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公开(公告)号：KR100176170B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019950043198
申请日：1995-11-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/08
Abstract: SOI 기판을 이용한 MOS 트랜지스터의 제조 방법에 관하여 기재되어 있다. 구체적으로는, CMOS 트랜지스터의 실시예를 들어 소스/드레인 접촉 노드를 개재시켜, 트랜지스터의 금속 접촉을 형성함에 있어서, 공정 상의 유연성을 제공하고 접촉저항을 크게 감소시켜 소자의 전기적 특성을 개선할 수 있는 SOI 기판을 이용한 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것이다. 이러한 트랜지스터를 제조하기 위하여, 먼저 매립 산화층을 갖는 SOI 기판에 4개의 홈을 형성하고 그 각 홈에 순수한 폴리실리콘을 채워 소스/드레인 접촉 노드를 형성한다. 이후 굴곡이 있는 SOI 기판 표면을 노출시키기 위하여 에치백을 행하여 상부 표면을 평탄화시키고, 상기 평탄화된 SOI 기판 표면에 트랜지스터의 각 부재, 예컨대 게이트 영역, 소스/드레인 영역을 형성시킨다. 이때, 소스/드레인 영역은 적절한 불순물을 이온 주입시켜 형성되며, 이와 동시에 상기 소스/드레인 접촉 노드에도 불순물이 주입되어 비로소 도전성을 갖는다. 이후, 상기 접촉 노드 상에 금속 접촉을 형성시켜 트랜지스터를 제조한다. 이러한 트랜지스터 제조 방법은 SOI 기판이 갖는 장점을 그대로 수용하면서, 금속 접촉을 형성함으로써 발생되는 문제, 즉 식각 공정에 의한 상부 실리콘층의 과도한 식각에 대한 부담을 줄일 수 있으며, 따라서 누설 전류가 방지되고 이로써 트랜지스터의 전기적 특성이 개선된다. 또한 트랜지스터의 금속 접촉 저항이 감소되어 양호한 전기적 특성을 갖는 트랜지스터를 제공할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019990012340A
公开(公告)日：1999-02-25
申请号：KR1019970035689
申请日：1997-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김도형
IPC: H01L21/311
Abstract: 본 발명은 웨이퍼를 가공하는 공정의 한 부분인 에칭(Etching) 공정에 이용되는 반도체 제조 장비에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 에칭 공정 중에 생성되는 플라즈마(Plasma) 입자에 대하여 전극이 일으키는 상호 간섭을 방지하고 또한 전극이 웨이퍼보다 작게 형성됨으로 인하여 일어나는 플라즈마 입자들의 치우치는 현상을 방지할 수 있도록 하기 위한 것이며, 이를 위하여 복수개 설치된 전극들의 주위에 상호 간섭을 방지할 수 있는 크기의 펜스(Fence)를 형성한 구조를 개시하고, 또한 플라즈마 입자들이 치우치지 않도록 웨이퍼가 로딩 되는 전극의 크기를 웨이퍼와 같게 형성한 구조를 개시하며, 이러한 구조를 이용함으로써 종래 에칭 공정에서 발생하던 콘택트 홀(Contact Hole)의 편향성을 감소시키고 그에 따라 편향성에 의해 일어날 수 있는 웨이퍼 � ��면의 회로가 잘못 연결되거나 단락되는 경우를 방지하며 결과적으로 에칭 공정의 효율을 높여서 공정의 원가를 절감할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019990001918A
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019970025391
申请日：1997-06-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 플라즈마 처리(plasma treatment)를 이용한 콘택홀(contact hole) 형성 방법을 개시한다. 본 발명은 반도체 기판 상에 유동성 산화막(FOx; Flowable Oxide Film)을 형성한다. 이후에 질소(N
2 ) 가스, 암모니아(NH
3 ) 가스, 산소(O
2 ) 가스, 실란(SiH
4 ) 가스 및 그 혼합 가스와 같은 가스를 이용하여 유동성 산화막을 플라즈마 처리(plasma treatment)한다. 이때, 50W 내지 500W의 RF(Radio frequency) 전력, 0.5Torr 내지 5.0Torr의 챔버 압력 및 150mil 내지 700mil의 전극 간격을 포함하는 조건으로 플라즈마를 발생시킨다. 또한, 20초 내지 200초의 시간 동안 플라즈마 처리를 수행한다. 이후에, 플라즈마 처리된 유동성 산화막 상에 PE-SiH
4 막 또는 PE-TEOS막을 이용하여 흡습 방지막을 형성한다. 다음에, 상기 흡습 방지막 및 유동성 산화막을 순차적으로 패터닝하여 콘택홀을 가지는 흡습 방지막 패턴 및 유동성 산화막 패턴을 형성하고 상기 결과물 상을 세정한다. 이후에 상기 콘택홀을 채우는 도전막 패턴을 형성한다.-
公开(公告)号：KR1019980060755A
公开(公告)日：1998-10-07
申请号：KR1019960080121
申请日：1996-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김도형
Abstract: 본 발명은 머리전달 함수와 상호간섭 삭제 기법을 사용한 5채널 오디오 데이터의 2채널로의 변환장치에 관한 것으로서, 5채널 오디오 데이터를 2채널 오디오 데이터로 변환하여 2개의 스피커로 전달하는 장치는 2개의 스피커 위치로부터 인간의 두 귀로 전달되는 음의 경로를 모델링한 필터 메트릭스를 C라 할 때, 전방 2채널로부터의 신호에 C
-1 을 콘볼루션하여 전방 왼쪽 신호와 전방 오른쪽 신호를 출력하는 전방 역필터; 후방 2채널의 가상적인 스피커 위치로부터 인간의 두 귀로 전달되는 음의 경로를 모델링한 필터 메트릭스를 D라 할 때, 후방 2채널로부터의 신호에 C
-1 D를 콘볼루션하여 후방 왼쪽 신호와 후방 오른쪽 신호를 출력하는 후방 역필터; 중앙 채널의 가상적인 스피커 위치로부터 인간의 두 귀로 전달되는 음의 경로를 모델링한 필터 메트릭스를 E라 할 때, 5채널 중 중앙 채널로부터의 신호에 C
-1 E를 콘볼루션하여 중앙 신호를 출력하는 중앙 역필터; 전방 왼쪽 신호와 후방 왼쪽 신호와 중앙 신호를 더하여 왼쪽 스피커로 전달하는 제1가산기; 전방 오른쪽 신호와 후방 오른쪽 신호와 중앙 신호를 더하여 오른쪽 스피커로 전달하는 제2가산기를 포함함을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 단순히 두 개의 스피커만으로 5개의 스피커 재생과 똑같은 효과를 얻을 수 있기 때문에 그만큼 비용 절감도 되고 또한 청취룸의 공간 제약을 크게 받지 않아도 된다.-
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970060364A
公开(公告)日：1997-08-12
申请号：KR1019960002180
申请日：1996-01-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김도형
IPC: H01L21/20
Abstract: 로드록챔버와 공정챔버 사이의 진공도 차이에 의한 공정의 질 저하와 공정 설비의 관리상의 어려움을 방지할 수 있는 반도체설비 로드록챔버의 진공시스템에 관한 것이다. 본 발명의 반도체설비 로드록챔버의 진공시스템은 진공펌프, 공정챔버에 연결된 각각의 로드록챔버와 상기 진공펌프를 연결하는 배관 및 상기 배관에 설치된 밸브를 구비하는 반도체설비 로드록챔버의 진공시스템에 있어서, 상기 진공펌프에 부스터펌프가 더 부가되어 이루어진다. 따라서, 공정설비의 이용도를 높이고 해당 설비에서의 공정의 질을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970054045A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950056428
申请日：1995-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김도형
IPC: H01L27/108
Abstract: 본 발명은 반도체 장치으 소자분리영역의 양측벽에 절연막을 이용하 ㄴ스페이서를 형성하여, 커패시터 하부전극이 콘택되는 콘택홀을 형성하는 공정에서 오정렬로 인해 반도체기판이 과식각되어도 커패시터 하부전극과 반동체기판의 웰 여역이 단락되는 것을 방지할 수 있는 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 장치는, 웰영역이 형성된 반도체 기판에 소자분리용 트렌치를 갖는 반도체 장치에 있어서, 상기 소자분리용 트렌치의 양측벽에 형성된 스페이서를 구비하여, 상기 반도체기판상에 형성되는 커패시터의 하부전극과 상기 웰영역과의 전기적인 접촉을 방지하는 구조를 갖고, 그 제조 방법은, 반도체기판상에 제1절연막을 사이에 두고 소자분리영역을 정의하여 제2절연막 패턴을 형성하는 공정과 상기 제2절연막 패턴을 마스크 사용하여 상기 제1절연막 및 상기 반도체기판의 소정의 두께까지 순차적으로 식각하는 공정과 상기 식각공정으로 형성된 소자분리영역의 양내측벽을 산화하는 공정과 상기 소자분리영역을 포함하여 상기 제2절연막 패턴상에 제3절연막을 형성하는 공정과 상기 제3절연막을 에치백하여 상기 소자분리영역의 양태측벽에 절연막 스페이서를 형성하는 공정과 상기 소자분리영역에 제4절연막을 충진하는 공정을 포함하고 있다. 이와같은 방법에 의해서, 커패시터 하부전극이 콘택되는 콘택홀을 형성하는 공정에서 반도체기판이 과식각되어도 커패시터 하부전극과 반도체기판의 웰 영역이 단락되는 것을 방지할 수 있고, 아울러 누설전류가 증가하는 문제를 해결할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970019116A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019950031355
申请日：1995-09-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03M7/30
Abstract: 본 발명은 룩업테이블을 이용한 디지털 오디오 부호화방법 및 장치에 관한 것으로서, 입력되는 스테레오 오디오신호의 스케일 팩터와 제곱평균 특성의 조합에 따라 각 주파수대역에 대한 할당비트를 룩업테이블로 작성하는 과정; 입력되는 시간영역의 오디오신호를 소정 갯수의 균등한 주파수대역으로 분할하는 과정; 분할된 각 주파수대역에 대하여 획득한 오디오신호의 특성의 크기순위에 따라 룩업테이블의 주소를 결정하는 과정; 결정된 주소에 해당하는 할당비트를 각 주파수대역에 대하여 할당한 후, 양자화하는 과정; 및 양자화된 오디오 데이터를 비트스트림으로 형성하는 과정으로 이루어진다. 따라서, 청각심리모델을 사용하지 않으므로 부호화기에서의 연산시간 지연을 크게 줄여줌으로써 하드웨어로 구현시 부호화기에서의 실시간 처리가능성이 높아졌다.
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公开(公告)号：KR1019970018634A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019950031813
申请日：1995-09-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김도형
IPC: H01L27/12
Abstract: 본 발명은 SOI 기판상에 스토리지 노드를 형성하는 반도체 장치의 제조방법에 관한 것으로서, 그 제조방법은 하부실리콘기판(20)상에 매몰산화막(22)과 상부실리콘막(24)을 차례로 도포하여 상기 SOI 기판을 형성하는 공정과; 소정 패턴의 마스크를 사용하여 활성영역분리공정을 실행하여 셀내의 활성영역과 필드영역을 정의한 다음, 상기 필드영역의 상부실리콘막(24)과 매몰산화막(22)을 제거하는 공정과; 상기 제거된 부분에 산화막(26)을 충진하는 공정과; 상기 산화막(26)중 스토리지 노드가 형성될 부분을 식각하는 공정과; 상기 식각된 부분에 폴리실리콘(28)을 도포하는 공정과; 상기 산화막(26)의 하부에 이온을 주입하여 상기 폴리실리콘막(28)의 양쪽이 전기적으로 분리하기 위한 분리영역(30)을 형성하는 공정을 포함한다. 상술한 방법에 의하며, SOI 기판에서 스토리지 노드가 형성될 부분에 폴리실리콘을 사용하여 에칭시의 부담을 줄일 수 있고 아울러 콘택저항을 감소시킬 수 있다.
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