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    Non-planar transistor
    94.
    发明授权
    Non-planar transistor 有权
    非平面晶体管

    公开(公告)号：US09117909B2

    公开(公告)日：2015-08-25

    申请号：US14470957

    申请日：2014-08-28

    Applicant: UNITED MICROELECTRONICS CORP.

    Inventor： Lung-En Kuo ,  Po-Wen Su ,  Chen-Yi Weng ,  Hsuan-Hsu Chen

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/762 ,  H01L29/66 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06

    CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7853

    Abstract: A method of forming a fin structure is provided. First, a substrate is provided, wherein a first region, a second region encompassing the first region, and a third region encompassing the second region are defined on the substrate. Then, a plurality of first trenches having a first depth are formed in the first region and the second region, wherein each two first trenches defines a first fin structure. The first fin structure in the second region is removed. Lastly, the first trenches are deepened to form a plurality of second trenches having a second depth, wherein each two second trenches define a second fin structure. The present invention further provides a structure of a non-planar transistor.

    Abstract translation: 提供一种形成翅片结构的方法。 首先，提供衬底，其中第一区域，包围第一区域的第二区域和包围第二区域的第三区域被限定在衬底上。 然后，在第一区域和第二区域中形成具有第一深度的多个第一沟槽，其中每两个第一沟槽限定第一鳍结构。 第二区域中的第一鳍结构被去除。 最后，加深第一沟槽以形成具有第二深度的多个第二沟槽，其中每两个第二沟槽限定第二鳍结构。 本发明还提供了一种非平面晶体管的结构。

    Sidewall Image Transfer Process
    95.
    发明申请
    Sidewall Image Transfer Process 有权
    侧墙图像传输过程

    公开(公告)号：US20140308761A1

    公开(公告)日：2014-10-16

    申请号：US13862484

    申请日：2013-04-15

    Applicant: UNITED MICROELECTRONICS CORP.

    Inventor： Lung-En Kuo ,  Po-Wen Su ,  Chen-Yi Weng ,  Hsuan-Hsu Chen

    IPC: H01L21/308 ,  H01L21/66

    CPC classification number: H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L22/26 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

    Abstract: A sidewall image transfer (SIT) process is provided. First, a substrate is provided. A sacrificial layer having a pattern is formed on the substrate. A first measuring step is performed to measure a width of the pattern of the sacrificial layer. A material layer is formed conformally on the sacrificial layer, wherein a thickness of the material layer is adjusted according to the result of the first measuring step. Then, the material layer is removed anisotropically, so the material layer becomes a spacer on a sidewall of the sacrificial layer. Lastly, the sacrificial layer is removed.

    Abstract translation: 提供侧壁图像传送（SIT）处理。 首先，提供基板。 在衬底上形成具有图案的牺牲层。 执行第一测量步骤以测量牺牲层的图案的宽度。 材料层在牺牲层上共形地形成，其中根据第一测量步骤的结果调整材料层的厚度。 然后，各向异性地去除材料层，因此材料层成为牺牲层的侧壁上的间隔物。 最后，去除牺牲层。

    METHOD OF FORMING A FINFET STRUCTURE
    96.
    发明申请
    METHOD OF FORMING A FINFET STRUCTURE 有权
    形成FINFET结构的方法

    公开(公告)号：US20140306272A1

    公开(公告)日：2014-10-16

    申请号：US13863393

    申请日：2013-04-16

    Applicant: UNITED MICROELECTRONICS CORP.

    Inventor： Lung-En Kuo ,  Po-Wen Su ,  Chen-Yi Weng ,  Hsuan-Hsu Chen

    IPC: H01L21/762 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7853

    Abstract: A method of forming a fin structure is provided. First, a substrate is provided, wherein a first region, a second region encompassing the first region, and a third region encompassing the second region are defined on the substrate. Then, a plurality of first trenches having a first depth are formed in the first region and the second region, wherein each two first trenches defines a first fin structure. The first fin structure in the second region is removed. Lastly, the first trenches are deepened to form a plurality of second trenches having a second depth, wherein each two second trenches define a second fin structure. The present invention further provides a structure of a non-planar transistor.

    Abstract translation: 提供一种形成翅片结构的方法。 首先，提供衬底，其中第一区域，包围第一区域的第二区域和包围第二区域的第三区域被限定在衬底上。 然后，在第一区域和第二区域中形成具有第一深度的多个第一沟槽，其中每两个第一沟槽限定第一鳍结构。 第二区域中的第一鳍结构被去除。 最后，加深第一沟槽以形成具有第二深度的多个第二沟槽，其中每两个第二沟槽限定第二鳍结构。 本发明还提供了一种非平面晶体管的结构。

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