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公开(公告)号：CN101361238A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200780001734.X
申请日：2007-07-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件及其制造方法，能够得到能够抑制光波导的损伤的半导体激光元件。该GaN类半导体激光芯片(半导体激光元件)包括：由氮化物类半导体构成的n型GaN基板；和形成在n型GaN基板上，由形成有构成在F方向延伸的光波导的脊部的氮化物类半导体构成的半导体层。此外，脊部(光波导)形成在从半导体层的中央部向一侧偏移的区域中。此外，在与脊部(光波导)的一侧相反的一侧的区域中，以在与脊部(光波导)延伸的F方向交叉的方向延伸的方式，从半导体层侧形成有解理导入用台阶。
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公开(公告)号：CN101276990B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200810086910.0
申请日：2008-03-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0213 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2216 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 本发明提供一种能够提高半导体激光元件的波导路的解理面的平坦性的半导体激光元件。该半导体激光元件具有：支撑基板；具有设有沿第一方向延伸的波导路的端部的一对共振器面的半导体激光元件部；以及粘接支撑基板和半导体激光元件部的粘接层。粘接层在共振器面附近具有在所述波导路的至少是端部附近的区域上形成的空隙部。
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公开(公告)号：CN101789562A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010103971.0
申请日：2010-01-26
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件的制造方法和半导体激光元件。该半导体激光元件的制造方法包括：形成表面具有用于劈开的第一槽的第一半导体激光元件基板的工序；将第二半导体激光元件基板贴合在具有第一槽的表面一侧的工序；和在此之后，至少沿第一槽劈开第一半导体激光元件基板和第二半导体激光元件基板的工序。
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公开(公告)号：CN1937270B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200610154361.7
申请日：2006-09-22
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 德永诚一
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/504 , H01L33/44
Abstract: 本发明的发光装置具有：发出第一波长的光的发光元件；利用波长变换材料变换第一波长的光的发光变换部分，该波长变换材料包含吸收第一波长的光并发出波长比第一波长的光长的第二波长的光的短波长变换材料、和吸收第一波长的光并发出波长比第二波长长的光的长波长变换材料，在第一区域中所包含的波长变换材料中短波长变换材料占的比例，比发光变换部分全体中所包含的波长变换材料中短波长变换材料占的比例低，在第二区域中所包含的波长变换材料中短波长变换材料占的比例，比在发光变换部分全体中所包含的波长变换材料中短波长变换材料占的比例高。
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公开(公告)号：CN1937270A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610154361.7
申请日：2006-09-22
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 德永诚一
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/504 , H01L33/44
Abstract: 本发明的发光装置具有：发出第一波长的光的发光元件；利用波长变换材料变换第一波长的光的发光变换部分，该波长变换材料包含吸收第一波长的光并发出波长比第一波长的光长的第二波长的光的短波长变换材料、和吸收第一波长的光并发出波长比第二波长长的光的长波长变换材料，在第一区域中所包含的波长变换材料中短波长变换材料占的比例，比发光变换部分全体中所包含的波长变换材料中短波长变换材料占的比例低，在第二区域中所包含的波长变换材料中短波长变换材料占的比例，比在发光变换部分全体中所包含的波长变换材料中短波长变换材料占的比例高。
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公开(公告)号：CN102377105A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110226624.1
申请日：2011-08-04
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02204 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01S5/02212 , H01S5/02216 , H01S5/02244 , H01S5/02296 , H01S5/0683 , H01S5/32341 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置和光装置。该半导体激光装置具备：由多个部件构成且内部具有密封空间的封装体和配置在密封空间内的半导体激光元件，部件的位于密封空间内的表面由含有乙烯-聚乙烯醇共聚物的被覆剂覆盖。
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公开(公告)号：CN101361238B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200780001734.X
申请日：2007-07-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件及其制造方法，能够得到能够抑制光波导的损伤的半导体激光元件。该GaN类半导体激光芯片(半导体激光元件)包括：由氮化物类半导体构成的n型GaN基板；和形成在n型GaN基板上，由形成有构成在F方向延伸的光波导的脊部的氮化物类半导体构成的半导体层。此外，脊部(光波导)形成在从半导体层的中央部向一侧偏移的区域中。此外，在与脊部(光波导)的一侧相反的一侧的区域中，以在与脊部(光波导)延伸的F方向交叉的方向延伸的方式，从半导体层侧形成有解理导入用台阶。
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公开(公告)号：CN101276990A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810086910.0
申请日：2008-03-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0213 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2216 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 本发明提供一种能够提高半导体激光元件的波导路的解理面的平坦性的半导体激光元件。该半导体激光元件具有：支撑基板；具有设有沿第一方向延伸的波导路的端部的一对共振器面的半导体激光元件部；以及粘接支撑基板和半导体激光元件部的粘接层。粘接层在共振器面附近具有在所述波导路的至少是端部附近的区域上形成的空隙部。
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