(2)을성형바디(3)에의하여변형하는단계 - 상기성형바디(3)는상기적어도하나의광전자반도체칩(2)의모든측면들(2c)을덮고, 상기캐리어(1)로부터떨어져서마주하는표면은상기적어도하나의반도체칩(2)의상부면(2a)에서또는상기캐리어쪽을향하는캐리어의표면은상기적어도하나의반도체칩(2)의하부면(2b)에서성형바디(3)를갖지않거나또는노출되어있음 -, 상기캐리어(1)를제거하는단계.
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公开(公告)号：KR20180008617A
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：KR20177035922
申请日：2016-05-17
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GOLDBACH MATTHIAS , GROETSCH STEFAN , HOLZ JUERGEN , ILLEK STEFAN
IPC: H01L25/075 , H01L25/16
CPC classification number: H01L25/167 , H01L25/0753 , H01L2224/48137 , H01L2224/49171
Abstract: 본발명은다수의반도체소자들을포함하는광원에관한것이고, 여기서반도체소자는다수의발광다이오드들을갖고, 다이오드들은반도체소자상에적어도하나의열의미리결정된그리드내에배열되고, 개별다이오드들을제어하기위한제어회로가반도체소자상에배열된다. 본발명은또한다수의발광다이오드들을갖는반도체소자에관한것이고, 여기서다이오드들은반도체소자상에적어도하나의열의미리결정된그리드내에배열되고, 개별다이오드들을제어하기위한제어회로가반도체소자상에배열되고, 제어회로는다이오드들을개별적으로제어하도록설계된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种光源，包括多个半导体元件，其中，所述半导体器件具有多个发光二极管，所述二极管被布置在预定的网格至少一排在半导体元件上，用于控制各个二极管的控制 电路布置在半导体元件上。 本发明还涉及一种具有多个发光二极管，其中所述二极管被布置在至少一个列中的半导体器件中，半导体元件上的预定网格，用于控制各个二极管的控制电路被布置在半导体元件上， 控制电路设计用于单独控制二极管。
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