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公开(公告)号:TW201441314A
公开(公告)日:2014-11-01
申请号:TW102147611
申请日:2013-12-20
Applicant: 納克公司 , NANOGRAM CORPORATION
Inventor: 吉言 哈 締 霍安 , NGUYEN, HA THI-HOANG , 添田雅也 , SOEDA, MASAYA , 李衛東 , LI, WEIDONG , 斯尼法杉 佑馬 , SRINIVASAN, UMA
CPC classification number: C08B11/02 , C08B11/22 , C09D11/52 , H01L31/022441 , H01L31/0384 , H01L31/03921 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本文闡述具極低金屬污染度之以矽為基之奈米粒子油墨。具體而言,可確立金屬污染度在十億分之份數範圍內。特別關注之該等油墨通常包含聚合物以影響該油墨流變性。關於金屬污染,闡述適於純化可溶於極性溶劑(例如醇)中之聚合物的技術。闡述纖維素聚合物之極低金屬污染度。
Abstract in simplified Chinese: 本文阐述具极低金属污染度之以硅为基之奈米粒子油墨。具体而言,可确立金属污染度在十亿分之份数范围内。特别关注之该等油墨通常包含聚合物以影响该油墨流变性。关于金属污染,阐述适于纯化可溶于极性溶剂(例如醇)中之聚合物的技术。阐述纤维素聚合物之极低金属污染度。
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112.
公开(公告)号:TW201334197A
公开(公告)日:2013-08-16
申请号:TW101140598
申请日:2012-11-01
Applicant: 納克公司 , NANOGRAM CORPORATION
Inventor: 劉國鈞 , LIU, GUOJUN , 齊魯佛璐 希庫瑪 , CHIRUVOLU, SHIVKUMAR , 李衛東 , LI, WEIDON , 希琳法撒 優瑪 , SRINIVASAN, UMA
IPC: H01L31/0216 , C23C16/24
CPC classification number: H01L29/04 , H01L21/02104 , H01L21/02532 , H01L21/0259 , H01L21/02601 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/2225 , H01L21/2257 , H01L21/67115 , H01L31/028 , H01L31/035218 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 矽奈米粒子墨水為形成所需材料提供基礎。特定言之,在包含埋置於非晶矽基質中之矽奈米粒子的薄層中已經形成了複合物,而該複合物可在相對較低溫度下形成。該複合材料可經加熱以形成具有非棒狀晶體之奈米晶材料。該奈米晶材料可具有所需導電性質,且該等材料可於高摻雜劑含量下形成。又,可由自墨水沉積之矽奈米粒子形成奈米晶矽集結粒,其中該等集結粒可相對緻密,唯不如塊體矽緻密。該等集結粒可藉由對矽奈米粒子層施加壓力及熱而形成。
Abstract in simplified Chinese: 硅奈米粒子墨水为形成所需材料提供基础。特定言之,在包含埋置于非晶硅基质中之硅奈米粒子的薄层中已经形成了复合物,而该复合物可在相对较低温度下形成。该复合材料可经加热以形成具有非棒状晶体之奈米晶材料。该奈米晶材料可具有所需导电性质,且该等材料可于高掺杂剂含量下形成。又,可由自墨水沉积之硅奈米粒子形成奈米晶硅集结粒,其中该等集结粒可相对致密,唯不如块体硅致密。该等集结粒可借由对硅奈米粒子层施加压力及热而形成。
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公开(公告)号:TW590988B
公开(公告)日:2004-06-11
申请号:TW088113969
申请日:1999-08-16
Applicant: 納克公司 NANOGRAM CORPORATION
Inventor: 蘇紀古瑪 SUJEET KUMAR , 畢祥新 XIANGXIN BI , 哈利克利亞多利斯瑞茲 HARIKLIA DRIS REITZ , 神部信幸 NOBUYUKI KAMBE
CPC classification number: C01F7/02 , B82Y30/00 , C01F7/30 , C01F7/306 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2004/32 , C01P2004/50 , C01P2004/52 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C09G1/02
Abstract: 已經由雷射裂解產生之氧化鋁的毫微粒子之集合具有非常狹窄分佈之粒子直徑。較優粒子直徑之分佈有效地並不具尾部,而使幾乎沒有粒子具有直徑大於大約4倍的平均直徑。裂解之進行較優由產生分子流,其含有鋁先質、氧化劑及紅外線吸收劑。裂解可以與如CO2雷射之紅外線雷射一起進行。
Abstract in simplified Chinese: 已经由激光裂解产生之氧化铝的毫微粒子之集合具有非常狭窄分布之粒子直径。较优粒子直径之分布有效地并不具尾部,而使几乎没有粒子具有直径大于大约4倍的平均直径。裂解之进行较优由产生分子流,其含有铝先质、氧化剂及红外线吸收剂。裂解可以与如CO2激光之红外线激光一起进行。
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公开(公告)号:TWI553889B
公开(公告)日:2016-10-11
申请号:TW099116195
申请日:2010-05-20
Applicant: 納克公司 , NANOGRAM CORPORATION
Inventor: 席林尼瓦珊 烏瑪 , SRINIVASAN, UMA , 趙新 , ZHOU, XIN , 西斯馬 亨利 , HIESLMAIR, HENRY , 帕卡拉 尼拉吉 , PAKALA, NEERAJ
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/22 , H01L21/2255 , H01L21/228 , H01L21/268 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , Y02E10/547
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公开(公告)号:TWI523246B
公开(公告)日:2016-02-21
申请号:TW099132095
申请日:2010-09-21
Applicant: 納克公司 , NANOGRAM CORPORATION
Inventor: 劉國鈞 , LIU, GUOJUN , 莫利斯 克里佛M , MORRIS, CLIFFORD M. , 艾爾特門 伊果 , ALTMAN, IGOR , 席林尼瓦珊 烏瑪 , SRINIVASAN, UMA , 奇魯凡魯 西庫馬 , CHIRUVOLU, SHIVKUMAR
IPC: H01L31/0392 , H01L31/036
CPC classification number: H01L31/068 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/03682 , H01L31/03762 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/182 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
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公开(公告)号:TW201500482A
公开(公告)日:2015-01-01
申请号:TW103118161
申请日:2014-05-23
Applicant: 納克公司 , NANOGRAM CORPORATION
Inventor: 李衛東 , LI, WEIDONG , 添田雅也 , SOEDA, MASAYA , 潘格雷 利恩 吉那 伊利莎白 , PENGRA-LEUNG, GINA ELIZABETH , 齊魯佛璐 希庫瑪 , CHIRUVOLU, SHIVKUMAR
IPC: C09D11/52 , B05D1/28 , B32B5/16 , B82Y30/00 , H01L21/208
CPC classification number: B82Y30/00 , C09D11/037 , C09D11/52 , H01B1/20 , H01B1/24 , H01L21/02532 , H01L21/02601 , H01L21/02625 , H01L21/2225 , H01L21/228 , H01L21/268 , H01L29/0665 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本發明係關於基於矽之奈米顆粒墨水,其與黏性多環醇類一起調配以便控制該等墨水之流變性。該等墨水可調配成具有非牛頓流變性及良好網版印刷特性之糊劑。該等墨水可具有低金屬污染,以使其適於形成半導體結構。該等基於矽之奈米顆粒可為具有或不具有摻雜劑之元素矽顆粒。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于基于硅之奈米颗粒墨水,其与黏性多环醇类一起调配以便控制该等墨水之流变性。该等墨水可调配成具有非牛顿流变性及良好网版印刷特性之煳剂。该等墨水可具有低金属污染,以使其适于形成半导体结构。该等基于硅之奈米颗粒可为具有或不具有掺杂剂之元素硅颗粒。
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公开(公告)号:TWI534210B
公开(公告)日:2016-05-21
申请号:TW100122949
申请日:2011-06-29
Applicant: 納克公司 , NANOGRAM CORPORATION
Inventor: 奇魯凡魯 西庫馬 , CHIRUVOLU, SHIVKUMAR , 艾爾特門 伊果 , ALTMAN, IGOR , 費瑞 伯納德M , FREY, BERNARD M. , 李衛東 , LI, WEIDONG , 劉國鈞 , LIU, GUOJUN , 林曲 羅伯特B , LYNCH, ROBERT B. , 潘格雷 利恩 吉那 伊利莎白 , PENGRA-LEUNG, GINA ELIZABETH , 席林尼瓦珊 烏瑪 , SRINIVASAN, UMA
IPC: C09D11/00 , C09D7/12 , B22F9/30 , B01J19/08 , C01B33/021
CPC classification number: C09D11/38 , B01D21/262 , B01J19/121 , B01J2219/0869 , B01J2219/0871 , B01J2219/0875 , B82Y30/00 , C01B33/02 , C08K3/08 , C08K3/36 , C08K9/02 , C09D5/24 , C09D7/67 , C09D7/68 , C09D7/80 , C09D11/037 , C09D11/101 , C09D11/322 , C09D11/36 , C09D11/52 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L23/4828 , H01L23/53276 , H01L31/00 , H01L31/02363 , H01L31/03682 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , H01L31/182 , H01L31/1864 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , Y02E10/546 , Y02E10/548 , Y02P70/521 , H01L2924/00
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118.太陽能電池結構、光伏打模組及對應之製程 SOLAR CELL STRUCTURES, PHOTOVOLTAIC MODULES AND CORRESPONDING PROCESSES 审中-公开
Simplified title: 太阳能电池结构、光伏打模块及对应之制程 SOLAR CELL STRUCTURES, PHOTOVOLTAIC MODULES AND CORRESPONDING PROCESSES公开(公告)号:TW200935612A
公开(公告)日:2009-08-16
申请号:TW097131310
申请日:2008-08-15
Applicant: 納克公司 NANOGRAM CORPORATION
Inventor: 亨利 海斯梅爾 HIESLMAIR, HENRY
IPC: H01L
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L21/228 , H01L21/268 , H01L31/02 , H01L31/022441 , H01L31/046 , H01L31/0504 , H01L31/0516 , H01L31/061 , H01L31/1804 , H02S40/32 , H02S50/10 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本發明係關於光伏打模組,該等模組可包含太陽能電池,其沿該等電池之後側具有相反極性之摻雜域。該等摻雜域可位於穿過一介電鈍化層之開口內。在一些實施例中,該等太陽能電池係由薄矽箔形成。摻雜域可藉由沿半導電片之後表面印刷墨水來形成。該等摻雜劑墨水可包含具有所要摻雜劑之奈米粒子。光伏打模組可用複數個具有不同尺寸之結構之太陽能電池來形成以改良模組效能。尺寸可基於半導體之估定性質動態確定以使得該模組中電池之電流輸出彼此更相似。該等模組相對於具有不產生匹配電流之相似相等尺寸電池的模組而言可產生較高之功率。本發明描述適當動態處理方法,其包括根據電池設計中之動態調整提供處理調整的處理步驟。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于光伏打模块,该等模块可包含太阳能电池,其沿该等电池之后侧具有相反极性之掺杂域。该等掺杂域可位于穿过一介电钝化层之开口内。在一些实施例中,该等太阳能电池系由薄硅箔形成。掺杂域可借由沿半导电片之后表面印刷墨水来形成。该等掺杂剂墨水可包含具有所要掺杂剂之奈米粒子。光伏打模块可用复数个具有不同尺寸之结构之太阳能电池来形成以改良模块性能。尺寸可基于半导体之估定性质动态确定以使得该模块中电池之电流输出彼此更相似。该等模块相对于具有不产生匹配电流之相似相等尺寸电池的模块而言可产生较高之功率。本发明描述适当动态处理方法,其包括根据电池设计中之动态调整提供处理调整的处理步骤。
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119.平面光學結構之三維工程 THREE DIMENSIONAL ENGINEERING OF PLANAR OPTICAL STRUCTURES 有权
Simplified title: 平面光学结构之三维工程 THREE DIMENSIONAL ENGINEERING OF PLANAR OPTICAL STRUCTURES公开(公告)号:TWI266090B
公开(公告)日:2006-11-11
申请号:TW091136122
申请日:2002-12-13
Applicant: 納克公司 NANOGRAM CORPORATION
Inventor: 畢湘辛 XIANGXIN BI , 伊麗莎白 安 奈維斯 ELIZABETH ANNE NEVIS , 朗諾J. 默索 RONALD J. MOSSO , 麥克 艾德華 夏賓 MICHAEL EDWARD CHAPIN , 希夫庫瑪 奇魯佛路 SHIVKUMAR CHIRUVOLU , 沙達 海亞特 肯 SARDAR HYAT KHAN , 桑吉 庫瑪 SUJEET KUMAR , 赫曼 亞德利恩 洛沛茲 HERMAN ADRIAN LOPEZ , 裘恩 崔恩 希 修伊 NGUYEN TRAN THE HUY , 奎格 理查 洪恩 CRAIG RICHARD HORNE , 麥可A. 布萊恩 MICHAEL A. BRYAN , 艾利克 優瑞德 ERIC EUVRARD
CPC classification number: H01S3/0632 , H01S3/0635 , H01S3/0637 , H01S3/0941 , H01S3/176 , H01S3/2308
Abstract: 本發明揭示一些三維光學結構,其中可具有光學裝置之每一層以內及諸層之間之諸光學裝置之間的各種整合。光學轉彎組件可提供諸結構裝置層之間之光學通路。對於在結構裝置中界定光學材料可提供極大彈性之方法受到描述。多種新光學裝置是藉由改良之光學處理方法而致能。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一些三维光学结构,其中可具有光学设备之每一层以内及诸层之间之诸光学设备之间的各种集成。光学转弯组件可提供诸结构设备层之间之光学通路。对于在结构设备中界定光学材料可提供极大弹性之方法受到描述。多种新光学设备是借由改良之光学处理方法而致能。
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公开(公告)号:TW580511B
公开(公告)日:2004-03-21
申请号:TW087118133
申请日:1998-10-31
Applicant: 納克公司 NANOGRAM CORPORATION
Inventor: 神部信幸 NOBUYUKI KAMBE , 光欣壁 XIANGXIN BI
IPC: C09K
CPC classification number: C09K11/08 , C09K11/0805 , C09K11/0811 , C09K11/565 , C09K11/7701
Abstract: 小粒子作為磷光體,提供經改良之性能,尤其是在顯示裝置之製造上。具有直徑小於約100毫微米之粒子具有改變之譜帶性質,其會影嚮藉由該粒子之發射。收集此種在所選擇之平均直徑附近具有狹窄分佈之小粒子,可用以產生在所要頻率下之發射。此等粒子可有效用以製造極多種顯示器類型,包括平板顯示器。雷射熱解係提供一種製造所要粒子之有效方法。
Abstract in simplified Chinese: 小粒子作为磷光体,提供经改良之性能,尤其是在显示设备之制造上。具有直径小于约100毫微米之粒子具有改变之谱带性质,其会影向借由该粒子之发射。收集此种在所选择之平均直径附近具有狭窄分布之小粒子,可用以产生在所要频率下之发射。此等粒子可有效用以制造极多种显示器类型,包括平板显示器。激光热解系提供一种制造所要粒子之有效方法。
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