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公开(公告)号：CN102959141B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180032962.X
申请日：2011-05-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02389 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 提供了通过使用多个瓦片衬底生长III族氮化物晶体的方法，该III族氮化物晶体具有大尺寸并且在主表面上较少出现凹坑。生长III族氮化物晶体的方法包括以下步骤：制备多个瓦片衬底（10），每个瓦片衬底（10）具有主表面（10m），主表面（10m）具有能够平面填充的具有投影角的四边形形状或者三角形形状；执行瓦片衬底（10）的平面填充来布置瓦片衬底（10），使得在瓦片衬底（10）的顶点彼此面对的任意点处彼此面对的顶点数是3个或更少；以及在如此布置的瓦片衬底（10）的主表面（10m）上生长III族氮化物晶体（20）。
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公开(公告)号：CN102011191B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201010243313.1
申请日：2010-07-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B25/20 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L29/36 , H01L33/0075 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供GaN单晶衬底、基于GaN的半导体器件及它们的制造方法。所述GaN单晶衬底具有面积为10cm2以上的主面，所述主面具有相对于(0001)面和(000-1)面中的一个面以65°～85°倾斜的面取向，所述衬底具有在所述主面中载流子浓度基本均匀分布、在所述主面中位错密度基本均匀分布和光弹性变形值不超过5×10-5中的至少一种特性，所述光弹性变形值通过在25℃环境温度下在垂直于所述主面施加光时在所述主面中任意点处的光弹性测得。因此，能够获得GaN单晶衬底，所述GaN单晶衬底适用于制造具有小的特性偏差的基于GaN的半导体器件。
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公开(公告)号：CN102137961B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201080002480.5
申请日：2010-06-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/045 , C01B21/0632 , C01P2002/90 , C01P2006/12 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/06 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种制造III族氮化物晶体的方法，在所述方法中能够在高晶体生长速率下生长具有主面的高结晶度III族氮化物晶体，所述主面的面取向不同于{0001}。本发明的制造III族氮化物晶体的方法包括：从III族氮化物块晶体1切割多个具有主面的III族氮化物晶体衬底10p和10q的步骤，所述主面10pm和10qm的面取向对于选自{20-21}、{20-2-1}、{22-41}和{22-4-1}中的晶体几何等价面取向的偏离角为五度以下；以相互邻接的方式横向布置所述衬底10p和10q使得所述衬底10p和10q的所述主面10pm和10qm相互平行且所述衬底10p和10q的各个[0001]方向相互一致的步骤；以及在所述衬底10p和10q的所述主面10pm和10qm上生长III族氮化物晶体20的步骤。
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公开(公告)号：CN102308370B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201080007182.5
申请日：2010-02-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC: H01L21/205 , C30B29/38 , H01L33/32
CPC classification number: H01L21/0242 , C30B25/18 , C30B29/16 , C30B29/403 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L33/007 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供一种氮化镓系半导体器件，其包含设置在氧化镓晶片上且具有平坦的c面的氮化镓系半导体膜。发光二极管LED包括：氧化镓支撑基体(32)，具有包含单斜晶系氧化镓的主面(32a)；和包含III族氮化物的层叠结构(33)。层叠结构(33)的半导体台面包含：低温GaN缓冲层(35)、n型GaN层(37)、量子阱结构的有源层(39)和p型氮化镓系半导体层(37)。p型氮化镓系半导体层(37)例如包含p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN接触层。氧化镓支撑基体(32)的主面(32a)相对于单斜晶系氧化镓的(100)面以2度以上且4度以下的角度倾斜。通过该倾斜，使在氧化镓支撑基体主面(32a)上外延生长的氮化镓系半导体具有平坦的表面。
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公开(公告)号：CN102959141A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180032962.X
申请日：2011-05-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02389 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 提供了通过使用多个瓦片衬底生长III族氮化物晶体的方法，该III族氮化物晶体具有大尺寸并且在主表面上较少出现凹坑。生长III族氮化物晶体的方法包括以下步骤：制备多个瓦片衬底（10），每个瓦片衬底（10）具有主表面（10m），主表面（10m）具有能够平面填充的具有投影角的四边形形状或者三角形形状；执行瓦片衬底（10）的平面填充来布置瓦片衬底（10），使得在瓦片衬底（10）的顶点彼此面对的任意点处彼此面对的顶点数是3个或更少；以及在如此布置的瓦片衬底（10）的主表面（10m）上生长III族氮化物晶体（20）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101370972B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200780003077.2
申请日：2007-01-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/338 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , C30B23/00 , C30B29/403 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供制造AlN晶体的方法，及AlN晶体、AlN晶体衬底和使用该AlN晶体衬底制造的半导体器件，其能够得到具有有利特性的半导体器件。本发明的一个方面是AlN晶体制造方法，该方法包括在SiC籽晶衬底的表面上生长AlN晶体的步骤，和取出从SiC籽晶衬底表面到AlN晶体中的位于2mm至60mm范围内的AlN晶体的至少一部分的步骤。此外，本发明的其它方面是由该方法制造的AlN晶体和AlN晶体衬底，及使用该AlN晶体衬底制造的半导体器件。
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公开(公告)号：CN102549715A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080042620.1
申请日：2010-09-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: C30B29/36 , C30B23/00 , H01L21/02002 , Y10T428/192
Abstract: 一种SiC晶锭(10a)，其设置有：底面(12a)，其具有四个边；四个侧面(12b，12c，12d，12e)，该四个侧面在与所述底面(12a)的方向相交的方向上从所述底面(12a)延伸；以及生长面(12f)，其与所述侧面(12b，12c，12d，12e)连接，并位于相对于所述底面(12a)的相反侧上。所述底面(12a)、所述侧面(12b，12c，12d，12e)以及所述生长面(12f)中的至少一个是{0001}面、{1-100}面、{11-20}面或相对于这些面具有10°以内的倾斜的面。
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公开(公告)号：CN102449732A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080023692.1
申请日：2010-09-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/0475 , H01L21/187 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅衬底制造方法，所述方法提供有以下步骤：准备包括碳化硅的基底衬底(10)以及包括单晶碳化硅的SiC衬底(20)；在基底衬底(10)的主表面上形成包括硅的Si膜(30)；通过将SiC衬底(20)放置在Si膜(30)的顶部上以便使所述SiC衬底(20)与所述Si膜(30)接触来制造堆叠的衬底；以及通过加热所述堆叠的衬底，至少使Si膜(30)中的与基底衬底(10)接触的区域和与所述SiC衬底(20)接触的区域转换成碳化硅，来将基底衬底(10)和SiC衬底(20)接合。
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公开(公告)号：CN102099896A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980127791.1
申请日：2009-07-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/208 , C30B19/12 , C30B29/38 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B9/00 , C30B29/406 , H01L21/02378 , H01L21/02389 , H01L21/02395 , H01L21/02625 , H01L21/02658 , H01L33/0075 , H01L33/16
Abstract: 本发明公开了生长GaN晶体的方法。所述方法包括以下步骤：准备具有一个主面(10m)并包含具有所述主面(10m)的GaxAlyIn1-x-yN晶体(10a)的衬底(10)；以及在800℃至1500℃的气氛温度和500至小于2,000atm的气压下使溶液(7)与所述衬底(10)的所述主面(10m)进行接触，在该状态下在所述主面(10m)上生长GaN晶体(20)，其中该溶液(7)通过使氮(5)溶解在Ga熔融体(3)中而制得。所述方法在所述准备衬底(10)的步骤之后并且在所述生长GaN晶体(20)的步骤之前还包括腐蚀所述衬底(10)的所述主面(10m)的步骤。因此，在不将原料以外的任何杂质添加到熔融体中并且不需要增加晶体生长装置尺寸的情况下，可以生长具有低位错密度和高结晶度的GaN晶体。
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公开(公告)号：CN102017079A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980114047.8
申请日：2009-04-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C14/06 , C23C14/28 , C30B29/36 , C30B29/38
CPC classification number: C30B29/36 , C23C4/185 , C23C16/34 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02529 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631
Abstract: 本发明公开了Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、外延晶片及它们的制造方法，所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底实现了高结晶度和低成本。本发明的制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法包括准备异质衬底(11)和在所述异质衬底(11)上生长具有主面的Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的步骤。在所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的所述主面处组成比x+v为0＜x+v＜1。组成比x+v沿着自所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层与所述异质衬底(11)之间的界面至所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的所述主面的方向单调增大或减小。在所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层与所述异质衬底(11)之间的界面处的组成比x+v比所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的所述主面处的组成比x+v更接近所述异质衬底(11)的材料的组成比x+v。
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