公开(公告)号：JP5849108B2

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：JP2013558428

申请日：2012-03-15

Applicant: エコール ポリテクニック フェデラル ドゥ ローザンヌ (ウペエフエル) ,  ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL)

Inventor： ベルネイ,ジャン

IPC: H01J37/063 ,  H01J37/21 ,  H01J37/073

CPC classification number: G21K5/04 ,  H01J37/073 ,  H01J2201/342 ,  H01J2237/06333 ,  H01J2237/065

公开(公告)号：JP5848414B2

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：JP2014148783

申请日：2014-07-22

Applicant: エコール・ポリテクニーク・フェデラル・ドゥ・ローザンヌ (ウ・ペ・エフ・エル) ,  ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL)

Inventor： マークラム,ヘンリー

IPC: H03M7/30

CPC classification number: H03M7/02 ,  H03M5/04 ,  H03M5/16 ,  H04L25/4902 ,  H04L25/4917

公开(公告)号：JP2014518387A

公开(公告)日：2014-07-28

申请号：JP2014517893

申请日：2012-06-28

Applicant: エコール ポリテクニーク/デジェアエルEcole Polytechnique/Dgar

Inventor： アントヌッチ ラウラ ,  ボンバレ アドリーヌ ,  ジョフル マニュエル ,  ソリナ グサビエ

IPC: G01N21/01

CPC classification number: G01N21/255 ,  G01B9/02001 ,  G01N21/17 ,  G01N21/636 ,  G01N2021/1736 ,  G01N2021/1789 ,  G01N2021/1791

Abstract: 第１の光パルスを受けたサンプルの反応を測定するための光パルスの管理装置であって、前記測定は、前記第１のパルスに対して所定の時間間隔だけシフトした第２の光パルスを受けたサンプルにより発生したシグナルを分析することにより実行され、二つのパルスレーザ光源（１、３）からそれぞれ発生した二つの光ビームのパルスの検出のための二つの光検出器（２１、２３）であって、前記各ビームは、相異なった、任意の、かつ、所定の期間安定した、各繰り返し周波数を有し、前記サンプルの方向に向かうパルスを発生する、光検出器と、前記第１ビーム及び前記第２ビームそれぞれから生じ、第１パルス及び第２のパルスを構成する二つのパルスの間の時間間隔を決定するための、前記光検出器が接続されたコンピュータ（２５）とを含み、前記コンピュータは、前記サンプルの反応を測定するための分析器（１５）に接続され、入力パラメータとして、前記二つのパルス間の時間間隔を有し、さらに、前記コンピュータ（２５）は、前記時間間隔を決定するために前記繰り返し周波数の安定性を利用したアルゴリズムを用いることを特徴とする装置。
【選択図】図１

公开(公告)号：JP5507841B2

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：JP2008531814

申请日：2006-09-21

Applicant: エコール ポリテクニーク/デジェアエルEcole Polytechnique/Dgar

Inventor： ムル，ジェラール ,  ガルバノスカ，アルマンタス ,  フラン，ダニエル

IPC: H01S3/10 ,  H01S3/067

CPC classification number: H01S3/2383 ,  H01S3/0057 ,  H01S3/06758

公开(公告)号：JP5425789B2

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：JP2010528466

申请日：2008-10-10

Applicant: エコール ポリテクニックEcole Polytechnique ,  シリオ テクノロジーSilios Technologies

Inventor： カノーヴァ，フェデリコ ,  シャンバル，ジャン＝ポール ,  ティッセラン，ステファーヌ ,  レヴァルサ，ファビアン

IPC: G02B27/09 ,  G02B5/00

CPC classification number: G02B27/58 ,  G02B5/32 ,  G02B27/0905 ,  G02B27/0944

公开(公告)号：JP5350259B2

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：JP2009535596

申请日：2007-10-26

Applicant: ダウ・コーニング・コーポレイション ,  エコール ポリテクニックEcole Polytechnique

Inventor： アイ カバロカス，ペレ ロカ ,  バルキン，パヴェル ,  ダイネカ，ドゥミトゥリ ,  リンポール，パトリック ,  デカン，ピエール ,  デ ムーレンドル，ティボー ケルヴィン

IPC: C23C16/511 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32678 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H05H1/46

Abstract: An apparatus is described for depositing a film on a substrate from a plasma. The apparatus comprises an enclosure (1), a plurality of plasma generator elements (4,5) disposed within the enclosure, and means (10,12), also within the enclosure, for supporting the substrate, Each plasma generator element comprises a microwave antenna (4) having an end from which microwaves are emitted, a magnet (5) disposed in the region of the said antenna end and defining therewith an electron cyclotron resonance region in which a plasma can be generated, and a gas entry element (20) having an outlet (21) for a film precursor gas or a plasma gas. The outlet is arranged to direct gas towards a film deposition area situated beyond the magnet, as considered from the microwave antenna, the outlet being located above the ends of the magnets nearest the film deposition area, and thus being located in, or above, the hot electron confinement envelope.

公开(公告)号：JP5276594B2

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：JP2009535599

申请日：2007-10-26

Applicant: ダウ・コーニング・コーポレイション ,  エコール ポリテクニックEcole Polytechnique

Inventor： アイ カバロカス，ペレ ロカ ,  バルキン，パヴェル ,  ダイネカ，ドゥミトゥリ ,  リンポール，パトリック ,  デカン，ピエール ,  デ ムーレンドル，ティボー ケルヴィン

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32678 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/511 ,  C23C16/515 ,  H01J37/32192

公开(公告)号：JP2012522330A

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：JP2012501251

申请日：2010-03-18

Applicant: エコール ポリテクニックEcole Polytechnique ,  サントゥル ナシオナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティ フィック セーエヌエールエス

Inventor： ディーヌ，セバスティアン

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/509 ,  H01J37/36 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/32091

Abstract: 誘導プラズマアプリケータは、強磁性誘導結合供給源（３，４）と、プラズマ供給源の中心に位置するホールパターンを有する電極（６）とを備える。 そのようなプラズマアプリケータは、プラズマに十分なエネルギを供給する。 上記プラズマアプリケータは、電気回路の製造技術を用いて製造されることが望ましい。 強磁性誘導結合プラズマ供給源の電極（６）およびコイル（３）は、絶縁基板に形成された金属トラック部である。 例えば、上記プラズマアプリケータは、プリント回路基板技術を用いて製造される。

公开(公告)号：JP4791361B2

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：JP2006524325

申请日：2004-08-25

Applicant: エコール・ポリテクニーク・フェデラル・ドゥ・ローザンヌ(ウペエフエル)Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL)

Inventor： チャオ・ドンビン ,  フェイ・チャオフ ,  ポール・ダイソン

IPC: C07D233/61 ,  B01J31/02 ,  B01J31/18 ,  B01J31/40 ,  C07D233/54 ,  C07F5/02 ,  C07F15/00

CPC classification number: C07F5/022 ,  B01J31/0218 ,  B01J31/0284 ,  B01J31/0285 ,  B01J31/1805 ,  B01J31/30 ,  B01J31/4038 ,  B01J2231/4211 ,  B01J2231/645 ,  B01J2531/821 ,  B01J2531/824 ,  B01J2531/828 ,  C07D233/54 ,  C07D233/56 ,  Y02P20/584

公开(公告)号：JP2011177526A

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：JP2011094950

申请日：2011-04-21

Applicant: Epfl Ecole Polytechnique Federale De Lausanne ,  Univ De Geneve ,  ウペエフエル・エコル・ポリテクニック・フェデラル・ドゥ・ローザンヌEpfl Ecole Polytechniquefederale De Lausanne ,  ユニヴェルシテ・ドゥ・ジュネーブUniversite De Geneve

Inventor： DESCOUTS PIERRE ,  ARONSSON BJOERN-OWE ,  GRAETZEL MICHAEL ,  VIORNERY CARINE ,  PECHY PETER

IPC: A61C13/10 ,  A61L27/00 ,  A61B17/58 ,  A61C8/00 ,  A61F2/00 ,  A61F2/18 ,  A61F2/28 ,  A61F2/30 ,  A61L27/06 ,  A61L27/10 ,  A61L27/32 ,  A61L27/34 ,  C07F9/38 ,  C07F9/40 ,  C07K14/495

CPC classification number: A61F2/28 ,  A61C8/0012 ,  A61C2008/0046 ,  A61F2/0095 ,  A61F2/30767 ,  A61F2310/00017 ,  A61F2310/00023 ,  A61F2310/00029 ,  A61F2310/00047 ,  A61F2310/00053 ,  A61F2310/00059 ,  A61F2310/00089 ,  A61F2310/00095 ,  A61F2310/00131 ,  A61F2310/00401 ,  A61F2310/00407 ,  A61F2310/00413 ,  A61F2310/00431 ,  A61F2310/00443 ,  A61F2310/00449 ,  A61F2310/00485 ,  A61F2310/00491 ,  A61F2310/00544 ,  A61F2310/00598 ,  A61F2310/00616 ,  A61F2310/0073 ,  A61F2310/00748 ,  A61F2310/00796 ,  A61F2310/00856 ,  A61F2310/0088 ,  A61F2310/00928 ,  A61F2310/00976 ,  A61L27/06 ,  A61L27/10 ,  A61L27/32 ,  A61L2430/02 ,  C07F9/3808 ,  C07F9/3843 ,  C07F9/3865 ,  C07F9/3873 ,  C07F9/4046 ,  C07F9/5721 ,  C07F9/582 ,  C07F9/65061 ,  C07F9/6561

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an endosseous implant to be applied to a human bone or an animal bone and a production method thereof. SOLUTION: The surface of the endosseous implant is made from titanium or a titanium alloy, the implant having a smooth or rough surface texture, which is characterized in that the surface has been treated with at least one selected organic phosphonate compound or a pharmaceutically acceptable salt or ester or an amide thereof. Process for producing the implants is also provided. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供施用于人骨或动物骨的骨内植入物及其制造方法。 解决方案：内骨植入物的表面由钛或钛合金制成，植入物具有光滑或粗糙的表面纹理，其特征在于表面已用至少一种选择的有机膦酸酯化合物或 药学上可接受的盐或酯或其酰胺。 还提供了用于生产植入物的方法。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT