CIGS/CIS 나노입자의 셀렌화에 의한 치밀한 CIGSe/CISe 박막 제조방법
    101.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1020120131535A

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:KR1020110049766

    申请日:2011-05-25

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a CIGSe/CISe thin film by the selenization of CIGS/CIS nano particles is provided to improve the efficiency of a solar cell by inducing the high densification of a CIGSe thin film due to lattice expansion. CONSTITUTION: Cu-In-Ga-S or Cu-In-S compound nano particles that are precursors are manufactured(S1). Slurry including precursor nano particles is manufactured(S2). A CIGS or CIS precursor thin film is formed by coating a substrate with the slurry(S3). The precursor thin film is dried(S4). The precursor thin film is thermally processed using vapor selenium(S5). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Is it a desirable thickness?; (CC) End; (S1) Manufacturing CIGS or CIS nanoparticles; (S2) Manufacturing CIGS or CIS nanoparticles based slurry; (S3) Coating slurry with a non-vacuum state; (S4) Drying; (S5) Thermal process with selenization and high temperature

    Abstract translation: 目的:提供通过CIGS / CIS纳米颗粒的硒化制造CIGSe / CISe薄膜的方法,以通过由于晶格扩展引起CIGSe薄膜的高致密度来提高太阳能电池的效率。 构成:制造作为前体的Cu-In-Ga-S或Cu-In-S复合纳米粒子(S1)。 制备包括前体纳米颗粒的浆料(S2)。 通过用浆料涂覆基材来形成CIGS或CIS前体薄膜(S3)。 将前体薄膜干燥(S4)。 使用蒸气硒对前体薄膜进行热处理(S5)。 (附图标记)(AA)开始; (BB)是否是期望的厚度? (CC)结束; (S1)制造CIGS或CIS纳米颗粒; (S2)制造CIGS或CIS纳米颗粒基浆料; (S3)非真空状态的涂布浆料; (S4)干燥; (S5)硒化和高温热处理

    태양전지 패키지 및 태양전지 패키지의 제조방법

    公开(公告)号:KR20180046169A

    公开(公告)日:2018-05-08

    申请号:KR20160141091

    申请日:2016-10-27

    CPC classification number: H02S40/10 H01L31/049

    Abstract: 본발명은중기간또는단기간동안사용할수 있는간단한구조의태양전지패키지에관한것으로, 광전변환에의해전기에너지를생산하는태양전지셀; 상기태양전지셀의전면에위치하는전면밀봉시트; 및상기태양전지셀의후면에위치하는후면밀봉시트를포함하여구성되며, 상기후면밀봉시트에흡습제입자가분산되어있거나, 상기전면밀봉시트및 상기후면밀봉시트모두에흡습제입자가분산되어있고, 상기전면밀봉시트와상기후면밀봉시트가접착되어상기태양전지셀을밀봉하고있는것을특징으로한다. 본발명은, 흡습제입자가분산된밀봉시트를사용하여태양전지셀을밀봉함으로써, 밀봉시트만으로패키징한간단한구조임에도불구하고흡습제입자에의해서습기로부터태양전지셀을보호하여중기간또는단기간동안사용할수 있는태양전지패키지를제공할수 있는효과가있다.

    CIGS계 태양전지 셀의 제조방법 및 CIGS계 태양전지 셀
    108.
    发明授权
    CIGS계 태양전지 셀의 제조방법 및 CIGS계 태양전지 셀 有权
    CIGS太阳能电池制造方法和CIGS太阳能电池

    公开(公告)号:KR101778723B1

    公开(公告)日:2017-09-25

    申请号:KR1020160153512

    申请日:2016-11-17

    Abstract: 본발명은투명한후면전극을구비한 CIGS계태양전지셀의제조방법에관한것으로, 투명한산화물재질의후면전극층을형성하는단계; 상기후면전극층위에금속재질의후면전극패턴을형성하는단계; 상기후면전극패턴이형성된후면전극층위에 CIGS계광흡수층을형성하는단계; 상기광흡수층위에버퍼층을형성하는단계; 및상기버퍼층위에투명재질의전면전극을형성하는단계를포함하여구성되며, 상기후면전극패턴은금속재질의패턴사이에빛이투과하는투과부가형성되는것을특징으로한다. 본발명은, TCO 재질의후면전극층표면에광투과부가형성된금속재질의후면전극패턴을형성함으로써, 후면전극층과광흡수층사이에 GaO가형성되는양을줄일수 있고, GaO가형성되는경우에도후면전극패턴을통해전류가흐르기때문에후면전극층과광흡수층사이의계면저항이증가하는것을방지하여 TCO 재질의후면전극을사용하고도태양전지셀의광전변환효율이뛰어난효과를얻을수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种制造具有透明背电极的CIGS太阳能电池的方法,包括:形成透明氧化物材料的背电极层; 在后电极层上形成金属材料的后电极图案; 在形成有后电极图案的后电极层上形成CIGS光吸收层; 在光吸收层上形成缓冲层; 并且在缓冲层上形成透明材料的前电极,其中后电极图案形成有透明部分,光透过所述透明部分在金属图案之间传输。 本发明中,通过形成TCO材料的底电极表面上形成光透射部分的金属材料构成的背面电极图案,并且即使高正规型电极可降低在背面电极层和光吸收层,背面之间性别高正规型的量, 防止由于跨越使用TCO材料hagodo的背面电极图案中的电流流动的背面电极层和光吸收的增加之间的界面电阻可以得到的太阳能电池的效果优良的光电转换效率。

    광 바이어스 장치 및 이를 포함하는 태양전지 분광응답 측정 장치
    110.
    发明公开
    광 바이어스 장치 및 이를 포함하는 태양전지 분광응답 측정 장치 有权
    光偏转装置和包括其的太阳能电池光谱响应测量装置

    公开(公告)号:KR1020160006371A

    公开(公告)日:2016-01-19

    申请号:KR1020140085798

    申请日:2014-07-09

    CPC classification number: G02B6/293 H02S50/10

    Abstract: 본발명은다양한스펙트럼을갖는빛을출사가능한광 바이어스장치및 이를이용한태양전지분광응답측정장치에관한것이다. 본발명에의한광 바이어스장치는, 빛을발광하는바이어스광원을구비한광원부; 입사된빛이경로를따라이동되는복수의광유로가구비된광가이드부; 및상기광가이드부입구에각각위치되거나, 또는상기광가이드부에서이동되는빛의경로상에위치되거나, 또는상기광가이드부출구에각각위치되는적어도하나의광필터가구비된복수의광필터부를포함한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种能够照射具有各种光谱的光的偏光装置,以及使用其的太阳能电池光谱响应性测定装置。 根据本发明,光偏置装置包括:具有发光的偏置光源的光源部; 导光部,具有入射光沿其移动的多个光路; 以及多个光学滤光器部分,其具有一个或多个光学滤光器,分别位于导光部分的入口中,位于在导光部分中移动的光的路径中,或分别位于导光部分的出口中。

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