公开(公告)号：USD651326S1

公开(公告)日：2011-12-27

申请号：US29361842

申请日：2010-05-17

Applicant: Chih-Ming Lai ,  Hong-Bin Yang

Designer： Chih-Ming Lai ,  Hong-Bin Yang

公开(公告)号：USD650927S1

公开(公告)日：2011-12-20

申请号：US29361845

申请日：2010-05-17

Applicant: Chih-Ming Lai ,  Hong-Bin Yang

Designer： Chih-Ming Lai ,  Hong-Bin Yang

公开(公告)号：USD650926S1

公开(公告)日：2011-12-20

申请号：US29361843

申请日：2010-05-17

Applicant: Chih-Ming Lai ,  Hong-Bin Yang

Designer： Chih-Ming Lai ,  Hong-Bin Yang

公开(公告)号：USD650292S1

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：US29360628

申请日：2010-04-29

Applicant: Chih-Ming Lai ,  Hong-Bin Yang ,  Ming-Young Shiao

Designer： Chih-Ming Lai ,  Hong-Bin Yang ,  Ming-Young Shiao

公开(公告)号：US20110261522A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US12815412

申请日：2010-06-15

Applicant: YEN-CHUN WANG ,  AN-CHI WEI ,  HONG-BIN YANG ,  MING-YOUNG SHIAO ,  CHIH-MING LAI

Inventor： YEN-CHUN WANG ,  AN-CHI WEI ,  HONG-BIN YANG ,  MING-YOUNG SHIAO ,  CHIH-MING LAI

IPC: H05K5/02

CPC classification number: G06F1/1616 ,  F21V14/06 ,  F21V33/0052 ,  F21Y2115/10 ,  G06F1/1686

Abstract: An electronic apparatus includes a mainframe with a keyboard embedded therein, a mounting frame pivotally connected with the mainframe, a display screen mounted in the mounting frame, a lighting source disposed on the mounting frame, and an optical element cooperating with the lighting source and slideably mounted on the mounting frame. Light from the lighting source is projected to different predetermined areas by adjusting positions of the optical element relative to the lighting source. In each of the positions of the optical element, the light from the lighting source is modulated by a corresponding portion of the optical element to be projected to a corresponding predetermined area.

Abstract translation: 一种电子设备，包括嵌入其中的键盘的主机，与主机枢转地连接的安装框架，安装在安装框架中的显示屏，设置在安装框架上的照明源，以及与照明源协作的光学元件，并且可滑动地 安装在安装架上。 通过调整光学元件相对于照明源的位置，将来自照明源的光投射到不同的预定区域。 在光学元件的每个位置，来自光源的光被光学元件的相应部分调制以投影到相应的预定区域。

公开(公告)号：US20110260252A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US12766468

申请日：2010-04-23

Applicant: Marwan H. Khater ,  Christian Lavoie ,  Bin Yang ,  Zhen Zhang

Inventor： Marwan H. Khater ,  Christian Lavoie ,  Bin Yang ,  Zhen Zhang

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/786 ,  H01L23/532 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7839 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28537 ,  H01L29/47 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78618

Abstract: An epitaxial Ni silicide film that is substantially non-agglomerated at high temperatures, and a method for forming the epitaxial Ni silicide film, is provided. The Ni silicide film of the present disclosure is especially useful in the formation of ETSOI (extremely thin silicon-on-insulator) Schottky junction source/drain FETs. The resulting epitaxial Ni silicide film exhibits improved thermal stability and does not agglomerate at high temperatures.

Abstract translation: 提供了在高温下基本上未附聚的外延Ni硅化物膜，以及形成外延Ni硅化物膜的方法。 本公开的Ni硅化物膜特别可用于形成ETSOI（极薄的绝缘体上硅）肖特基结源极/漏极FET。 得到的外延Ni硅化物膜具有改善的热稳定性，并且在高温下不聚结。

公开(公告)号：US08029748B2

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US12272804

申请日：2008-11-18

Applicant: Terry Mazanec ,  Victor J. Johnston ,  Michael Huckman ,  Sean P. Fitzgerald ,  James A. Foster ,  Daniel Lindley ,  Anna Lee Tonkovich ,  Francis P. Daly ,  Leslie Wade ,  Tony Hammock ,  Thomas Yuschak ,  Bin Yang ,  Kai Jarosch

Inventor： Terry Mazanec ,  Victor J. Johnston ,  Michael Huckman ,  Sean P. Fitzgerald ,  James A. Foster ,  Daniel Lindley ,  Anna Lee Tonkovich ,  Francis P. Daly ,  Leslie Wade ,  Tony Hammock ,  Thomas Yuschak ,  Bin Yang ,  Kai Jarosch

IPC: B01J8/04 ,  B01J19/30 ,  B01J19/18 ,  B01J19/00 ,  B01J8/02 ,  B01J35/02 ,  B01J8/00 ,  C07C67/00

CPC classification number: B01J19/0093 ,  B01J2219/00783 ,  B01J2219/00835 ,  B01J2219/0086 ,  B01J2219/00862 ,  B01J2219/00873 ,  B01J2219/00889 ,  C07C67/055 ,  C07C69/01 ,  C07C69/15

Abstract: The invention provides methods, apparatus and chemical systems for making vinyl acetate from ethylene, oxygen, and acetic acid.

Abstract translation: 本发明提供从乙烯，氧和乙酸制备乙酸乙烯酯的方法，装置和化学体系。

公开(公告)号：US20110227156A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：US12726789

申请日：2010-03-18

Applicant: Marwan H. Khater ,  Christian Lavoie ,  Bin Yang ,  Zhen Zhang

Inventor： Marwan H. Khater ,  Christian Lavoie ,  Bin Yang ,  Zhen Zhang

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L29/78654 ,  H01L29/7839

Abstract: A Schottky field effect transistor is provided that includes a substrate having a layer of semiconductor material atop a dielectric layer, wherein the layer of semiconductor material has a thickness of less than 10.0 nm. A gate structure is present on the layer of semiconductor material. Raised source and drain regions comprised of a metal semiconductor alloy are present on the layer of semiconductor material on opposing sides of the gate structure. The raised source and drain regions are Schottky source and drain regions. In one embodiment, a first portion of the Schottky source and drain regions that is adjacent to a channel region of the Schottky field effect transistor contacts the dielectric layer, and a non-reacted semiconductor material is present between a second portion of the Schottky source and drain regions and the dielectric layer.

Abstract translation: 提供一种肖特基场效应晶体管，其包括在电介质层顶上具有半导体材料层的衬底，其中半导体材料层的厚度小于10.0nm。 栅极结构存在于半导体材料层上。 在栅极结构的相对侧的半导体材料层上存在由金属半导体合金构成的凸起的源极和漏极区域。 凸起的源极和漏极区域是肖特基源极和漏极区域。 在一个实施例中，与肖特基场效应晶体管的沟道区相邻的肖特基源极和漏极区的第一部分接触电介质层，并且未反应的半导体材料存在于肖特基源的第二部分和 漏区和电介质层。

公开(公告)号：US20110210194A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：US12915931

申请日：2010-10-29

Applicant: Josh DAVIS ,  Edgar MAURER ,  Jeffrey JENSEN ,  Bo Deng ,  Yin Bin Yang

Inventor： Josh DAVIS ,  Edgar MAURER ,  Jeffrey JENSEN ,  Bo Deng ,  Yin Bin Yang

IPC: B02C25/00

CPC classification number: B02C18/0007 ,  B02C25/00 ,  B02C2018/0023 ,  B02C2018/162 ,  B02C2018/168

Abstract: A shredder includes a shredder housing with a top head and a shredder mechanism receptacle. The top head has at least a first slot for receiving articles to be shredded. The shredder mechanism receptacle is connected to the top head for receiving a cutting assembly capable of shredding paper. A safety device is disposed in the shredder housing. The safety device includes a slot guard and gear system for selectively blocking the first slot.

Abstract translation: 切碎机包括具有顶部头部和粉碎机构容器的切碎机壳体。 顶部头部至少具有用于接收待切割物品的第一槽。 切碎机构插座连接到顶部头部，用于接收能够切碎纸的切割组件。 安全装置设置在粉碎机壳体中。 安全装置包括用于选择性地阻挡第一槽的槽护罩和齿轮系统。

公开(公告)号：US07999144B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US11469847

申请日：2006-09-01

Applicant: Anna Lee Tonkovich ,  Bin Yang ,  Steven T. Perry ,  Terry Mazanec ,  Ravi Arora ,  Francis P. Daly ,  Richard Long ,  Thomas D. Yuschak ,  Paul W. Neagle ,  Amanda Glass

Inventor： Anna Lee Tonkovich ,  Bin Yang ,  Steven T. Perry ,  Terry Mazanec ,  Ravi Arora ,  Francis P. Daly ,  Richard Long ,  Thomas D. Yuschak ,  Paul W. Neagle ,  Amanda Glass

IPC: C07C5/32

CPC classification number: C07C5/48 ,  B01J19/0093 ,  B01J2219/00783 ,  B01J2219/00788 ,  B01J2219/00822 ,  B01J2219/00824 ,  B01J2219/00835 ,  B01J2219/0086 ,  B01J2219/00869 ,  B01J2219/00873 ,  B01J2219/00891 ,  B01J2219/00984 ,  C01B3/386 ,  C01B3/50 ,  C01B2203/0261 ,  C01B2203/04 ,  C01B2203/048 ,  C01B2203/1035 ,  C01B2203/1041 ,  C01B2203/1064 ,  C01B2203/107 ,  C01B2203/1247 ,  C07C2523/42 ,  C07C2523/44 ,  C07C2523/52 ,  C07C11/04

Abstract: Methods of oxidative dehydrogenation are described. Surprisingly, Pd and Au alloys of Pt have been discovered to be superior for oxidative dehydrogenation in microchannels. Methods of forming these catalysts via an electroless plating methodology are also described. An apparatus design that minimizes heat transfer to the apparatus' exterior is also described.

Abstract translation: 描述了氧化脱氢方法。 令人惊奇的是，已经发现Pt的Pd和Au合金对于微通道中的氧化脱氢是优越的。 还描述了通过化学镀方法形成这些催化剂的方法。 还描述了最小化到设备外部的热传递的设备设计。