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公开(公告)号:KR102222724B1
公开(公告)日:2021-03-08
申请号:KR1020150038333A
申请日:2015-03-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 상술한 기술적 과제들을 해결하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 유기전자소자의 보호막 결함 검사 방법은 기판 상의 투명전극, 상기 투명전극 상의 유기물층, 상기 유기물층 상의 금속 전극, 상기 금속 전극 상의 광발광층, 및 상기 광발광층 상의 보호막을 포함하는 유기전자소자에 검사광을 조사하는 것, 및 상기 검사광의 조사에 의해 상기 광발광층에서 생성된 방출광을 검출하는 것을 포함할 수 있다. 상기 보호막은 그의 내부 또는 상면에 결함을 포함하되, 상기 방출광은 상기 결함을 투과하는 제 1 방출광, 및 결함을 포함하지 않는 영역을 투과하는 제 2 방출광을 포함할 수 있다. 상기 결함은 상기 제 1 및 2 방출광들의 세기의 차이에 의해 검출될 수 있다.
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公开(公告)号:KR20210028301A
公开(公告)日:2021-03-12
申请号:KR1020190108571A
申请日:2019-09-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/1334
CPC classification number: G02F1/13342 , G02F1/1334 , G02F1/134309 , G02F2202/022 , G02F2202/04
Abstract: 액정 소자가 제공된다. 본 발명의 실시예들에 따른 액정 소자는 제1 기판; 상기 제1 기판 상에 제공되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 제공되고, 액정 부분 및 소수성 부분을 포함하는 액정층; 및 상기 액정층 상의 제2 전극을 포함하되, 상기 소수성 부분은 상기 액정 부분과 상분리되고, 상기 액정 부분은 고분자 물질들, 제1 염료, 및 상기 고분자 물질들에 분산된 액정 분자들을 포함하고, 상기 소수성 부분은 상기 제1 전극과 이격되고, 상기 소수성 부분은 소수성 물질들 및 제2 염료를 포함하고, 상기 제1 염료는 상기 고분자 물질들에 용해되고, 상기 제2 염료는 소수성 부분에 용해되고, 상기 고분자 물질들은 광 경화성 고분자 물질들을 포함할 수 있다.
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公开(公告)号:KR102233750B1
公开(公告)日:2021-04-01
申请号:KR1020140078173A
申请日:2014-06-25
IPC: H01L29/786 , H01L21/02 , H01L21/335
Abstract: 본 발명은 기상 제트 프린팅을 이용한 금속 산화물 박막의 형성 방법 및 금속 산화물 박막 프린팅 장치에 관한 것으로, 상기 금속 산화물 박막의 형성 방법은, 제1 금속 산화물 전구체를 기화시키는 것; 기화된 상기 제1 금속 산화물 전구체를 제1 캐리어 가스를 이용하여 혼합 챔버로 유입시키는 것; 유입된 상기 제1 금속 산화물 전구체를 상기 혼합 챔버의 하단에 연결된 마이크로 노즐을 통해 기판 상으로 분사하여, 상기 기판 상에 제1 금속 산화물 전구체층을 형성하는 것; 및 상기 제1 금속 산화물 전구체층에 전자기파를 조사하여 제1 금속 산화물층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
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公开(公告)号:KR102246469B1
公开(公告)日:2021-05-03
申请号:KR1020170092951
申请日:2017-07-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/155 , G02F1/1523 , G02F1/1506
Abstract: 본발명은가역전기화학거울을제공한다. 이가역전기화학거울은서로대향되는제 1 기판과제 2 기판; 상기제 1 기판상에배치되며상기제 2 기판에대향되는제 1 투명전극; 상기제 2 기판상에배치되며상기제 1 투명전극과대향되는제 2 투명전극; 상기제 1 투명전극과상기제 2 투명전극사이에개재되는전해질용액; 및상기제 2 투명전극상에배치되며상기전해질용액과접하는대향전극물질층을포함한다.
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公开(公告)号:KR102222724B1
公开(公告)日:2021-03-08
申请号:KR1020150038333
申请日:2015-03-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 상술한기술적과제들을해결하기위한본 발명의실시예에따른유기전자소자의보호막결함검사방법은기판상의투명전극, 상기투명전극상의유기물층, 상기유기물층상의금속전극, 상기금속전극상의광발광층, 및상기광발광층상의보호막을포함하는유기전자소자에검사광을조사하는것, 및상기검사광의조사에의해상기광발광층에서생성된방출광을검출하는것을포함할수 있다. 상기보호막은그의내부또는상면에결함을포함하되, 상기방출광은상기결함을투과하는제 1 방출광, 및결함을포함하지않는영역을투과하는제 2 방출광을포함할수 있다. 상기결함은상기제 1 및 2 방출광들의세기의차이에의해검출될수 있다.
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公开(公告)号:KR102060377B1
公开(公告)日:2020-02-11
申请号:KR1020140009757
申请日:2014-01-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/105 , H01L29/786
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公开(公告)号:KR102061306B1
公开(公告)日:2019-12-31
申请号:KR1020130068263
申请日:2013-06-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
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