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公开(公告)号：CN1677546A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510056826.0
申请日：2000-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B20/1883 , G11B20/12 , G11B20/1217 , G11B20/18 , G11B20/1816 , G11B27/329 , G11B2020/1222 , G11B2020/1265 , G11B2020/1277 , G11B2020/1285 , G11B2020/1297 , G11B2020/1826 , G11B2220/20 , G11B2220/216 , G11B2220/2537 , G11B2220/2562 , G11B2220/2566
Abstract: 一种存储链接类型信息的记录介质和处理该介质中缺陷区的方法。记录介质存储表示紧跟在缺陷区后进行链接的信息，该信息将发生在一般递增记录模式中的链接类型和发生在缺陷区后的链接类型区别开。在用户数据记录前或用户数据正在记录时检测缺陷区并登记在预定区中。链接不仅应用到递增记录模式或有限重写记录模式，还应用到紧跟在缺陷区后的区域，提高了用户数据的可靠性。
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公开(公告)号：CN1399271A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN02140730.4
申请日：2000-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B20/1883 , G11B20/12 , G11B20/1217 , G11B20/18 , G11B20/1816 , G11B27/329 , G11B2020/1222 , G11B2020/1265 , G11B2020/1277 , G11B2020/1285 , G11B2020/1297 , G11B2020/1826 , G11B2220/20 , G11B2220/216 , G11B2220/2537 , G11B2220/2562 , G11B2220/2566
Abstract: 一种存储链接类型信息的记录介质和处理该介质中缺陷区的方法。记录介质存储表示紧跟在缺陷区后进行链接的信息，该信息将发生在一般递增记录模式中的链接类型和发生在缺陷区后的链接类型区别开。在用户数据记录前或用户数据正在记录时检测缺陷区并登记在预定区中。链接不仅应用到递增记录模式或有限重写记录模式，还应用到紧跟在缺陷区后的区域，提高了用户数据的可靠性。
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公开(公告)号：CN1168081C
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN00120280.4
申请日：2000-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00454 , G11B7/24065 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B7/2595 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , Y10S430/146
Abstract: 本发明提供了一种多层结构的相变光盘，在透明基材上，顺序地层合第一介电层、相控制层，在相控制层上，由于复制光束的照射，产生有相差的两个区域，这样改变了复制光束的光程，这两个区域限定在激光点中，第二介电层，通过记录光束照射在晶相和无定形态之间可逆地转换的相变记录层，第三介电层，反射层和保护层。由于在记录控制层上的相邻区域之间的相差可以复制记录标记的信息，由此减小了复制光束有效光点的尺寸。相邻记号或相邻标记之间信号的混合减少，由此得到高密度光盘和提高了复制信号的分辨率。
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公开(公告)号：CN1143277C
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN99105101.7
申请日：1999-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/00
CPC classification number: G11B7/252 , B82Y10/00 , G11B7/122 , G11B7/1387 , G11B7/24 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/254 , G11B7/2542 , G11B2007/13725 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716
Abstract: 一种利用光学拾取器对光学存储介质写或读信息的光学数据存储系统，该光学拾取器包括产生近场效应的固态浸没光学系统或透镜。光学存储介质的记录层设置在面向固态浸没光学系统或透镜的透光层表面的相对面上。透光层厚度大于一个所用光波长。在固态浸没光学系统或透镜和透光层的表面之间的间隔小于一个所用光波长。因此，空气间隙内和它与记录层之间的存储介质内反射的光束不会对记录层反射的光束起噪声作用。
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公开(公告)号：CN1281217A
公开(公告)日：2001-01-24
申请号：CN00120280.4
申请日：2000-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00454 , G11B7/24065 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B7/2595 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , Y10S430/146
Abstract: 本发明提供了一种多层结构的相变光盘,在透明基材上,顺序地层合第一介电层、相控制层,在相控制层上,由于复制光束的照射,产生有相差的两个区域,这样改变了复制光束的光程,这两个区域限定在激光点中,第二介电层,通过记录光束照射在晶相和无定形态之间可逆地转换的相变记录层,第三介电层,反射层和保护层。由于在记录控制层上的相邻区域之间的相差可以复制记录标记的信息,由此减小了复制光束有效光点的尺寸。相邻记号或相邻标记之间信号的混合减少,由此得到高密度光盘和提高了复制信号的分辨率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1361521A
公开(公告)日：2002-07-31
申请号：CN01119546.0
申请日：2001-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B27/3027 , G11B7/00454 , G11B7/00718 , G11B7/00745 , G11B7/126 , G11B7/128 , G11B27/24 , G11B2220/216 , G11B2220/2575
Abstract: 本发明提供了一种光记录介质和数据记录方法及其装置。光记录介质包括波动信号记录在其上的波动轨道,以及含有标题信息的波动标题信号记录在其上的波动标题轨道。于是,标题区的物理外形均匀一致,因此在数据记录到介质上时可以防止从光记录介质反射的光量减少。
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公开(公告)号：CN1286108C
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN02140730.4
申请日：2000-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B20/1883 , G11B20/12 , G11B20/1217 , G11B20/18 , G11B20/1816 , G11B27/329 , G11B2020/1222 , G11B2020/1265 , G11B2020/1277 , G11B2020/1285 , G11B2020/1297 , G11B2020/1826 , G11B2220/20 , G11B2220/216 , G11B2220/2537 , G11B2220/2562 , G11B2220/2566
Abstract: 一种处理记录介质中缺陷区的方法。记录介质存储表示紧跟在缺陷区后进行链接的信息，该信息将发生在一般递增记录模式中的链接类型和发生在缺陷区后的链接类型区别开。在用户数据记录前或用户数据正在记录时检测缺陷区并登记在预定区中。链接不仅应用到递增记录模式或有限重写记录模式，还应用到紧跟在缺陷区后的区域，提高了用户数据的可靠性。
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公开(公告)号：CN1149567C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN00108108.X
申请日：2000-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B20/12
CPC classification number: G11B20/1883 , G11B20/12 , G11B20/1217 , G11B20/18 , G11B20/1816 , G11B27/329 , G11B2020/1222 , G11B2020/1265 , G11B2020/1277 , G11B2020/1285 , G11B2020/1297 , G11B2020/1826 , G11B2220/20 , G11B2220/216 , G11B2220/2537 , G11B2220/2562 , G11B2220/2566
Abstract: 本发明提供了一种用于记录和/或再现记录介质上的数据的记录和/或再现装置。记录介质存储表示紧跟在缺陷区后进行链接的信息，该信息将发生在一般递增记录模式中的链接类型和发生在缺陷区后的链接类型区别开。在用户数据记录前或用户数据正在记录时检测缺陷区并登记在预定区中。链接不仅应用到递增记录模式或有限重写记录模式，还应用到紧跟在缺陷区后的区域，提高了用户数据的可靠性。
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公开(公告)号：CN1399266A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN02140729.0
申请日：2000-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B20/1883 , G11B20/12 , G11B20/1217 , G11B20/18 , G11B20/1816 , G11B27/329 , G11B2020/1222 , G11B2020/1265 , G11B2020/1277 , G11B2020/1285 , G11B2020/1297 , G11B2020/1826 , G11B2220/20 , G11B2220/216 , G11B2220/2537 , G11B2220/2562 , G11B2220/2566
Abstract: 一种存储链接类型信息的记录介质和处理该介质中缺陷区的方法。记录介质存储表示紧跟在缺陷区后进行链接的信息，该信息将发生在一般递增记录模式中的链接类型和发生在缺陷区后的链接类型区别开。在用户数据记录前或用户数据正在记录时检测缺陷区并登记在预定区中。链接不仅应用到递增记录模式或有限重写记录模式，还应用到紧跟在缺陷区后的区域，提高了用户数据的可靠性。
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公开(公告)号：CN100416691C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200510056826.0
申请日：2000-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种处理存储链接类型信息的记录介质中缺陷区和链接区的方法。记录介质存储表示紧跟在缺陷区后进行链接的信息，该信息将发生在一般递增记录模式中的链接类型和发生在缺陷区后的链接类型区别开。在用户数据记录前或用户数据正在记录时检测缺陷区并登记在预定区中。链接不仅应用到递增记录模式或有限重写记录模式，还应用到紧跟在缺陷区后的区域，提高了用户数据的可靠性。
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