オプトエレクトロニクス半導体ボディ
    4.
    发明专利
    オプトエレクトロニクス半導体ボディ 有权
    光电子半导体器件

    公开(公告)号:JP2015039024A

    公开(公告)日:2015-02-26

    申请号:JP2014212013

    申请日:2014-10-16

    Abstract: 【課題】全体効率が特に高く、かつ/または、製造コスト効率が特に高いオプトエレクトロニクス半導体ボディを提供する。【解決手段】電磁放射の発生に適している活性層を有する半導体積層体1と、第1の電気接続層4と、を備えているオプトエレクトロニクス半導体ボディを開示する。本オプトエレクトロニクス半導体ボディは、前側2から電磁放射を出射するようにされている。半導体積層体1は、前側2から前側2と反対側の後側3の方向に、半導体積層体1を完全に貫通する少なくとも1つの開口110を有する。第1の電気接触層4は、半導体ボディの後側3に設けられており、少なくとも一部分において光を透過するようにされている。第1の電気接触層4の部分領域40は、後側3から開口110を通って2まで延在して、半導体積層体1の主面10の第1の副領域11を覆っている。前側主面10の第2の副領域12は、第1の電気接触層4で覆われていない。【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供具有特别高的整体效率和/或特别高的制造成本效率的光电半导体本体。解决方案:一种光电子半导体本体,包括具有适于产生电磁辐射的有源层的半导体层叠体1和第一电 公开了接触层4。 光电半导体本体被构造为从前侧2发射电磁辐射。半导体层叠体1包括从前侧2到相反侧的后侧3完全穿透在半导体层叠体1中的至少一个孔110 第一电接触层4形成在半导体本体的后侧3上,并且被构造成使得至少在第一电接触层4的一部分上穿透光。第一电接触层4的局部区域40 电接触层4通过孔110从后侧3延伸到前侧2并且覆盖半导体层1的主平面10的第一子区域11.正面的第二子区域12 主平面10不被第一电接触层4覆盖。

    광전 반도체 소자를 제조하는 방법 및 광전 반도체 소자
    8.
    发明公开
    광전 반도체 소자를 제조하는 방법 및 광전 반도체 소자 审中-公开
    制造光学电子器件的方法,

    公开(公告)号:KR20180019661A

    公开(公告)日:2018-02-26

    申请号:KR20187001260

    申请日:2016-06-16

    CPC classification number: H01L33/44 H01L33/12 H01L33/42

    Abstract: 광전반도체소자를제조하는방법이제공되며, 본방법은, 반도체층 시퀀스(1)를제공하는단계 - 상기반도체층 시퀀스는발광및/또는광흡수활성영역(12) 및상기반도체층 시퀀스(1)의주 연장평면에수직으로연장되는스택방향(z)으로상기활성영역(12) 후방에배치되는커버면(1a)을포함함 -; 상기커버면(1a) 상에층 스택(2)을적층하는단계 - 상기층 스택(2)은인듐을함유하는산화물층(20) 및상기스택방향(z)으로상기커버면(1a) 후방에배치되는중간면(2a)을포함함 -; 상기중간면(2a) 상에인듐주석산화물로형성된접촉층(3)을적층하는단계를포함하고, 상기층 스택(2)은제조공차의범위내에서주석이없다.

    Abstract translation: 本发明提供的光电半导体元件,该方法包括的制造方法,包括:提供半导体层序列(1),其中,所述半导体层序列是发光和/或光吸收有源区12和半导体层序列(1) 以及在垂直于边缘延伸平面延伸的堆叠方向(z)上布置在有源区(12)后面的覆盖表面(1a) (2)在所述覆盖表面(1a)上,所述叠层(2)包括在所述覆盖表面的后侧上的包含铟的氧化物层(20)和氧化物层(20) 中间表面(2a)被布置; 并且在中间表面(2a)上层压由铟锡氧化物形成的接触层(3),其中堆叠(2)在制造公差内不含锡。

    다수의 반도체 소자들을 포함하는 광원
    10.
    发明公开
    다수의 반도체 소자들을 포함하는 광원 审中-公开
    一种包括多个半导体元件的光源

    公开(公告)号:KR20180008617A

    公开(公告)日:2018-01-24

    申请号:KR20177035922

    申请日:2016-05-17

    Abstract: 본발명은다수의반도체소자들을포함하는광원에관한것이고, 여기서반도체소자는다수의발광다이오드들을갖고, 다이오드들은반도체소자상에적어도하나의열의미리결정된그리드내에배열되고, 개별다이오드들을제어하기위한제어회로가반도체소자상에배열된다. 본발명은또한다수의발광다이오드들을갖는반도체소자에관한것이고, 여기서다이오드들은반도체소자상에적어도하나의열의미리결정된그리드내에배열되고, 개별다이오드들을제어하기위한제어회로가반도체소자상에배열되고, 제어회로는다이오드들을개별적으로제어하도록설계된다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种光源,包括多个半导体元件,其中,所述半导体器件具有多个发光二极管,所述二极管被布置在预定的网格至少一排在半导体元件上,用于控制各个二极管的控制 电路布置在半导体元件上。 本发明还涉及一种具有多个发光二极管,其中所述二极管被布置在至少一个列中的半导体器件中,半导体元件上的预定网格,用于控制各个二极管的控制电路被布置在半导体元件上, 控制电路设计用于单独控制二极管。

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