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公开(公告)号:CN108292182A
公开(公告)日:2018-07-17
申请号:CN201780000159.5
申请日:2017-03-28
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC: G06F3/041
CPC classification number: G06F3/0412 , G02B1/115 , G02F2201/12 , G06F1/1643 , G06F3/00 , G06F3/03547 , G06F3/041
Abstract: 本申请公开了一种抗反射层、触摸基板、触摸面板和便携式电子设备。触摸基板,包括:基底基板;透明触摸电极层,其位于所述基底基板上;和抗反射层,其位于透明触摸电极层的远离基底基板的一侧。所述抗反射层包括:第一子层,其位于透明触摸电极层的远离基底基板的一侧;第二子层,其位于第一子层的远离所述透明触摸电极层的一侧;和第三子层,其位于第二子层的远离第一子层的一侧。第一子层、第二子层和第三子层层叠在一起。第二子层的折射率大于第一子层和第三子层的折射率。
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公开(公告)号:CN106716235A
公开(公告)日:2017-05-24
申请号:CN201680002932.7
申请日:2016-03-24
Applicant: 住友大阪水泥股份有限公司
IPC: G02F1/035
CPC classification number: G02F1/0327 , G02B6/42 , G02F1/0316 , G02F1/035 , G02F1/225 , G02F2001/212 , G02F2201/12 , G02F2202/20
Abstract: 在本发明的波导型光元件中,有效地防止由于经由偏压电极对基板施加强电场而产生的漂移现象的加速。波导型光元件具备:基板(100),具有电光效应;两个光波导(104、106),配置在所述基板表面;非导电层(120),配置在所述基板上,由介电常数比该基板低的材料构成;及控制电极(150),配置在所述非导电层上,用于对所述两个光波导分别施加电场而在该两个光波导之间产生折射率差,所述非导电层由含有氧化硅、铟的氧化物和钛的氧化物且钛氧化物摩尔浓度与铟氧化物摩尔浓度之比为1.2以上的材料构成,对所述控制电极施加在所述基板产生1V/μm以上的电场的电压。
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公开(公告)号:CN103262175B
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:CN201180049693.8
申请日:2011-10-13
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01B1/08 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: H01B1/08 , C23C14/48 , G02F2201/12 , G02F2201/501 , G02F2203/01 , H01B5/14 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/0392 , H01L31/1884 , H01L51/5253 , Y02E10/50 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明是透明导电性膜等,所述透明导电性膜是具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜,阻气层由包含硅Si原子、氧O原子和碳C原子的材料构成,该阻气层的表层部中的硅Si原子、氧O原子和碳C原子的含量是,相对于硅Si原子、氧O原子和碳C原子的合计100原子%,硅Si原子:18.0~28.0%,氧O原子:48.0~66.0%,碳C原子:10.0~28.0%,并且,透明导电性膜在40℃90%RH气氛下的水蒸气透过率为6.0g/m2/天以下,波长550nm时的可见光透过率为90%以上。根据本发明,可提供具有优异的阻气性和透明性,即使在高温高湿度环境下,薄层电阻值的变化也少,保持低值,导电性优异的透明导电性膜等。
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公开(公告)号:CN106502013A
公开(公告)日:2017-03-15
申请号:CN201710004907.9
申请日:2017-01-04
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1335 , G09G3/36
CPC classification number: G02F1/1336 , G02F1/13306 , G02F1/133553 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/19 , G02F2001/133616 , G02F2001/133618 , G02F2201/12 , G02F2202/10 , G02F2202/101 , G02F2203/02 , G09G3/36
Abstract: 本发明公开了一种反射式显示面板及其驱动方法、像素单元的控制方法,包括:衬底基板、反射层、像素界定层、第一电极层和第二电极层,其中,像素界定层限定出若干个像素单元;第一电极层位于像素界定层背向衬底基板的一侧,第二电极层位于第一电极层背向衬底基板的一侧且与第一电极层之间绝缘,第一电极层和第二电极层的材料均为电光材料,第二电极层在衬底基板上的正投影与第一电极层在衬底基板上的正投影存在交叠区域,交叠区域与像素单元对应设置。本发明的技术方案可在无需设置开关晶体管的情况下,利用位于像素单元所对应区域中的第一电极层和第二电极层来控制从第二电极层的表面折射出的折射光的相位,从而来控制相应像素单元开启或关闭。
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公开(公告)号:CN106249947A
公开(公告)日:2016-12-21
申请号:CN201610587410.X
申请日:2016-07-22
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
CPC classification number: G06F3/041 , G02F1/13338 , G02F1/1362 , G02F2201/12 , G06F2203/04103 , H01L21/77 , H01L27/12 , G06F3/0412 , C23C30/00 , H05K1/02
Abstract: 本发明涉及一种基板及显示装置,用以解决现有的大尺寸OGS及其他高性能要求的触控模组中,针对触控模组中低方阻的金属膜层,采用多次镀膜的膜质较差,小丘现象出现的概率明显增大,容易导致屏幕不良的问题。该基板,包括衬底基板和设置在衬底基板上的信号线,信号线包括:至少两个主膜层,以及设置在每相邻的两个主膜层之间的第一附加膜层;其中,主膜层的导电率大于第一附加膜层的导电率;主膜层的结晶度低于第一附加膜层的结晶度。本发明的基板中的信号线由至少两个主膜层构成,即低方阻的信号线需要多次镀膜时,在每相邻的两个主膜层之间,增加结晶度更高的第一附加膜层,可以减小待镀的主膜层上小丘出现的几率,提高屏幕良率。
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公开(公告)号:CN106249945A
公开(公告)日:2016-12-21
申请号:CN201610584879.8
申请日:2016-07-22
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC: G06F3/041
CPC classification number: G06F3/0412 , G02B1/115 , G02F2201/12 , G06F1/1643 , G06F3/00 , G06F3/03547 , G06F3/041 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明提供了一种触控屏及其制作方法、触控装置,属于触控技术领域。触控屏,包括形成在衬底基板上的触控电极和覆盖所述触控电极的消影层,所述触控屏还包括:形成在所述消影层上第一区域的增透图形,所述增透图形与所述消影层和所述衬底基板相配合能够使得所述第一区域的可见光透过率大于阈值。本发明的技术方案能够提高触控屏特定区域的透过率,并且不会增加生产成本和工艺难度。
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公开(公告)号:CN106055161A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610499991.1
申请日:2016-06-29
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC: G06F3/041
CPC classification number: G06F3/0412 , G02F2201/12 , G06F1/1643 , G06F3/041 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明公开了一种触控屏及其制作方法、显示装置,涉及显示领域,能够可实现柔性触控,同时解决了柔性基板制作时比较软不好操作的问题。本发明的触控屏的制作方法,包括:在第一基板上沉积辅助膜层,所述辅助膜层的材料包括制备石墨烯所需要的石墨烯催化剂;通过构图工艺,在所述辅助膜层刻蚀出触控图形;在刻蚀出触控图形的所述辅助膜层上制备石墨烯膜层,形成的所述石墨烯膜层具有与所述辅助膜层的触控图形一致的图形;在所述石墨烯膜层上形成柔性基膜;去除所述第一基板以及所述辅助膜层。
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公开(公告)号:CN105609537A
公开(公告)日:2016-05-25
申请号:CN201610132761.1
申请日:2016-03-09
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Inventor: 鲍里斯·克里斯塔尔
IPC: H01L27/32
CPC classification number: G02F1/19 , G02F1/15 , G02F1/23 , G02F1/29 , G02F3/02 , G02F2201/12 , G02F2201/123 , G02F2201/34 , G02F2203/01 , G02F2203/02 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L27/32 , H01L27/3211 , H01L27/3248 , H01L51/5271 , H01L2227/323 , H01L27/3246
Abstract: 本发明涉及发光显示器件及其制造方法。一种发光显示器件包括一个或多个像素区域,每个所述像素区域设置有位于基板上的透明式的发光器件,至少部分所述像素区域设置有位于所述基板和所述发光器件之间、能够在透射与反射模式之间切换的可切换镜。
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公开(公告)号:CN105308488A
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:CN201480033947.0
申请日:2014-06-12
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Inventor: N·达格利
IPC: G02B6/28
CPC classification number: G02F1/2255 , G02B6/125 , G02B6/132 , G02B6/42 , G02B2006/1204 , G02B2006/12047 , G02B2006/12054 , G02B2006/12078 , G02B2006/12128 , G02B2006/12142 , G02B2006/12159 , G02F1/0121 , G02F1/01708 , G02F1/025 , G02F1/2257 , G02F2001/212 , G02F2201/12 , G02F2202/20 , G02F2202/42
Abstract: 本发明公开了一种电光调制器及其制造方法,所述电光调制器包括马赫曾德尔干涉仪,马赫曾德尔干涉仪设置在去除了半导体层和共面波导的基板内部。从共面波导中传出的信号通过第一、第二介电层与马赫曾德尔干涉仪电容耦合,第一、第二介电层具有很强的介电常数色散。
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公开(公告)号:CN102667578B
公开(公告)日:2015-09-23
申请号:CN201080052993.7
申请日:2010-11-24
Applicant: 西铁城控股株式会社
CPC classification number: G02F1/3775 , G02B6/4272 , G02F1/3501 , G02F2001/3505 , G02F2201/02 , G02F2201/12 , G02F2201/307 , G02F2202/20 , G02F2202/28 , G02F2202/36 , G02F2203/60
Abstract: 本发明的光学器件(20)是使形成了光波导路(8)的光学元件(6)接合到基板(2)的器件,特征在于,在与光学元件(6)的基板(2)对置的面上,形成光波导路(8)和用于加热光波导路(8)的薄膜加热器(4),光学元件(6)和基板(2)通过由金属材料构成的第1接合部(12)和第2接合部(14)接合,经由第1接合部(12)和第2接合部(14),薄膜加热器(4)与基板(2)上的布线导通连接。通过设为这样的构成,不需要另外设置导通连接用的布线,从而能够消除光学元件(6)上的冗余区域而实现小型化,且能够简化制造工序。
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