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公开(公告)号：WO2021241857A1
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：PCT/KR2021/003050
申请日：2021-03-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C02F11/12 , C02F11/125 , C02F11/13 , F26B9/08 , C02F103/00
Abstract: 고체 분뇨 처리 장치는 제1 고체 분뇨로부터 액체 성분을 추출하여 제2 고체 분뇨를 생성하는 탈수기, 제2 고체 분뇨의 액체 성분을 증발시켜 제3 고체 분뇨를 생성하는 건조기, 및 제3 고체 분뇨를 태우는 연소기를 포함하되, 제2 고체 분뇨의 고체 함유율은 25 % 내지 30 %이고, 제3 고체 분뇨의 고체 함유율은 90 % 이상 100 % 미만이다.
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公开(公告)号：WO2023080345A1
公开(公告)日：2023-05-11
申请号：PCT/KR2022/002387
申请日：2022-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C02F11/12 , C02F11/13 , C02F11/125 , C02F11/122 , B01D33/23 , B01D33/27 , D04B1/20 , F26B11/04 , F26B23/00
Abstract: 슬러지 처리 장치는 제1 슬러지들을 건조하여 제2 슬러지들을 배출하는 건조기, 제2 슬러지들을 연소시키는 연소기, 및 연소기와 연결되는 직렬 배관을 포함하되, 건조기는 공기가 건조기 내부로 유입되는 공기 유입구들을 갖고, 직렬 배관은 건조기에 인접하게 배치된다.
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公开(公告)号：WO2021241922A1
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：PCT/KR2021/005950
申请日：2021-05-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C02F9/00 , C02F3/30 , C02F3/28 , C02F11/04 , C02F3/12 , C02F1/78 , C02F1/32 , C02F11/12 , C02F103/00
Abstract: 고액분리변기, 생물처리장치, 살균장치, 및 연소장치를 포함하는 가정용 화장실 폐기물 처리시스템 및 그를 이용한 화장실 폐기물을 처리하는 방법을 제공한다. 상기 연소장치는 느린 생물처리장치를 보완하여 가정용 화장실 폐기물을 장거리 배관 연결이 없는 단위 공간에서 연속적으로 처리할 수 있게 한다.
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公开(公告)号：WO2021241842A1
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：PCT/KR2021/001155
申请日：2021-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 변기는 분뇨 이송 통로를 정의하는 본체, 및 본체로부터 제1 방향을 따라 배열되는 수집 부재를 포함하되, 본체는 제1 방향을 따라 배열되는 분뇨 이송면 및 분뇨 분리면을 포함하고, 분뇨 분리면은, 분뇨 이송 통로의 둘레를 따라 연장하고, 분뇨 이송면으로부터 이송되는 혼합 분뇨를 액체 분뇨와 고체 분뇨로 분리하고, 수집 부재는 액체 분뇨와 고체 분뇨를 각각 수용한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110062393A
公开(公告)日：2011-06-10
申请号：KR1020090119107
申请日：2009-12-03
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02B6/12004 , G02B6/125 , G02F1/065
Abstract: PURPOSE: An optical waveguide device using a bulk silicon wafer and a manufacturing method thereof are provided to achieve high speed signal transmission, low power consumption, large capacity and compactness, by using optical interconnection technology. CONSTITUTION: A trench region(12) is formed on a part of a bulk silicon wafer(10). A bottom clad layer(14) is formed in the trench region. An optical waveguide core layer(22a) is formed on the bottom clad layer, far from one side of the trench region. A top clad layer(24) is formed to cover the optical waveguide core layer.
Abstract translation: 目的：提供使用体硅晶片的光波导器件及其制造方法，通过使用光互连技术实现高速信号传输，低功耗，大容量和紧凑性。 构成：在体硅晶片（10）的一部分上形成沟槽区（12）。 在沟槽区域中形成底部覆层（14）。 光波导芯层（22a）形成在底部包层上，远离沟槽区域的一侧。 形成顶部覆层（24）以覆盖光波导芯层。
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公开(公告)号：KR100978911B1
公开(公告)日：2010-08-31
申请号：KR1020080018334
申请日：2008-02-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/07 , H01L27/115 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/24 , Y10S977/774
Abstract: 반도체 장치 및 그의 형성방법을 제공한다. 이를 위해서, 반도체 기판이 준비될 수 있다. 상기 반도체 기판 상에 절연막들이 차례로 배치될 수 있다. 상기 절연막들 사이에 능동 소자들이 형성될 수 있다. 상기 능동 소자들과 전기적으로 접속하도록 상기 절연막들에 공통 노드가 형성될 수 있다. 상기 공통 노드 및 능동 소자들은 반도체 기판 상에 이차원적으로 배열될 수 있다.
능동 소자, 공통 노드 및 반도체 장치-
公开(公告)号：KR1020100030216A
公开(公告)日：2010-03-18
申请号：KR1020080089052
申请日：2008-09-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10876 , H01L21/76895 , H01L21/823418 , H01L21/823437 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L23/485 , H01L27/10855 , H01L29/4236 , H01L29/66628 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided to protect the active region of a substrate from damaging during a plug formation process by contacting a contact plug to a pad electrode. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(10) is divided into an active region and an element isolation region(10a). A gate structure(18) is formed on the semiconductor substrate. A first impurity region(22) and a second impurity region(24) are formed under the surface of the substrate and beside the both side of the gate structure. A pad electrode(28) is formed to adjacent to the first impurity region.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，用于通过使接触插头接触焊盘电极来保护衬底的有源区域在插塞形成过程期间的损坏。 构成：将半导体衬底（10）分成有源区和元件隔离区（10a）。 在半导体衬底上形成栅极结构（18）。 第一杂质区（22）和第二杂质区（24）形成在衬底的表面下方和栅极结构两侧的旁边。 形成与第一杂质区相邻的焊盘电极（28）。
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公开(公告)号：KR100876957B1
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：KR1020060102310
申请日：2006-10-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/115 , H01L27/0688 , H01L27/11521 , H01L27/11551
Abstract: 적층형 노어 불 휘발성 메모리 소자 및 이를 형성하기 위한 방법에 있어서, 반도체 기판 상에 제1 게이트 구조물들과 제1 불순물 확산 영역들이 형성하고, 상기 반도체 기판 상에 제1 층간 절연막을 형성한다. 상기 제1 층간 절연막 상에 제2 게이트 구조물들과 제2 불순물 확산 영역들이 구비된 반도체층을 형성하고, 상기 반도체층 상에 제2 층간 절연막을 형성한다. 상기 제1 불순물 확산 영역 및 상기 제2 불순물 확산 영역들과 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 콘택 플러그를 형성하고, 상기 제2 층간 절연막 상에 상기 콘택 플러그와 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 공통 소스 라인을 형성한다. 이처럼 공통 소스 라인이 최상의 반도체층 상에 제1 불순물 영역들 및 제2 불순물 영역들과 전기적으로 연결하도록 한번 형성됨으로써 공정을 보다 단순화할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020080079572A
公开(公告)日：2008-09-01
申请号：KR1020070090617
申请日：2007-09-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/08 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/30
Abstract: A nonvolatile memory device and a driving method thereof are provided to improve scattering and performance degradation of a memory cell using DPT(Double Patterning Technique) technology. A memory cell array(110) has memory cells arranged by crossing a plurality of word lines and a plurality of bit lines. A row decoder(120) selects one word line among the plurality of word lines. A word line voltage generator(130) generates a word line voltage to be provided to the selected word line. The word line voltage generator generates a word line voltage with a driving condition according to threshold voltage scattering corresponding to the structural position of a memory cell.
Abstract translation: 提供非易失性存储器件及其驱动方法以改善使用DPT（双重图案化技术）技术的存储器单元的散射和性能劣化。 存储单元阵列（110）具有通过交叉多个字线和多个位线而布置的存储单元。 行解码器（120）选择多个字线中的一个字线。 字线电压发生器（130）产生要提供给所选字线的字线电压。 字线电压发生器根据与存储单元的结构位置对应的阈值电压散射，产生具有驱动条件的字线电压。
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