公开(公告)号：CN1415118A

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN00817993.X

申请日：2000-07-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  弘津研一 ,  松波宏之 ,  木本恒畅

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H02M7/537

CPC classification number: H02M7/515 ,  H01L27/098 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/808 ,  Y02B70/1483

Abstract: 一种采用FET结构变换器件的逆变器，其特征在于，所述变换器件S1－S6是由SiC(碳化硅)－JFET形成的，其中该逆变器可以实现开关频率高而损耗小。

公开(公告)号：CN1413360A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN00817600.0

申请日：2000-12-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  弘津研一

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/7722 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083

Abstract: 一种SiC制的横向JFET，它使用n型SiC衬底，包括具有迁移率高的载流子的沟道区，成品率高。该横向JFET包括：n型SiC衬底(1n)；p型SiC膜(2)，被形成在n型SiC衬底的正面上；n型SiC膜(3)，被形成在p型SiC膜上，包含沟道区(11)；源区、漏区(22，23)，被分别形成在该n型SiC膜上的、沟道区的两侧；以及栅极(14)，与n型SiC衬底相接来设置。

公开(公告)号：CN301633739S

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201030628777.5

申请日：2010-11-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Designer： 西口太郎 ,  佐佐木信 ,  原田真 ,  藤原伸介 ,  并川靖生

Abstract: 1.外观设计产品名称：半导体基板。2.外观设计产品用途：该产品包含上下两层基片，主要用于制作集成电路芯片等电子装置。3.设计要点：在于上层基片上表面的形状、构造、式样及装饰图案。4.基本设计：设计1。5.最能表明设计要点的视图：设计1立体图。6.关于设计1、2和4的后视图与主视图对称，省略设计1、2和4的后视图；设计1、2和4的左视图与右视图对称，省略设计1、2和4的左视图。关于设计3后视图、左视图、右视图与设计3主视图相同，省略设计3后视图、左视图和右视图。