公开(公告)号：CN100533884C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200510076167.7

申请日：2005-06-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/323 ,  H01S5/22 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 提供了一种用于制造半导体元件的方法和利用该方法制造的半导体元件，该方法包括：第一步骤，在具有作为其至少一部分表面的氮化物半导体层的衬底上，形成至少包括一个凹陷部分的刻槽区域和作为非刻槽区域的脊部分，由此生成已处理衬底；以及第二步骤，布设一氮化物半导体分层结构部分，该部分至少包括在刻槽区域中和脊部分表面上的一种类型的氮化物半导体薄膜。在第二步骤中，使设置在接近刻槽区域的脊部分的区域上的氮化物半导体分层结构的厚度大于设置在半导体元件生成区上的氮化物半导体分层结构部分的厚度，由此在接近刻槽区域的脊部分的区域上形成第一伪脊部分。

公开(公告)号：CN101453098A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810178899.0

申请日：2008-12-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川上俊之 ,  川口佳伸 ,  神川刚

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/028 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/028 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0281 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明公开了一种发光元件及其制造方法。在使用具有六方晶体结构的氮化物半导体的激光芯片1中，－c面被用作第一谐振器端面A，其为通过其光被发射得激光芯片1侧。在第一谐振器端面A上，也就是在－c面上，形成端面保护膜14。这确保在第一谐振器端面A和端面保护膜14之间稳固地接合，并减轻第一谐振器端面A的退化。

公开(公告)号：CN100476472C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200580006102.3

申请日：2005-02-24

Applicant: 安华高科技光纤IP(新加坡)私人有限公司

Inventor： 大卫·P·鲍尔 ,  斯科特·W·库兹纳

IPC: G02B6/10

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G02B6/131 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34366 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04

Abstract: 本器件是光电子器件或透明波导器件，它包括生长表面(122、生长掩模(132)、光波导芯型平台(140)和包层(160)。生长掩模位于生长表面上，并限定了细长形生长窗口(134)。光波导芯型平台位于生长窗口中，并具有梯形截面形状。包层覆盖光波导芯型平台，并延伸到至少部分生长掩模上方。这种器件是通过提供具有生长表面(122)的晶片(110)、在第一生长温度下通过微选择区域生长在生长表面上生长光波导芯型平台(140)、并在低于第一生长温度的第二生长温度下用包层材料(160)覆盖光波导芯型平台而制造的。

公开(公告)号：CN101373884A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810130888.5

申请日：2008-08-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 鹿岛孝之 ,  伊藤启司 ,  牧田幸治

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/4025 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/2201

Abstract: 在半导体基板上，使第1导电型的包覆层、活性层、第2导电型的第1包覆层及第2导电型的第2包覆层依次进行晶体生长，对上述第2导电型的第2包覆层进行加工，形成带状的多个脊形结构部，在与上述脊形结构部的长度方向正交的方向上裂开，形成激光条；将在脊形结构部的长度方向上隔开指定的间隔而排列脊形结构部后的列排列多个；该列和邻接的列，在脊形结构部的长度方向上错开，以使得脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的另一端部在脊形结构部的长度方向上互相重叠；使脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的端部相重叠的区域裂开。采用该方法，就可以提供一种能以简单的方法对每个芯片判别谐振器长度的偏差是否在允许范围内的半导体激光装置的制造方法以及其制造工序中的半导体激光条的检查方法。

公开(公告)号：CN101361238A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200780001734.X

申请日：2007-07-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 井上大二朗 ,  别所靖之 ,  畑雅幸 ,  野村康彦 ,  德永诚一

IPC: H01S5/02

CPC classification number: H01S5/0425 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件及其制造方法，能够得到能够抑制光波导的损伤的半导体激光元件。该GaN类半导体激光芯片(半导体激光元件)包括：由氮化物类半导体构成的n型GaN基板；和形成在n型GaN基板上，由形成有构成在F方向延伸的光波导的脊部的氮化物类半导体构成的半导体层。此外，脊部(光波导)形成在从半导体层的中央部向一侧偏移的区域中。此外，在与脊部(光波导)的一侧相反的一侧的区域中，以在与脊部(光波导)延伸的F方向交叉的方向延伸的方式，从半导体层侧形成有解理导入用台阶。

公开(公告)号：CN100440656C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN03819204.7

申请日：2003-06-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 后藤修 ,  松本治 ,  佐佐木智美 ,  池田昌夫

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/0207 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/32341

Abstract: 一种GaN半导体发光器件，形成在GaN单晶衬底上且具有使电流泄漏更小的结构。该GaN半导体激光器件(50)包括设置在多层结构上的p侧和n侧电极，并具有与蓝宝石衬底上制造的传统GaN半导体激光器件相同的结构，除了用GaN单晶衬底(52)取代蓝宝石衬底且GaN化合物半导体层的多层结构直接形成在GaN单晶衬底(52)上而未形成GaN-ELO结构层之外。GaN单晶衬底(52)具有每个均具有10μm的宽度的连续带状核部分(52a)，核部分(52)之间的距离约400μm。激光带(30)、p侧电极(36)的金属焊垫(37)、以及n侧电极(38)设置在除核部分(52a)之外的区域上的多层结构上。金属焊垫(37)的侧边缘与核部分的边缘之间的水平距离Sp和n侧电极(38)与核部分(52a)的边缘之间的水平距离Sn都为95μm。

公开(公告)号：CN101290963A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810092602.9

申请日：2008-04-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  藏本恭介

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3211 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明涉及一种抑制工作电压的氮化物半导体元件，目的在于提供一种适于在较低的电压下的利用的由氮化物系半导体构成的半导体激光器或发光二极管等发光元件。具有：p型接触层(28)；形成在p型接触层(28)下层的p型中间层(26)；形成在p型中间层的下层的p型覆盖层(24)。p型接触层(28)和所述p型中间层(26)之间、以及p型中间层(26)与所述p型覆盖层(24)之间的带隙差分别为200meV以下。

公开(公告)号：CN101160700A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200680012137.2

申请日：2006-03-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藏本恭介

IPC: H01S5/042

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 减小穿透位错部的电流泄漏，由此，可得到静电耐压较高、应对电源电涌较强并且长期可靠性也较高的半导体激光器。该半导体激光器包括：具有位错密度为1×105cm－2以上的高位错区域的衬底；设置在衬底上且具有活性层的半导体晶体；设置在半导体晶体上的绝缘膜；表面电极，设置在绝缘膜上，为对活性层注入电流而与半导体晶体导通；设置在衬底下的背面电极，其中，将激光共振器长设为L时，表面电极的面积为120×Lμm2以下。

公开(公告)号：CN1933105A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610159297.1

申请日：2002-10-03

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  索尼株式会社

Inventor： 朝妻庸纪 ,  冨谷茂隆 ,  玉村好司 ,  东条刚 ,  后藤修 ,  元木健作

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L29/30 ,  H01S5/323 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B25/02 ,  B82Y20/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/173

Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。

公开(公告)号：CN1913104A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610095905.7

申请日：2003-03-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 户田忠夫 ,  山口勤 ,  畑雅幸 ,  野村康彦

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/60 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/32341 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/305 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，它依次具有以下工序：对由具有纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面进行研磨，随后在上述研磨过的第1半导体层的背面上形成n侧电极，用连接法安装氮化物系半导体激光元件。本发明还提供另一种氮化物系半导体元件的制造方法，它依次具有以下工序：对由具有纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面进行研磨，在上述研磨过的第1半导体层背面上形成n侧电极，热处理，附着在所述n侧电极与放热基台之间。这些方法可降低氮化物系半导体基板等的氮面与电极之间的接触电阻。