公开(公告)号：CN1705418A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200510076018.0

申请日：2005-06-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 濑尾哲史 ,  荒井康行

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H05B33/02 ,  H05B33/08

CPC classification number: H01L51/504 ,  G02F1/133604 ,  H01L27/3237 ,  H01L33/382 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5262 ,  H01L51/5278 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/5361

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种当发光系统具有很大面积时在发光区域具有良好亮度均匀性的发光系统。根据本发明的一个特征，发光系统包括第一电极、第二电极、形成于第一电极和第二电极之间的包含发光物质的层、形成于基底上的呈栅格形式且含有荧光物质的绝缘层、和形成于绝缘层上的布线。绝缘层和布线被第一电极覆盖，由此第一电极和布线相互接触。

公开(公告)号：CN1661387A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510006810.9

申请日：2005-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒井康行 ,  馆村祐子 ,  秋叶麻衣

IPC: G01R31/28 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R31/2889 ,  G01R31/2886 ,  G01R31/3025 ,  G01R31/303 ,  G06K7/0095

Abstract: 本发明提供一种可以无接触地供应信号或电源电压至ID芯片并可提高检测程序的处理量的ID芯片的检测系统，和使用该检测系统的检测方法。如本发明的检测系统包括多个检测电极、多个检测天线、位置控制单元、用于施加电压至各检测天线的单元、和测量检测电极的电位的单元。该检测系统的一个特征是多个ID芯片与多个检测电极以一定间距重叠，多个ID芯片与多个检测天线以一定间距重叠，和多个ID芯片通过位置控制单元被插入多个检测电极与多个检测天线之间。

公开(公告)号：CN1596047A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410085630.X

申请日：2000-10-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  山本一宇 ,  荒井康行

IPC: H05B33/26 ,  H05B33/14 ,  H05B33/12 ,  H05B33/08 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/0005 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78645 ,  H01L51/5228 ,  H01L51/524

Abstract: 本发明目的是提供简单、高速的，用喷墨方法形成EL层的加工技术。一种制作具有良好操作性能和高可靠性的电光器件的方法，和特别是，提供一种制作EL显示器件的方法。当EL层用喷墨方法制作时，本发明形成连续横过多个电极的EL层。特别地，对于排列成矩阵状态的m列和n行像素电极，EL层形成对应于一个特定行或列的条形。对于每一个像素电极，EL层也可以被形成具有长圆形或矩形形状。

公开(公告)号：CN1179395C

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN00130499.2

申请日：2000-10-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  山本一宇 ,  荒井康行

IPC: H01L21/00 ,  H01L31/12 ,  H01L27/15 ,  H05B33/10 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L51/0005 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78645 ,  H01L51/5228 ,  H01L51/524

Abstract: 本发明目的是提供简单、高速的，用喷墨方法形成EL层的加工技术。一种制作具有良好操作性能和高可靠性的电光器件的方法，和特别是，提供一种制作EL显示器件的方法。当EL层用喷墨方法制作时，本发明形成连续横过多个电极的EL层。特别地，对于排列成矩阵状态的m列和n行像素电极，EL层形成对应于一个特定行或列的条形。对于每一个像素电极，EL层也可以被形成具有长圆形或矩形形状。

公开(公告)号：CN1458695A

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN03131296.9

申请日：2003-05-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  加藤清 ,  荒井康行 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/538 ,  H01L27/14 ,  H01L33/00 ,  H03K17/78

CPC classification number: G09G3/3275 ,  G02B6/43 ,  G09G2360/14 ,  G09G2370/08 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种使用廉价玻璃衬底、能够适应信息量的增加并进而具有高性能和高速工作的集成电路的半导体器件。在多个玻璃衬底上形成构成集成电路的各种电路，各玻璃衬底间的信号传输通过称为光互连的利用光信号完成。具体地，在被布置在形成于一个玻璃衬底上的上级的电路的输出端提供光发射元件，并形成光检测元件以与布置在形成于另一个玻璃衬底上的下级的电路的输入端的相关光检测元件相对。然后，从位于上级的电路输出的电信号转化而来的光信号被从光发射元件输出，相关光信号被光检测元件转化成电信号并输入到位于下级的电路。

公开(公告)号：CN1445596A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03119961.5

申请日：2003-03-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  荒井康行

IPC: G02F1/167 ,  G09F9/00

CPC classification number: G02F1/167 ,  G02B26/026 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/1672 ,  G02F2001/1676 ,  G02F2001/1678 ,  G02F2201/123 ,  G09F9/372 ,  G09G3/344 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明的目的是提供一种宜于大量生产，重量轻和可弯曲的显示器件。显示器件包括含有TFT的象素单元，TFT的有源层包括用于在绝缘层的开口部分内形成沟道部分的有机半导体材料，安排成与栅电极相符合。象素单元还包括形成在连接到TFT的电极上方的根据施加的电场改变反射率的对比介质；或者包括根据施加的电场改变反射率的含有带电粒子的一些微胶囊。象素单元由塑料衬底夹住，包括无机绝缘材料的阻挡层提供在塑料衬底和象素单元之间。

公开(公告)号：CN104133314B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201410343144.7

申请日：2010-04-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈本知广 ,  荒井康行 ,  川俣郁子 ,  宫口厚 ,  守屋芳隆

IPC: G09G5/00 ,  G06F3/041 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1345 ,  H05K1/18 ,  G09G3/20 ,  G02F1/1333 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L27/1218 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/167 ,  G06F3/0412 ,  G06F2203/04102 ,  G09G3/2096 ,  G09G3/3208 ,  G09G3/36 ,  G09G3/3611 ,  G09G5/003 ,  G09G5/39 ,  G09G2300/0421 ,  G09G2300/0478 ,  H01L27/1225 ,  H05K1/189 ,  H05K2201/10128

Abstract: 显示设备包括：柔性显示面板(4311)，其包括显示部分(4301)，其中扫描线和信号线彼此交叉；支撑部分(4308)，用于支撑柔性显示面板(4311)的端部；信号线驱动电路(4323)，用于向为支撑部分(4308)提供的信号线输出信号；和扫描线驱动电路(4321a，4321b)，用于向沿着垂直于或基本垂直于支撑部分(4308)的方向为显示面板(4311)的柔性表面提供的扫描线输出信号。

公开(公告)号：CN109560140A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811483289.1

申请日：2011-01-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  荒井康行 ,  冈本知广 ,  寺岛真理 ,  西田惠里子 ,  菅尾惇平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。半导体装置包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。

公开(公告)号：CN103872043B

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201410116654.0

申请日：2009-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒井康行

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  H01L23/52 ,  H01L21/77

Abstract: 一种显示设备包括：形成于基板之上且用作栅极电极的第一布线；形成于第一布线之上的栅极绝缘膜；设置在栅极绝缘膜之上的第二布线和电极层；以及形成于第二布线和电极层之间的高阻抗氧化物半导体层。在该结构中，第二布线是使用低阻抗氧化物半导体层和低阻抗氧化物半导体层上的导电层的层叠体而构成的，并且电极层是使用低阻抗氧化物半导体层和层叠的导电层的层叠体而构成的，使得用作低阻抗氧化物半导体层的像素电极的区域露出来。

公开(公告)号：CN102693919B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201210162478.5

申请日：2007-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  铃木幸惠 ,  荒井康行 ,  守屋芳隆 ,  池田佳寿子 ,  棚田好文 ,  高桥修平

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42368 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种半导体器件，其具有半导体层、覆盖所述半导体层的端部的栅电极和用于使所述半导体层和所述栅电极绝缘的绝缘层。使所述半导体层与所述栅电极相互重叠的区域绝缘的绝缘层的膜厚度大于覆盖所述半导体层的中央部分绝缘层的膜厚度。