光盘基片
    114.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1150538C

    公开(公告)日:2004-05-19

    申请号:CN00119231.0

    申请日:2000-03-25

    Inventor: 尹斗燮 朴彰民

    CPC classification number: G11B7/007 G11B11/10578

    Abstract: 具有深度为λ/4n到λ/2n的深凹槽的光盘基片,这里λ是光拾取器激光束波长,n是基片的折射率。光盘基片包括:多个具有预定深度的深凹槽,各个深凹槽具有以θ角倾斜的侧壁,和多个具有与基片表面相同水平面的凸面,其中用于最小串扰的凹槽深度D是由下述数学关系确定。D=0.4022-0.4574×A+0.6458×A2

    用于生成光盘的母盘的制作方法

    公开(公告)号:CN1112677C

    公开(公告)日:2003-06-25

    申请号:CN98105526.5

    申请日:1998-03-12

    CPC classification number: G11B7/261 Y10S428/913 Y10S430/146 Y10T428/21

    Abstract: 一种生产母盘的方法,包括下列步骤:在一衬底上镀第一光敏电阻层;根据分别对应于槽和槽脊的一槽形凹口和一槽脊形凸起的图形使第一光敏电阻层曝光;蚀刻衬底和第一光敏电阻层,从而在衬底上形成槽形凹口和槽脊形凸起;在衬底上镀第二光敏电阻层,从而在分别对应于槽形凹口和槽脊形凸起的位置上形成槽和槽脊;根据记录预定信息的凹坑图形对第二光敏电阻层曝光;并蚀刻第二光敏电阻层,从而在槽和槽脊上形成凹坑。

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