基于平板光子晶体的高消光比偏振无关光开关

    公开(公告)号:WO2016091196A1

    公开(公告)日:2016-06-16

    申请号:PCT/CN2015/097056

    申请日:2015-12-10

    Applicant: 深圳大学

    Abstract: 一种基于平板光子晶体的高消光比偏振无关光开关,包括上下两层平板光子晶体相连的一个整体。上平板光子晶体为一个第一平板正方晶格光子晶体,第一平板正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形杆、单个第一平板介质杆和背景介质组成。第一平板介质杆由高折射率介质套管和套管内的低折射率介质组成,或者由一块高折射率平板薄膜组成,或者由一块低折射率介质组成。下平板光子晶体为一个完全禁带的第二正方晶格光子晶体,第二正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形杆、为高折射率介质杆的单个第二平板介质杆和为低折射率介质的背景介质组成。光开关的频率为0.41~0.4167。

    基于平板光子晶体的高消光比TM光开关

    公开(公告)号:WO2016091194A1

    公开(公告)日:2016-06-16

    申请号:PCT/CN2015/097053

    申请日:2015-12-10

    Applicant: 深圳大学

    Abstract: 一种基于平板光子晶体高消光比TM光开关。它包括上下两层平板光子晶体相连的一个整体;上平板光子晶体为一个具有第一平板正方晶格光子晶体,第一平板正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形柱杆、3个第一平板介质杆和背景介质组成,第一平板介质杆由高折射率介质套管和套管内的低折射率介质组成,或者由1至3块高折射率平板薄膜组成,或者由低折射率介质组成;下平板光子晶体为一个具有完全禁带的第二正方晶格光子晶体,第二正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形杆、3个高折射率第二平板介质杆和背景介质为低折射率介质组成;TM禁带频率为0.405~0.457。该结构实现了高消光比TM光开关。

    ON-CHIP OPTICAL POLARIZATION CONTROLLER
    93.
    发明申请
    ON-CHIP OPTICAL POLARIZATION CONTROLLER 审中-公开
    片上光学极化控制器

    公开(公告)号:WO2014130950A1

    公开(公告)日:2014-08-28

    申请号:PCT/US2014/018036

    申请日:2014-02-24

    Abstract: An example optical polarization controller can include a substantially planar substrate and a waveguide unit cell formed on the substantially planar substrate. The waveguide unit cell can include a first out-of-plane waveguide portion and a second out-of-plane waveguide portion coupled to the first out-of-plane waveguide portion. Each of the first and second out-of-plane waveguide portions can respectively include a core material layer arranged between a first optical cladding layer having a first stress-response property and a second optical cladding layer having a second stress-response property. The first and second stress-response properties can be different such that each of the first and second out-of-plane waveguide portions is deflected by a deflection angle.

    Abstract translation: 示例性光偏振控制器可以包括基本上平面的基板和形成在基本平坦的基板上的波导单元电池。 波导单元可以包括耦合到第一平面外波导部分的第一平面外波导部分和第二平面外波导部分。 第一和第二平面外波导部分中的每一个可以分别包括布置在具有第一应力响应特性的第一光学包层和具有第二应力响应特性的第二光学包层之间的芯材料层。 第一和第二应力响应特性可以不同,使得第一和第二平面外波导部分中的每一个偏转偏转角。

    光制御素子
    96.
    发明申请
    光制御素子 审中-公开
    光控元件

    公开(公告)号:WO2008084830A1

    公开(公告)日:2008-07-17

    申请号:PCT/JP2008/050192

    申请日:2008-01-10

    Inventor: 徳島 正敏

    Abstract:  フォトニック結晶の線欠陥導波路を用いた光遅延器において、長い光遅延時間と少ない群速度分散を両立し、超高速信号を処理する場合の波形ゆがみを回避する。円柱の直径の大きさが異なり、逆符号の群速度分散を有する2つの線欠陥導波路5および11を、一方の線欠陥導波路5から他方の線欠陥導波路11へと段階的に円柱の直径の大きさを変化させた線欠陥導波路8を介して接続することにより、光遅延効果を保ちつつ群速度分散を補償する。

    Abstract translation: 在采用光子晶体管线缺陷波导的光学延迟单元中,当通过满足长的光学延迟时间和小的群组速度色散来处理超高速信号时,避免波形失真。 具有不同直径的柱和反向符号的组速度色散的两行缺陷波导(5,11)通过线缺陷波导(8)连接,其中列的直径从一条线缺陷波导(5)逐步变化到 另一条线路缺陷波导(11),从而在保持光学延迟效应的同时补偿组速度色散。

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