公开(公告)号：KR1020100023007A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：KR1020097027210

申请日：2008-05-28

Applicant: 파이레오스 엘티디.

Inventor： 기베러,카르스텐 ,  슈라이터,마티아스 ,  파울러스,크리스티안

IPC: G01J5/04 ,  G01J5/10 ,  G01J5/22

CPC classification number: G01J5/34 ,  G01J5/00 ,  G01J5/0205 ,  G01J5/0225 ,  G01J5/023 ,  G01J5/04 ,  G01J5/041 ,  G01J5/045 ,  G01J5/14 ,  G01J5/22 ,  G01J2005/0077 ,  G01J2005/204 ,  G01N2021/0106 ,  H01L27/14683 ,  H01L41/0973 ,  Y10T156/10

Abstract: The invention relates to a device for detecting thermal radiation, comprising at least one membrane on which at least one thermal detector element for converting the thermal radiation to an electrical signal is arranged, and at least one circuit carrier for carrying the membrane and for carrying at least one readout circuit for reading out the electrical signal, the detector element and the readout circuit being electrically interconnected through the membrane through an electrical via. The invention also relates to a method for producing said device by way of the following process steps: a) providing the membrane having the detector element and at least one electrical via and providing the circuit carrier, and b) uniting the membrane and the circuit carrier in such a manner that the detector element and the readout circuit are electrically interconnected through the membrane through an electrical via. The production is preferably carried out on the wafer level: Functionalized silicon substrates are stacked, firmly interconnected and then subdivided. The detector elements are preferably pyroelectric detector elements. The device according to the invention is used in motion detectors, presence detectors and thermal imaging cameras.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于检测热辐射的装置，该装置包括至少一个薄膜，至少一个用于将热辐射转换成电信号的热检测器元件布置在其上，以及至少一个用于承载膜并用于携带 用于读出电信号的至少一个读出电路，检测器元件和读出电路通过电通孔通过膜电互连。 本发明还涉及通过以下工艺步骤生产所述装置的方法：a）提供具有检测器元件和至少一个电通孔的膜，并提供电路载体，以及b）将膜和电路载体 以使得检测器元件和读出电路通过电通孔通过膜电互连。 生产优选在晶片级上进行：功能化的硅衬底被堆叠，牢固地互相连接然后细分。 检测器元件优选是热电探测元件。 根据本发明的装置用于运动检测器，存在检测器和热成像相机中。

公开(公告)号：KR1020060021757A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：KR1020040070633

申请日：2004-09-04

Applicant: 박진우

Inventor： 박진우

IPC: G01P5/10

CPC classification number: G01P5/12 ,  G01F1/698 ,  G01J5/20 ,  G01J2005/204

Abstract: 본 발명은 액체나 기체 등 유체의 종류와 유체의 온도 변화에 무관하게 유체의 속도와 방향을 동시에 측정가능하며 반도체 공정을 이용하여 대량생산이 가능한 유속과 유체의 방향 측정계에 관한 것이다.


유체의 속도, 속도와 방향 동시 측정, 반도체 공정, 대량생산, 온도의존성

公开(公告)号：TWI613423B

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW102130176

申请日：2013-08-22

Applicant: 羅伯特博斯奇股份有限公司 ,  ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： 亞馬 蓋瑞 ,  YAMA, GARY ,  菲 安道 ,  FEYH, ANDO ,  薩瑪勞 阿許文 ,  SAMARAO, ASHWIN ,  波爾克 法比昂 ,  PURKL, FABIAN ,  歐布琳恩 蓋瑞 ,  O'BRIEN, GARY

IPC: G01J5/02 ,  G01J5/20 ,  H01L27/144

CPC classification number: H01L31/02019 ,  G01J5/023 ,  G01J5/0235 ,  G01J5/024 ,  G01J5/20 ,  G01J2005/204 ,  H01L27/1446

公开(公告)号：TW201423065A

公开(公告)日：2014-06-16

申请号：TW102130176

申请日：2013-08-22

Applicant: 羅伯特博斯奇股份有限公司 ,  ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： 亞馬 蓋瑞 ,  YAMA, GARY ,  菲 安道 ,  FEYH, ANDO ,  薩瑪勞 阿許文 ,  SAMARAO, ASHWIN ,  波爾克 法比昂 ,  PURKL, FABIAN ,  歐布琳恩 蓋瑞 ,  O'BRIEN, GARY

IPC: G01J5/02 ,  G01J5/20 ,  H01L27/144

CPC classification number: H01L31/02019 ,  G01J5/023 ,  G01J5/0235 ,  G01J5/024 ,  G01J5/20 ,  G01J2005/204 ,  H01L27/1446

Abstract: 製造半導體裝置的方法包括於互補金屬氧化物半導體(complementary metal-oxide-semiconductor，CMOS)製程期間將至少一犧牲層形成於基板上。吸收層沉積在至少一犧牲層的頂部上。移除至少一犧牲層在吸收層底下的部分以形成間隙，而部分的吸收層懸掛在該間隙上。犧牲層可以是CMOS製程的氧化物，而氧化物使用選擇性氫氟酸氣相乾式蝕刻釋放製程來移除以形成間隙。犧牲層也可以是聚合物層，而聚合物層使用O2電漿蝕刻製程來移除以形成間隙。

Abstract in simplified Chinese: 制造半导体设备的方法包括于互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor，CMOS)制程期间将至少一牺牲层形成于基板上。吸收层沉积在至少一牺牲层的顶部上。移除至少一牺牲层在吸收层底下的部分以形成间隙，而部分的吸收层悬挂在该间隙上。牺牲层可以是CMOS制程的氧化物，而氧化物使用选择性氢氟酸气相干式蚀刻释放制程来移除以形成间隙。牺牲层也可以是聚合物层，而聚合物层使用O2等离子蚀刻制程来移除以形成间隙。

公开(公告)号：CN204991709U

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201390001075.0

申请日：2013-11-27

Applicant: 菲力尔系统公司

Inventor： B·西蒙朗 ,  E·A·库尔特 ,  S·巴尔斯凯 ,  M·纳斯迈耶 ,  N·霍根斯特恩 ,  T·R·赫尔特 ,  K·斯特兰德玛 ,  P·布朗热 ,  B·夏普

IPC: H01L27/146 ,  G01J5/20

CPC classification number: G01J5/20 ,  G01J5/024 ,  G01J2005/0077 ,  G01J2005/204 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1465

Abstract: 提供了使用集成电路实现、操作和制造红外成像装置的各种技术。在一个实例中，一种具有带有集成金属层的红外成像器的系统包括焦平面阵列(FPA)集成电路，该焦平面阵列集成电路包括适于成像场景的红外传感器阵列，多个有源电路部件，布置在该电路部件上方且与之连接的第一金属层，布置在第一金属层上方的且连接到第一金属层的第二金属层，和布置在第二金属层上方的且在红外传感器下方的第三金属层。第三金属层被连接到第二金属层和红外传感器。第一、第二和第三金属层是在红外传感器和电路部件之间的FPA的仅有金属层。其中第一、第二和第三金属层适于在电路部件和红外传感器之间按路线传输信号。