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公开(公告)号：CN104303381A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380025897.7
申请日：2013-02-22
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/3013 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/34333
Abstract: 能够提供一种可减少为了得到所希望的光输出所需的工作电流的III族氮化物半导体激光元件。根据III族氮化物半导体激光元件(11)，将光谐振器的第一反射膜(43a)以具有小于60％的反射率的方式形成，并将光谐振器的第二反射膜(43b)以具有85％以上的反射率的方式形成。因而，能够避免阈值电流的增加引起的振荡特性的劣化，并且能够避免光谐振器内的光密度的空间的不均匀的发生。在两端面(26、28)的反射率过低时，由于镜面损耗的增加而阈值电流增加。在两端面(26、28)的反射率过高时，由于光谐振器内的光密度的空间的不均匀的生成而激光增益下降。由于该光密度不均匀(空间的烧孔效应)的发生，不仅是在I-L特性观察到扭曲的现象，而且也会使电力/光输出转换效率下降。
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公开(公告)号：CN102934301B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201080067313.9
申请日：2010-12-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/0202 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/32341
Abstract: 提供一种可提高谐振镜的平坦性且可降低阈值电流的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法。使基板产物(SP)的刻划槽(65a)的方向与支撑装置(71)的边缘(71b)的延伸方向一致，将基板产物(SP)设置于支撑装置(71)。以沿边缘(71b)延伸的基准线(X坐标A1、B1)为界将基板产物(SP)分为第1~第3区域(70a、70b、70c)。用支撑面(71a、71c)支撑基板产物(SP)的第1及第2区域(70a、70b)，并按压第3区域(70c)，从而进行基板产物(SP)的分离，形成另一基板产物(S P1)及激光条(LB1)。在距离支撑面(70a、70c)的边缘(70b、70d)之间的中心线(CNT)SHFT的位置，将刮刀(69)抵压到基板产物。
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公开(公告)号：CN102763293B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201080005492.3
申请日：2010-11-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/2201 , H01S5/3202
Abstract: 本发明提供一种在六方晶系第III族氮化物的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器的第III族氮化物半导体激光元件、及稳定制作该第III族氮化物半导体激光元件的方法。在位于第III族氮化物半导体激光元件(11)的阳极侧的第一面(13a)的四个角部，分别形成有缺口部(113a)等缺口部。缺口部(113a)等为为了分离元件(11)而设的刻划槽的一部分。刻划槽为由激光刻划器而形成，刻划槽的形状为通过控制激光刻划器而调整。例如，缺口部(113a)等的深度与第III族氮化物半导体激光元件(11)的厚度之比为0.05以上0.4以下，缺口部(113a)的端部的侧壁面的倾斜度为45度以上85度以下，缺口部(113b)的端部的侧壁面的倾斜度为10度以上30度以下。
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公开(公告)号：CN102341977B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201080010475.9
申请日：2010-11-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/1082 , H01S5/3202 , H01S5/3211
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支持基体的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器。激光构造体(13)中，第1面(13a)为第2面(13b)的相反侧的面，第1及第2割断面(27、29)从第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。而且，在例如第1割断面(27)的一端，具有从边缘(13c)延伸至边缘(13d)的刻划痕(SM1)，刻划痕(SM1)等具有从边缘(13c)延伸至边缘(13d)的凹形状。割断面(27、29)并非由干式蚀刻形成，与c面、m面或者a面这些目前为止的裂面不同。可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。
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公开(公告)号：CN102025104A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010284406.9
申请日：2010-09-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01S5/0014 , H01S5/0021 , H01S5/0202 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/3211
Abstract: 一种III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法，在六方晶系III族氮化物的c轴朝向a轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能够实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第1和第2切断面(27、29)与a-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在a-n面和半极性面(17a)的交叉线方向上延伸的激光波导。因此，能够利用可实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第1面(13a)是第2面(13b)的相反侧的面。第1及第2切断面从第1面的边缘(13c)延伸至第2面的边缘(13d)。切断面不通过干法蚀刻形成，并且与c面、m面或a面等现有的解理面不同。
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公开(公告)号：CN100414724C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200480009899.8
申请日：2004-08-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L2224/05573 , H01L2224/16245 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/2076 , H01L2224/05599 , H01L2924/00011 , H01L2224/45099
Abstract: 公开了一种发光器件，该发光器件由于其简单结构而容易制造，并且能够长期稳定地保持高发光效率。这种发光器件在氮化物半导体衬底(1)第一主表面侧包含：n-型氮化物半导体层(2)，安置在离氮化物半导体衬底(1)比n-型氮化物半导体层(2)更远处的p-型氮化物半导体层(6)，以及安置在n-型氮化物半导体层(2)和p-型氮化物半导体层(6)之间的发光层(4)。氮化物半导体衬底的电阻率不超过0.5Ω·cm。发光器件是以p-型氮化物半导体层侧向下的方式安装的，从而使光从氮化物半导体衬底的第二主表面(1a)发出，所述的第二主表面位于第一主表面的另一侧。
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公开(公告)号：CN1866557A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610009237.1
申请日：2006-02-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/01012 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014
Abstract: 根据本发明的发光器件，包括：GaN衬底(1)；GaN衬底(1)的第一主表面侧上的n型AlxGa1－xN层(3)；与n型AlxGa1－xN层(3)相比更远离GaN衬底(1)设置的p型AlxGa1－xN层(5)；以及位于n型AlxGa1－xN层(3)和p型AlxGa1－xN层(5)之间的多量子阱(MQW)(4)。在该发光器件中，p型AlxGa1－xN层(5)侧被向下安装，以及光从第二主表面(1a)发射，其中第二主表面是与第一主表面相对的GaN衬底(1)的主表面。在GaN衬底(1)的第二主表面(1a)上形成半球形凸部(82)。
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公开(公告)号：CN1155117C
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN99110302.5
申请日：1999-07-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 一种白色或中性色LED，具有掺杂I、Al、Cl、Br、Ga、In作为SA发射中心的n型ZnSe单晶衬底和包括ZnSe、ZnCdSe或ZnSeTe有源层和p-n结的外延膜结构。有源层发射蓝或蓝绿光。ZnSe衬底中的SA发射中心将蓝或蓝绿光转变为黄或橘黄SA光发射。来自外延膜结构的蓝或蓝绿光和来自ZnSe衬底的黄或橘黄光合成为白色光或红和蓝之间的中性色光。
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公开(公告)号：CN1290967A
公开(公告)日：2001-04-11
申请号：CN00119932.3
申请日：2000-07-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种ZnSe基LED内部设置一注入电流限制区域,用于通过限制用于光发射的注入电流而限制缺陷的增加。当一光传送Au电极(9)的一端从一解理面(13)分离开来时,一靠近解理面(13)的区域充作注入电流限制区域。
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公开(公告)号：CN102549860B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201080043448.1
申请日：2010-09-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种对于COD具有较大耐性的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第1端面(C+侧)(26)上的第1电介质多层膜(43a)的厚度比第2端面(C-侧)(28)上的第2电介质多层膜(43b)的厚度薄。
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