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公开(公告)号：TW201506946A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103122467
申请日：2014-06-30
Applicant: 吉林克斯公司 , XILINX, INC.
Inventor： 卡麥羅塔 拉法爾C , CAMAROTA, RAFAEL C.
IPC: G11C5/14
CPC classification number: G01R31/26 , G01R31/31721 , G01R31/31723 , G01R31/318505 , G01R31/318516 , H03K19/17728 , H03K19/1774 , H03K19/17772 , H03K19/17788
Abstract: 本發明係揭示一種用於一個單石積體電路晶粒的設備。在本設備中，該單石積體電路晶粒具有複數個模組晶粒區域。該等模組晶粒區域個別具有複數個電力分配網路，用於獨立地對該等模組晶粒區域之每一者進行供電。該等模組晶粒區域的每一個鄰近對係與個別的複數個金屬線路接合在一起。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭示一种用于一个单石集成电路晶粒的设备。在本设备中，该单石集成电路晶粒具有复数个模块晶粒区域。该等模块晶粒区域个别具有复数个电力分配网络，用于独立地对该等模块晶粒区域之每一者进行供电。该等模块晶粒区域的每一个邻近对系与个别的复数个金属线路接合在一起。
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公开(公告)号：TW201501267A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103117748
申请日：2014-05-21
Applicant: 吉林克斯公司 , XILINX, INC.
Inventor： 相 奇 , XIANG, QI , 李 曉宇 , LI, XIAO-YU , 陳 曉華 , CHEN, CINTI X. , 歐路克 葛倫 , O'ROURKE, GLENN
IPC: H01L25/04 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/60 , H01L21/82 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/071 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2924/181 , H01L2924/00
Abstract: 一種大致有關於一中介物之裝置係被揭示。在此種裝置中，該中介物係具有複數個導體以及複數個吸引電荷的結構。該複數個吸引電荷的結構係用以保護至少一待耦接至該中介物的積體電路晶粒，以提供一經堆疊的晶粒。該複數個導體係包含複數個穿過基板的貫孔。
Abstract in simplified Chinese: 一种大致有关于一中介物之设备系被揭示。在此种设备中，该中介物系具有复数个导体以及复数个吸引电荷的结构。该复数个吸引电荷的结构系用以保护至少一待耦接至该中介物的集成电路晶粒，以提供一经堆栈的晶粒。该复数个导体系包含复数个穿过基板的贯孔。
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公开(公告)号：TWI462207B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW100108453
申请日：2011-03-14
Applicant: 吉林克斯公司 , XILINX, INC.
Inventor： 瑞曼 阿利弗 , RAHMAN, ARIFUR
CPC classification number: G01R31/318513 , G01R31/2853 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L22/22 , H01L22/32 , H01L24/16 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/01005 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/14335 , H01L2924/1434 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/157
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公开(公告)号：TW201439559A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW103107855
申请日：2014-03-07
Applicant: 吉林克斯公司 , XILINX, INC.
Inventor： 羅尼 唐納恰 , LOWNEY, DONNACHA , 德 拉 多雷 瑪利提斯 , DE LA TORRE, MARITES
IPC: G01R31/28 , H01L23/498
CPC classification number: G01R31/2896 , G01R31/31855 , H01L22/34 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L23/58 , H01L25/0657 , H01L2224/16225 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311
Abstract: 一種具有封裝完整度監視功能的設備，其中含有：一封裝，此者具有一經由複數個凸塊連接至一中介層的晶粒，其中該凸塊的至少一部份含有虛擬凸塊；一封裝完整度監視器，此者具有一用以傳送測試信號的傳送器和一用以接收該測試信號的接收器；以及一第一掃描鏈，此者含有在該晶粒內及該中介層內串聯連接該虛擬凸塊之一部份的複數個交替互連，其中該第一掃描鏈具有一第一末端，其耦接於該封裝完整度監視器的傳送器，和一第二末端，其耦接於該封裝完整度監視器的接收器。
Abstract in simplified Chinese: 一种具有封装完整度监视功能的设备，其中含有：一封装，此者具有一经由复数个凸块连接至一中介层的晶粒，其中该凸块的至少一部份含有虚拟凸块；一封装完整度监视器，此者具有一用以发送测试信号的发送器和一用以接收该测试信号的接收器；以及一第一扫描链，此者含有在该晶粒内及该中介层内串联连接该虚拟凸块之一部份的复数个交替互连，其中该第一扫描链具有一第一末端，其耦接于该封装完整度监视器的发送器，和一第二末端，其耦接于该封装完整度监视器的接收器。
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公开(公告)号：TWI451454B
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW100134918
申请日：2011-09-28
Applicant: 吉林克斯公司 , XILINX, INC.
Inventor： 奇里弗 梵希利 , KIREEV, VASSILI , 尤帕德海亞 帕瑞格 , UPADHYAYA, PARAG , 馬雷特 馬克J , MARLETT, MARK J.
IPC: H01F17/00 , H01F27/28 , H01L23/522
CPC classification number: H01F17/0013 , H01F2017/0073 , Y10T29/4902
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201411801A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102111117
申请日：2013-03-28
Applicant: 吉林克斯公司 , XILINX, INC.
Inventor： 久村俊之 , HISAMURA, TOSHIYUKI
IPC: H01L23/535
CPC classification number: H01L21/4846
Abstract: 本案揭示一種中介器的實施例。對於這項中介器實施例，回應於第一印刷範圍產生第一電路局部。回應於第二印刷範圍產生第二電路局部。該中介器具有下列至少一者：(a)長度維度大於最大標線長度維度，以及(b)寬度維度大於最大標線寬度維度。
Abstract in simplified Chinese: 本案揭示一种中介器的实施例。对于这项中介器实施例，回应于第一印刷范围产生第一电路局部。回应于第二印刷范围产生第二电路局部。该中介器具有下列至少一者：(a)长度维度大于最大标线长度维度，以及(b)宽度维度大于最大标线宽度维度。
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公开(公告)号：TW201409651A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102123608
申请日：2013-07-02
Applicant: 吉林克斯公司 , XILINX, INC.
Inventor： 哈特 麥克J , HART, MICHAEL J. , 卡普 詹姆士 , KARP, JAMES
IPC: H01L23/552
CPC classification number: G11C5/005 , G11C11/4125 , H01L21/823892 , H01L27/0207 , H01L27/0921 , H01L27/1104 , H03K19/00338
Abstract: 本發明說明一種具有改良的輻射耐受性之積體電路。該積體電路包括：一基板；一n井，其被形成在該基板上；一p井，其被形成在該基板上；以及一p分接區，其被形成在該p井中相鄰於該n井，其中，該p分接區延伸於被形成在該n井中的電路元件和被形成在該p井中的電路元件之間並且被耦合至一接地電位。本發明還說明一種用於形成具有改良的輻射耐受性之積體電路的方法。
Abstract in simplified Chinese: 本发明说明一种具有改良的辐射耐受性之集成电路。该集成电路包括：一基板；一n井，其被形成在该基板上；一p井，其被形成在该基板上；以及一p分接区，其被形成在该p井中相邻于该n井，其中，该p分接区延伸于被形成在该n井中的电路组件和被形成在该p井中的电路组件之间并且被耦合至一接地电位。本发明还说明一种用于形成具有改良的辐射耐受性之集成电路的方法。
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公开(公告)号：TWI427710B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW100141028
申请日：2011-11-10
Applicant: 吉林克斯公司 , XILINX, INC.
Inventor： 瑞曼 阿利弗 , RAHMAN, ARIFUR
CPC classification number: H01L21/563 , H01L23/544 , H01L25/0655 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54473 , H01L2224/73203
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公开(公告)号：TW201344873A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102101086
申请日：2013-01-11
Applicant: 吉林克斯公司 , XILINX, INC.
Inventor： 吳 保羅Y , WU, PAUL Y.
IPC: H01L23/535
CPC classification number: H05K1/0221 , H05K1/0242 , H05K1/0251 , H05K2201/09672 , H05K2201/098 , H05K2201/09854
Abstract: 本發明提供一種電氣電路結構，其可能包含一利用第一導體層所形成的第一走線(trace)以及一利用第二導體層所形成的第二走線。該第一走線會垂直對齊該第二走線。該電氣電路結構可能包含一由介於該第一導體層和該第二導體層之間的第三導體層之中的導體材料所形成的通孔區段。該通孔區段會接觸該第一走線和該第二走線，以便形成一被配置成用以在平行於該第一導體層的方向中傳送一電氣信號的第一導體結構。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种电气电路结构，其可能包含一利用第一导体层所形成的第一走线(trace)以及一利用第二导体层所形成的第二走线。该第一走线会垂直对齐该第二走线。该电气电路结构可能包含一由介于该第一导体层和该第二导体层之间的第三导体层之中的导体材料所形成的通孔区段。该通孔区段会接触该第一走线和该第二走线，以便形成一被配置成用以在平行于该第一导体层的方向中发送一电气信号的第一导体结构。
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公开(公告)号：TWI411078B
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW099128425
申请日：2010-08-25
Applicant: 吉林克斯公司 , XILINX, INC.
Inventor： 哈特 麥克J , HART, MICHAEL J.
IPC: H01L23/488 , H01L23/556 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/16 , H01L21/563 , H01L23/556 , H01L24/11 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L2224/03 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05552 , H01L2224/05555 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/1148 , H01L2224/13007 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/16 , H01L2224/81801 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2924/00013 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/3025 , H01L2224/13099 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/013
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