半导体激光装置的制造方法及半导体激光条的检查方法

    公开(公告)号:CN101373884A

    公开(公告)日:2009-02-25

    申请号:CN200810130888.5

    申请日:2008-08-21

    CPC classification number: H01S5/4025 H01S5/0201 H01S5/2201

    Abstract: 在半导体基板上,使第1导电型的包覆层、活性层、第2导电型的第1包覆层及第2导电型的第2包覆层依次进行晶体生长,对上述第2导电型的第2包覆层进行加工,形成带状的多个脊形结构部,在与上述脊形结构部的长度方向正交的方向上裂开,形成激光条;将在脊形结构部的长度方向上隔开指定的间隔而排列脊形结构部后的列排列多个;该列和邻接的列,在脊形结构部的长度方向上错开,以使得脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的另一端部在脊形结构部的长度方向上互相重叠;使脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的端部相重叠的区域裂开。采用该方法,就可以提供一种能以简单的方法对每个芯片判别谐振器长度的偏差是否在允许范围内的半导体激光装置的制造方法以及其制造工序中的半导体激光条的检查方法。

    GaN基半导体器件
    96.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100440656C

    公开(公告)日:2008-12-03

    申请号:CN03819204.7

    申请日:2003-06-19

    Abstract: 一种GaN半导体发光器件,形成在GaN单晶衬底上且具有使电流泄漏更小的结构。该GaN半导体激光器件(50)包括设置在多层结构上的p侧和n侧电极,并具有与蓝宝石衬底上制造的传统GaN半导体激光器件相同的结构,除了用GaN单晶衬底(52)取代蓝宝石衬底且GaN化合物半导体层的多层结构直接形成在GaN单晶衬底(52)上而未形成GaN-ELO结构层之外。GaN单晶衬底(52)具有每个均具有10μm的宽度的连续带状核部分(52a),核部分(52)之间的距离约400μm。激光带(30)、p侧电极(36)的金属焊垫(37)、以及n侧电极(38)设置在除核部分(52a)之外的区域上的多层结构上。金属焊垫(37)的侧边缘与核部分的边缘之间的水平距离Sp和n侧电极(38)与核部分(52a)的边缘之间的水平距离Sn都为95μm。

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