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公开(公告)号：CN1755957A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510071664.8
申请日：2005-02-18
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/30612 , H01L33/007 , H01S5/0202 , H01S5/2004 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供了一种制作氮化物半导体发光器件的方法，该半导体发光器件包括在其顶面上形成有延伸成条形的槽和脊的氮化物半导体衬底，以及在氮化物半导体衬底上形成的由多个氮化物半导体层构成的氮化物半导体生长层。该方法包括一个步骤，即通过在氮化物半导体衬底上形成氮化物半导体生长层，至少在槽和脊之一上形成一个大于或等于10μm宽的平坦区，使得在槽上形成的氮化物半导体生长层的高度小于在脊上形成的氮化物半导体生长层的高度。
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公开(公告)号：CN1582520A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN02822141.9
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/0213 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S2301/173
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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公开(公告)号：CN1498447A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03800137.3
申请日：2003-02-20
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/127 , G11B7/1275 , H01S5/026 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4056 , H01S5/4087
Abstract: AlGaInP激光装置(24)和AlGaAs激光装置(26)布置成使相应的带(28，30)相互平行。在当从激光主发射侧(011)(22c)观察时，AlGaInP激光装置(24)布置在相对于基板的中心线的(011)平面(22b)侧而AlGaAs激光装置26布置在相对于基板中心线的(011)平面(22a)侧。基板22是一倾斜基板并相对(100)面由(011)面(22a)侧以在2度到15度范围内的一确定角度，向(011)平面(22b)侧倾斜。AlGaInP激光装置(24)的光轴L1平行于AlGaAs激光装置(26)的光轴L2或以大约0.5度靠近。
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公开(公告)号：CN1497813A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03164978.5
申请日：2003-07-23
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 谷健太郎
CPC classification number: H01S5/22 , H01L33/145 , H01S5/209 , H01S5/2201 , H01S5/2226 , H01S5/2231 , H01S5/32325
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的堆叠状半导体结构；带条纹的脊状结构；以及，位于带条纹的脊状结构的侧面上的半导体电流限制层。堆叠状半导体结构包括第一半导体盖层、半导体有源层、第二半导体盖层和半导体蚀刻停止层。带条纹的脊状结构包括第三半导体盖层、半导体中间层和半导体帽层。带条纹的脊状结构位于半导体蚀刻停止层之上。半导体电流限制层与半导体蚀刻停止层之间的界面上和半导体电流限制层与带条纹的脊状结构之间的界面上含有的杂质含量均少于1×1017/cm3。
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公开(公告)号：CN106911079A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201611110833.9
申请日：2012-01-30
Applicant: 天空激光二极管有限公司
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L24/45 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/49111 , H01S5/005 , H01S5/02252 , H01S5/02284 , H01S5/02292 , H01S5/02476 , H01S5/0287 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/4012 , H01S5/4031 , H01S5/4056 , H01S2301/14 , H01S2304/04 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了具有在基板构件上构造的多个发射器的激光器封装件。提供了一种用于以高功率发射电磁辐射的方法和装置，使用非极性或半极性含镓基板如GaN、AlN、InN、InGaN、AlGaN和AlInGaN。在各种实施方式中，该激光装置包括集成有基板的发射绿色或蓝色激光的多个激光发射器。本发明的激光装置包括：含有镓和氮材料的基板，基板具有特征在于半极性或非极性取向的表面区，基板具有前侧和背侧；位于基板内的至少一个有源区；覆盖有源区的N个发射器的阵列，N大于3，N个发射器的阵列彼此基本上平行并且位于前侧和背侧之间；电耦接于N个发射器的阵列的至少一个电极；以及位于基板的前侧处的至少一个光学构件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102804416B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201080065555.4
申请日：2010-10-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 折田贤儿
CPC classification number: H01L33/0045 , B82Y20/00 , H01S5/0207 , H01S5/1085 , H01S5/125 , H01S5/2201 , H01S5/3201 , H01S5/34333
Abstract: 本发明的半导体发光元件，具备在基板(1)的上表面所设置、且包括活性层(6)的氮化物半导体多层膜。在与活性层(6)的下表面接触的层或者活性层(6)上，形成有凹部(2)、段差和突状部之中至少1种；在氮化物半导体多层膜的上部，形成具有前端面和后端面、且构成光波导路的脊条，从脊条的宽度方向的中心至凹部(2)、段差或突状部的宽度方向的中心之距离，从前端面朝向后端面连续性地或阶段性地变化；活性层(6)的带隙能量，从前端面朝向后端面连续性地或阶段性地变化。
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公开(公告)号：CN102549860B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201080043448.1
申请日：2010-09-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种对于COD具有较大耐性的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第1端面(C+侧)(26)上的第1电介质多层膜(43a)的厚度比第2端面(C-侧)(28)上的第2电介质多层膜(43b)的厚度薄。
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公开(公告)号：CN102668281B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201080059063.4
申请日：2010-11-11
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/2201 , H01S5/3202
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能实现低阈值电流的激光谐振器且具有能提高振荡合格率的构造。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，激光波导路在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸，因此可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，且与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。波导路向量(LGV)与投影分量(VCP)所成的偏移角(AV)可在-0.5度以上+0.5度以下的范围。
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公开(公告)号：CN103606817A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310545985.1
申请日：2010-11-11
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/2201 , H01S5/3202
Abstract: 本发明提供一种外延基板及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法。III族氮化物半导体激光器元件在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能实现低阈值电流的激光谐振器且具有能提高振荡合格率的构造。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，激光波导路在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸，因此可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，且与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。波导路向量(LGV)与投影分量(VCP)所成的偏移角(AV)可在-0.5度以上+0.5度以下的范围。
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公开(公告)号：CN101499621B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN200910126754.0
申请日：2009-01-21
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0203 , H01S5/0425 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S5/2201
Abstract: 本发明提供半导体激光元件及其制造方法。该半导体激光元件包括：基板；和在基板的表面上形成的、具有在与表面平行的第一方向上延伸的光波导的半导体层，光波导在与表面平行且与第一方向交叉的第二方向上，形成于从半导体激光元件的中央部偏向一侧的区域中，在半导体激光元件的上表面上形成有第一区域和第一凹部，该第一区域位于与光波导的上述一侧相反的一侧，与光波导分开并与第一方向平行地延伸，该第一凹部在光波导的端面的延长线上，与光波导分开并与第一区域交叉，并且在第二方向上延伸，第一区域中的半导体层的厚度小于第一区域以外的区域中的半导体层的厚度。
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