公开(公告)号：CN105742203B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201410749979.2

申请日：2014-12-10

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 倪图强 ,  黄智林

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633

Abstract: 本发明涉及一种改变处理腔室内气体流动模式的装置及晶圆处理方法和系统；基于通过进气口引入到处理腔室的气体对放置于该处理腔室内的晶圆进行处理；在处理腔室内设置进行气体流通模式调整的气体中心环，其中包含位于进气口的下方及晶圆的上方的固定部件，和能分别处在第一位置或第二位置移动环；该移动环在第一位置时，气体通过所述固定部件设置的第一开口向下输送至晶圆；该移动环在第二位置时，气体通过所述移动环设置的第二开口向下输送至晶圆。本发明通过固定部件与可移动部件的不同组合构成的气体中心环，来改变处理腔室内气体流动模式，实现对晶圆处理效果的有效控制，气体中心环调整期间无需打开处理腔室。

公开(公告)号：CN108807122A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810383774.5

申请日：2018-04-26

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： H·梅里克延 ,  O·噶尔斯特延 ,  李贞焕 ,  安宗奂 ,  南信祐

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/321 ,  H03H7/40 ,  H01J37/32798 ,  H01J37/32431 ,  H01L21/67011

Abstract: 所公开的发明为供电装置和包括该供电装置的基板处理装置。所述供电装置包括高频电源，其提供高频功率；等离子体源，其包括通过使用所述高频功率产生等离子体的第一天线和第二天线；以及功率分配器，其连接在所述高频电源和所述等离子体源之间，用于分配供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率。所述功率分配器包括第一可变器件，其控制供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率；以及第二可变器件，其对供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率的非线性进行补偿。

公开(公告)号：CN108754453A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810355413.X

申请日：2015-11-27

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 山本哲夫 ,  丰田一行 ,  松井俊

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/505 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211

Abstract: 本发明提供一种使用等离子体形成高品质的膜的衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。在具有内置有用于载置衬底的衬底载置台的处理室、和使供给到处理室内的气体成为等离子体状态的等离子体生成部的衬底处理装置中，等离子体生成部具有以包围成为供给到处理室内的气体的流路的等离子体生成室的方式配置的等离子体产生导体，等离子体产生导体具有沿着等离子体生成室内的气体的主流方向延伸的多个主导体部、和将主导体部彼此电连接的连接导体部。

公开(公告)号：CN105590826B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201510776969.2

申请日：2015-11-12

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 安德烈亚斯·菲舍尔 ,  索斯藤·利尔

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32972 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L22/26 ,  H05G2/003

Abstract: 本发明涉及经碰撞谐振能转移到能量吸附气体调整等离子体的VUV发射。公开了在半导体处理室中调整来自等离子体的真空紫外(VUV)辐射的发射的方法。所述方法可包括在处理室中产生等离子体,所述等离子体包括VUV发射物气体和碰撞能量吸收物气体,以及通过改变所述等离子体中的VUV发射物气体与碰撞能量吸收物气体的浓度比来调整来自所述等离子体的VUV辐射的发射。在些实施方式中,所述VUV发射物气体可以是氦而所述碰撞能量吸收物气体可以是氖,且在些这样的实施方式中,调整VUV发射可包括使氦和/或氖按定比例流入所述处理室中以改变所述等离子体中的氦与氖的浓度比。此外,本发明还公开了执行上述方法的装置。

公开(公告)号：CN108269726A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201611253676.7

申请日：2016-12-30

Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司

Inventor： 赵馗 ,  倪图强

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J2237/3348

Abstract: 本发明提供一种等离子体刻蚀方法与等离子体刻蚀装置及其射频源系统，用以改善射频功率输出的稳定性。其中的等离子体刻蚀方法，包括多个工作周期，每一周期包括两个阶段：第一阶段，施加并保持偏置功率(P)与射频功率(P1)；第二阶段，设置偏置功率为零，同时调高射频功率(P2)；在所述周期内，射频功率的频率保持不变。更优的实施方式是，在所述周期内保持等离子体阻抗稳定。

公开(公告)号：CN106573253B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201480081074.0

申请日：2014-08-08

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 上野良弘 ,  关洋 ,  奥田浩史

IPC: B03C7/02 ,  G01N15/02 ,  G01N15/06 ,  G01N27/62 ,  H01J49/10

CPC classification number: H01J27/024 ,  B03C7/02 ,  G01N15/0266 ,  G01N27/62 ,  G01N27/622 ,  G01N2015/0038 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01J49/10 ,  H01J49/12

Abstract: 在粒子荷电装置中设置：将框体(20)内分隔成第1空间(29)和第2空间(30)的过滤器(28)；将粒子导入到第1空间的粒子导入单元(22)；对第1空间供给气体离子的气体离子供给单元(10)；为了使气体离子以及通过该气体离子与上述粒子的接触而生成的带电粒子向第2空间移动，在框体内形成电位梯度的电位梯度形成单元(26、27、31)；对过滤器中包括的相互相邻的电极(28a、b)施加相位不同的交流电压的交流电压施加单元(32，33)；为了使带电粒子通过电极之间并且由电极捕捉气体离子，进行控制以将规定的电压施加到各电极的控制单元(35)；以及将移动到第2空间的带电粒子取出到框体外的带电粒子取出单元(23、25、34)。由此，能够抑制多价荷电的发生频度。

公开(公告)号：CN105047599B

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201510187545.2

申请日：2012-03-12

Applicant: 等离子瑟姆有限公司

Inventor： 克里斯·约翰逊 ,  大卫·约翰逊 ,  鲁塞尔·韦斯特曼 ,  林内尔·马丁内斯 ,  大卫·佩斯-沃拉德 ,  戈登·格里夫纳

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/78 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/782 ,  H01L2221/68327 ,  Y10S414/139

Abstract: 本发明提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。所述方法包括：提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源；在所述处理室内提供升降机构；在所述处理室内提供工件支架，所述工件支架具有静电吸盘，所述静电吸盘具有外径，所述静电吸盘的所述外径延伸到所述升降机构；将基板放置到框架上的支撑膜上以形成工件；将所述工件放置到所述处理室内的所述升降机构上；通过所述等离子源产生等离子；使用所产生的等离子来蚀刻所述工件；以及，在所述蚀刻步骤期间，使用所述静电吸盘来静电吸附所述支撑膜的一部分。另外，还提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。

公开(公告)号：CN107424900A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710574814.X

申请日：2013-08-27

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 埃里克·赫德森 ,  安德鲁·D·贝利三世 ,  拉金德尔·迪恩赛

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明涉及加强等离子体处理系统中的等离子体增强蚀刻，具体涉及一种蚀刻等离子体处理室中的衬底的方法，该等离子体处理室至少具有初级等离子体产生区域和通过半阻挡结构与所述初级等离子体产生区域分开的次级等离子体产生区域。所述方法包括从初级等离子体产生区域中的初级原料气体产生初级等离子体。该方法还包括从次级离子体产生区域中的次级原料气体产生次级等离子体，以使从次级等离子体中产生的物质中的至少一些能够迁移至初级等离子体产生区域。所述方法另外包括在用来自次级等离子体的迁移物质来加强初级等离子体之后用该初级等离子体蚀刻衬底。

公开(公告)号：CN107301943A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710623037.3

申请日：2017-07-27

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 刘建生 ,  陈鹏 ,  王文章 ,  常大磊 ,  徐奎 ,  丁培军 ,  姜鑫先 ,  张璐 ,  苏振宁 ,  宋巧丽 ,  贾强

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32798

Abstract: 本发明提供一种法拉第屏蔽件及反应腔室，其包括导电环体，在该导电环体上形成有开缝，该开缝包括第一子开缝，该第一子开缝沿导电环体的圆周方向设置，且与导电环体的轴线之间形成夹角，用以通过增加电磁场在导电环体的圆周方向上的电场分量的耦合效率，来增加该电磁场的总耦合效率。本发明提供的法拉第屏蔽件，其可以提高磁场耦合效率，从而可以降低需要向射频线圈加载的射频功率。

公开(公告)号：CN107195525A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710342783.5

申请日：2017-05-16

Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所

Inventor： 毛朝斌 ,  陈特超 ,  舒勇东 ,  胡凡 ,  罗超 ,  范江华

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/334

Abstract: 本发明公开了一种电感耦合等离子体刻蚀设备，包括反应腔室，还包括快速无扰动气体注入装置和尾气处理装置，所述快速无扰动气体注入装置包括相互独立的刻蚀气体注入组件和侧壁沉积气体注入组件，所述刻蚀气体注入组件和所述侧壁沉积气体注入组件均包括进气管和两路注入管，所述进气管通过一路所述注入管与所述反应腔室连通，并通过另一路注入管与所述尾气处理装置连通。本发明具有结构简单、切换速度快、反应腔室内压力稳定等优点。