Abstract:
An active matrix organic light-emitting diode pixel circuit and an operating method of the same are provided to control a constant current to the organic light emitting diode in regardless of change and unevenness of the threshold voltage by storing the threshold voltage of a driving transistor at each line and compensating it in real time. In an active matrix organic light-emitting diode pixel circuit and an operating method of the same, a first transistor(N1) supplies a driving voltage from a powered terminal(VDD). A second transistor(N2) supplies a current from the first transistor in the organic light-emitting diode. A third transistor(N3) connects the power terminal and a gate of the first transistor according to a scan signal. A first capacitor(C1) connects the first electrode to the gate of the first transistor, and the second electrode of a first capacitor and a source of a first transistor are connected each other according to the scan signal.
Abstract:
A transparent conductive film etching method is provided to form a transparent conductive film pattern having superior step coverage and reduce the area of a TFT through minute patterning. A functional film having durability for etching on a transparent conductive film is formed(101). The transparent conductive film is etched by using photoresist(102). The photoresist is removed(103). The functional film is removed(104). The photoresist is removed by using chemical substance as acetone. The functional film is removed by performing etching during 3 to 5 seconds using etching solution for etching the transparent conductive film.
Abstract:
A hybrid white organic electroluminescent light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to increase fluorescent light emitting efficiency by limiting charge recombination region within a portion of a fluorescent light emitting layer. A first electrode(120) is formed on a substrate(100). A hole implanting layer(130) and a hole transporting layer(140) are sequentially formed on the first electrode. A fluorescent light emitting layer(150) is formed on the hole transporting layer and includes dopant and host. A electron transporting layer(160) allows charge recombination region to be limited with a portion of the fluorescent light emitting layer. An auxiliary light emitting layer(151) is formed at a position spaced apart from the charge recombination region at a predetermined distance and uses phosphorescent emitting material as dopant. An electron implanting layer(170) and a second electrode(180) are sequentially formed on the electron transporting layer.
Abstract:
An organic light emitting device and a method for fabricating the same are provided to prevent ions from diffusing from a substrate to an another layer due to a high temperature process by forming a buffer layer on the substrate. A method for fabricating an organic light emitting device includes the steps of: forming a crystalline buffer layer on a substrate by using oxide material, wherein the buffer layer has a plurality of crystal growth directions(S2); forming an anode on the buffer layer by using the oxide material(S3); forming an organic layer including a light emitting layer on the anode(S4); and forming a cathode on the organic layer(S5), wherein electric conductivity of the anode is improved by crystallization of the buffer layer.
Abstract:
An organic light emitting device including a light diffusion layer and a method for manufacturing the same are provided to increase the life span by protecting a light emitting layer from oxygen or moisture. An organic light emitting device(1) with a light diffusion layer(16) includes a first electrode(11), an organic layer, and a second electrode(15). The first electrode is formed on a substrate(10). The organic layer includes a light emitting layer(13) formed on the first electrode. The second electrode is formed on the organic layer. The light diffusion layer is formed on the second electrode and has a gradient of refractive index to be greater as going away from the second electrode. The light diffusion layer is made of inorganic material. The diffusion and scattering of the light emitted from the light emitting layer is increased by the refractive index gradient of the light diffusion layer and an uneven pattern formed on the surface of the light diffusion layer.
Abstract:
본 발명은 분자자기조립박막을 포함한 유기 전기 발광 소자 및 이들의 제조방법에 관한 것이고, 본 발명에 따른 유기 전기 발광 소자는 애노드 전극, 정공 주입층, 발광층 및 캐소드 전극을 포함하는 유기 전기 발광 소자에 있어서, 상기 정공 주입층과 발광층 사이에 실란 화합물로 형성된 분자자기조립박막을 포함한다. 본 발명에 따른 유기 전기 발광 소자는 정공 주입층으로써 전도성 고분자막을 포함하고, 상기 정공 주입층과 발광층 사이에 분자자기조립박막을 포함시켜, 소자의 안정성을 개선시킴으로써 궁극적으로 소자의 수명을 향상시킬 수 있다. 분자자기조립박막, 유기 전기 발광 소자, 실란 화합물
Abstract:
본 발명은 능동구동형 유기 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 유기 발광 소자는 기판상에 적층되는 복수의 유기 발광부와, 상기 각각의 유기 발광부 상부 및 하부 중 적어도 일 영역에 적층되며, 투명성을 갖는 반도체 물질 및 도전 물질로 이루어진 능동 구동부를 포함한다. 이에 따라, 종래의 유기발광소자에 비해 발광 면적을 극대화할 수 있어 발광 효율을 향상시킬 수 있으며, 유기 발광 소자의 수명을 연장함으로써 소자 특성을 향상시킬 수 있다. 양면 발광, 투명 능동 구동부
Abstract:
본 발명은 발광소자 및 그 제조방법, 다층구조의 유기발광소자 보호막에 관한 것이다. 본 발광소자는 기판상에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되는 적어도 하나의 층으로 이루어진 발광활성층; 상기 발광 활성층 상에 형성되는 제2 전극; 상기 제1 및 제2 전극 및 상기 활성층을 보호하기 위해 상기 제2 전극 상부에 형성되는 다층 구조의 보호막을 포함한다. 이에 따라, 발광활성층 상에 형성되는 보호막을 다층구조로 형성하며, 특히, 유기물질, 무기물질로 이루어진 박막을 사용하므로 낮은 투산소율과 투습율을 용이하게 확보할 수 있다. 완충층, 보호층, 발광소자, 투산소율, 투습율
Abstract:
본 발명은 디스플레이 판넬의 화상 및 수명 측정 장치에 관한 것으로, 측정을 위한 적어도 하나의 디스플레이 판넬이 내부에 위치되며, 내부의 온도 및 습도 조건을 일정하게 유지하는 챔버, 상기 챔버 내에 설치되며, 상기 디스플레이 판넬의 화상신호를 얻기 위한 적어도 하나의 카메라, 제어신호에 따라 측정에 필요한 펄스 형태의 바이어스 전압 및 전류를 제공하며, 상기 디스플레이 판넬의 구동시 전압 및 전류를 측정하여 디지털 데이터로 변환하는 바이어스 공급 및 측정부, 상기 카메라에 의해 얻어진 화상신호를 디지털 데이터로 변환하는 변환부, 및 상기 바이어스 공급 및 측정부와 상기 변환부로부터 상기 디지털 데이터들을 입력받아 파라메터들을 생성하고, 상기 파라미터들을 이용하여 상기 디스플레이 판넬의 수명을 분석하는 제어 및 데이터 처리부를 포함한다. 디스플레이 판넬, 수명, 카메라, 화상신호, 파라메터, 펄스 파형
Abstract:
본 발명은 유기 발광 소자 내 투명 산화물 전극 층의 표면 조성을 다양하게 조절하여 애노드 전극을 형성하는 방법 및 제조된 투명 산화물 전극 층을 애노드 층으로서 포함한 유기 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유기 발광 소자에 있어서의 애노드 전극 층은, 표면 화학 반응을 이용하여 형성된 징크 옥사이드, 틴 옥사이드 및 인듐 옥사이드 중 선택된 산화물 모재료 층이 알루미늄, 징크, 틴, 인듐, 보론 및 갈륨으로 이루어진 그룹에서 선택된 도펀트로 도핑된 구조의 도핑된 산화물 전극 층; 및 상기 도핑된 산화물 전극 층 상에 원자층 증착법에 의하여 형성된 표면 산화물 층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 애노드의 일함수를 조절할 수 있어 다양한 소자 구조에 적절한 애노드의 제조가 용이하며, 저온 공정에서도 특성이 우수하므로 플라스틱을 기판으로 사용하는 유기발광 소자의 제조에도 용이하게 적용할 수 있다.