公开(公告)号：KR1020140082881A

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：KR1020120151855

申请日：2012-12-24

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 어영주 ,  조아라 ,  조준식 ,  박주형 ,  윤경훈 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  안세진 ,  안승규 ,  유진수 ,  박상현

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

Abstract: In a process of manufacturing a CI(G)S thin film used as a light absorbing layer for a solar cell, a chelating agent is added to form a complex with Cu or In when CuI, InI_3, and Na_2Se used as materials of the light absorbing layer are dissolved, thereby making small-sized particles by structurally obstructing bonding of Se ions. Accordingly, a CI(G)S thin film with reduced pore sizes and improved composition uniformity can be manufactured. Also, problems of an existing method for manufacturing a light absorbing layer or a CI(G)S thin film, such as large pore sizes, necessity of changing a selenization condition of each process, and deterioration of composition uniformity of a manufactured absorbing layer or CI(G)S thin film when the change in the process condition is not appropriate, can be solved.

Abstract translation: 在制造用作太阳能电池的光吸收层的CI（G）S薄膜的过程中，当CuI，InI_3和Na_2Se用作光的材料时，加入螯合剂以与Cu或In形成络合物 吸收层被溶解，从而通过结构上阻碍Se离子的键合而制造小尺寸的颗粒。 因此，可以制造具有减小的孔径和改进的组成均匀性的CI（G）S薄膜。 此外，现有的制造光吸收层或CI（G）S薄膜的现有方法，例如孔径大，需要改变每种工艺的硒化条件的必要性，以及所制造的吸收层的组成均匀性的劣化或 CI（G）S薄膜当工艺条件的变化不合适时，可以解决。

公开(公告)号：KR1020140082880A

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：KR1020120151848

申请日：2012-12-24

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 어영주 ,  조아라 ,  조준식 ,  박주형 ,  윤경훈 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  안세진 ,  안승규 ,  유진수 ,  박상현

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: In a process of manufacturing a CI(G)S thin film used as a light absorbing layer for a solar cell, a chelating agent is added to form a complex with Cu or In when CuI, InI_3, and Na_2Se used as materials of the light absorbing layer are dissolved, thereby making small-sized particles by structurally obstructing bonding of Se ions. Therefore, a CI(G)S thin film with reduced pore sizes and improved composition uniformity can be manufactured. Also, problems of an existing method for manufacturing a light absorbing layer or a CI(G)S thin film, such as large pore sizes, necessity of changing a selenization condition of each process, and deterioration of composition uniformity of a manufactured absorbing layer or CI(G)S thin film when the change in the process condition is not appropriate, can be solved.

Abstract translation: 在制造用作太阳能电池的光吸收层的CI（G）S薄膜的过程中，当CuI，InI_3和Na_2Se用作光的材料时，加入螯合剂以与Cu或In形成络合物 吸收层被溶解，从而通过结构上阻碍Se离子的键合而制造小尺寸的颗粒。 因此，可以制造具有减小的孔径和改进的组成均匀性的CI（G）S薄膜。 此外，现有的制造光吸收层或CI（G）S薄膜的现有方法，例如孔径大，需要改变每种工艺的硒化条件的必要性，以及所制造的吸收层的组成均匀性的劣化或 CI（G）S薄膜当工艺条件的变化不合适时，可以解决。

公开(公告)号：KR101406734B1

公开(公告)日：2014-06-16

申请号：KR1020130094089

申请日：2013-08-08

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 안승규 ,  윤경훈 ,  윤재호 ,  조준식 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  박상현 ,  박주형 ,  어영주 ,  유진수 ,  조아라

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03928 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지에 관한 것으로, 유연한 재질의 기판; 상기 기판 위에 형성된 후면전극, 상기 후면전극 위에 형성된 CIGS 광흡수층; 상기 CIGS 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 전면전극을 포함하여 구성되며, 상기 후면전극은 단일층으로 구성된 Na 첨가 금속 전극층인 것을 특징으로 한다.
본 발명은 종래의 Na 첨가 Mo 전극층에 비하여 약 1/10정도 낮은 비저항을 나타내는 Na 첨가 Mo 전극층을 적용하여, 단일층으로 후면전극을 구성한 고효율의 유연기판 CIGS 태양전지를 제공할 수 있는 효과가 있다.
또한, 후면전극층을 형성하는 공정이 단일층의 Na 첨가 Mo 전극층을 형성하는 공정만으로 이루어져, 유연기판 CIGS 태양전지의 제조공정 및 제조비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.
나아가, Na 첨가 금속층이 공기 중에 노출된 동안에 표면에 형성된 Na 화합물을 제거하는 공정을 더 포함함으로써, 광흡수층이 박리되거나 태양전지의 변환효율이 감소하는 문제를 해소할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR101405113B1

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：KR1020130026377

申请日：2013-03-12

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 어영주 ,  조아라 ,  조준식 ,  박주형 ,  윤경훈 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  윤재호 ,  신기식 ,  안승규 ,  유진수 ,  박상현

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0465 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/541

Abstract: The present invention relates to a thin film solar cell enabling sunlight to be incident on a light absorbing layer directly without obstacles by forming a buffer layer, a transparent electrode, and a grid electrode on a lower surface of a CIGS instead of forming the buffer layer and the transparent electrode on the upper part of the light absorbing layer as the thin film solar cell used to be manufactured by forming the buffer layer, the transparent electrode, and the grid electrode on the upper part of the conventional light absorbing layer. Also, the solar cell can shorten the distance of an electron-hole moving to the electrode or the buffer layer, wherein the electron-hole is generated by patterning a first electrode and the buffer layer into a shape to mesh with a tooth structure to absorb light energy.

Abstract translation: 本发明涉及通过在CIGS的下表面上形成缓冲层，透明电极和栅格电极而使太阳光直接入射到光吸收层上的薄膜太阳能电池，而不是形成缓冲层 以及作为薄膜太阳能电池的光吸收层的上部的透明电极，通过在传统的光吸收层的上部形成缓冲层，透明电极和栅格电极来制造。 此外，太阳能电池可以缩短移动到电极或缓冲层的电子空穴的距离，其中通过将第一电极和缓冲层图案化成与牙齿结构相互吸收的形状而产生电子空穴 光能。

公开(公告)号：KR101388458B1

公开(公告)日：2014-04-24

申请号：KR1020120091874

申请日：2012-08-22

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 안세진 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  안승규 ,  조아라 ,  조준식 ,  박상현 ,  어영주 ,  유진수 ,  박주형

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 Se 성분이 포함된 Cu-In-Ga-Se 전구체 박막을 형성한 후 급속 열처리 공정을 수행함으로써 급속 열처리 공정 중 추가적인 Se 공급이 필요하지 않은 CIGS 박막의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로는, 기판에 셀레늄 성분이 포함된 Cu-In-Ga-Se 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 a); 상기 단계 a에서 형성된 전구체 박막에 400℃ 초과 600℃ 미만의 온도 및 1∼760 torr의 압력에서 1∼30분 동안 급속 열처리 공정(RTP)을 처리하는 단계(단계 b)를 포함한다. 본 발명에 따르면, CIGS 전구체 박막을 제조하는 과정에서 충분한 양의 Se가 전구체 박막 자체에 포함되게 함으로써 급속 열처리 공정 중 추가적으로 Se를 공급하여야 할 필요가 없으며, 급속 열처리 공정 조건의 제어를 통해 Se 손실을 최소화하여 고결정성의 CIGS 박막을 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR101352861B1

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：KR1020120150680

申请日：2012-12-21

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 조아라 ,  윤경훈 ,  안세진 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  어영주 ,  안승규

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035209 ,  C01B19/00 ,  C01B19/007 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/541

Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing an A(C)IGS-based thin film using core (Se) - shell (Ag2Se) nanoparticles and an A(C)IGS-based thin film and a tandem solar cell having the same, more particularly, to a method for manufacturing a dense thin film by non-vacuum coating slurries using core (Se) - shell (Ag2Se) nanoparticles and a A(C)IGS-based thin film and a tandem solar cell having the same. According to the present invention, a wide band gap A(C)IGS-based thin film can be provided by manufacturing an A(C)IGS-based thin film which contains Ag by applying core (Se) - shell (Ag2Se) nanoparticles to the manufacture of A(C)IGS-based thin film.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用核（Se） - 壳（Ag2Se）纳米颗粒和A（C）IGS系薄膜及其串联太阳能电池制造A（C）IGS系薄膜的方法， 更具体地说，涉及使用芯（Se） - 壳（Ag2Se）纳米颗粒和A（C）IGS系薄膜和具有该薄膜的串联太阳能电池的非真空涂布浆料制造致密薄膜的方法。 根据本发明，可以通过将芯（Se） - 壳（Ag2Se）纳米颗粒应用于包含Ag的A（C）IGS系薄膜来制造宽带隙A（C）IGS系薄膜 制造A（C）基于IGS的薄膜。

公开(公告)号：KR1020130107904A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：KR1020120030081

申请日：2012-03-23

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 안승규 ,  윤경훈 ,  윤재호 ,  조준식 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  조아라 ,  유진수 ,  박상현 ,  박주형 ,  어영주

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a chalcogenide solar cell with a double texture structure formed on the surface of a back electrode, and the chalcogenide solar cell manufactured by the same are provided to increase light capturing performance by forming a front texture and a back texture. CONSTITUTION: A back texture (32) is formed on the surface of a back electrode. A light absorption layer (40) of a chalcogenide semiconductor material is formed on the back electrode. A buffer layer (50) is formed on the light absorption layer. A transparent electrode is formed on the buffer layer. A front texture (62) is formed on the surface of the transparent electrode.

Abstract translation: 目的：制造在背面电极表面上形成的具有双重质感结构的硫族化物太阳能电池的方法，以及由其制造的硫族化物太阳能电池，以通过形成正面纹理和背部纹理来增加光捕获性能。 构成：在背面电极的表面上形成背面纹理（32）。 硫属元素半导体材料的光吸收层（40）形成在背电极上。 在光吸收层上形成缓冲层（50）。 在缓冲层上形成透明电极。 在透明电极的表面上形成正面纹理（62）。

公开(公告)号：KR101281053B1

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：KR1020120054547

申请日：2012-05-23

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 박상현 ,  곽지혜 ,  안세진 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  안승규 ,  조아라 ,  윤재호 ,  조준식 ,  유진수 ,  박주형 ,  어영주

IPC: G01R31/36 ,  H01L31/042

CPC classification number: Y02E10/50 ,  G01R31/36 ,  H01L31/042

Abstract: PURPOSE: A solar cell deterioration test chamber and a test method using the same are provided to make an internal chamber environment be a prerequisite for a deterioration test while a solar cell is installed within a chamber for the deterioration test, to make artificial light be not irradiated to the solar cell until a light amount of an artificial light source is stabilized up to a required level for the deterioration test and to make the artificial light be irradiated to the solar cell without changing inner temperature or humidity of the chamber after being stabilized. CONSTITUTION: A solar cell deterioration test chamber includes a chamber housing (201), a light shielding partition (210), a rotary type jig (220) and a temperature control unit. The chamber housing has a light penetration window through which light penetrates. The light shielding partition having an open part divides an internal space of the chamber housing into a first space adjacent to the light penetration window and a second space which is in an opposite side of the first space and shields light penetration from the first space to the second space. The rotary type jig installed to rotate at least 180 degrees in the open part of the light shield partition has a body for shielding light penetration and includes a solar cell for a test object in one surface. The temperature control unit controls the first space and the second space to substantially maintain the same temperature.

Abstract translation: 目的：提供一种太阳能电池劣化试验箱及其试验方法，在将太阳能电池安装在用于劣化试验的室内时，使室内环境成为劣化试验的先决条件，使人造光不 照射到太阳能电池，直到人造光源的光量稳定到劣化试验的所需水平，并且在稳定后不改变室内温度或湿度使人造光照射到太阳能电池。 构成：太阳能电池劣化试验室包括室室（201），遮光隔板（210），旋转式夹具（220）和温度控制单元。 腔室具有透光窗口，光穿过其中。 具有开口部分的遮光隔板将室壳体的内部空间划分成与透光窗相邻的第一空间和与第一空间相反的一侧的第二空间，并将光从第一空间屏蔽到 第二空间。 安装成在遮光隔板的敞开部分中旋转至少180度的旋转式夹具具有用于屏蔽透光的主体，并且在一个表面中包括用于测试对象的太阳能电池。 温度控制单元控制第一空间和第二空间以基本保持相同的温度。

公开(公告)号：KR101271499B1

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：KR1020110094532

申请日：2011-09-20

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 고창현 ,  김종남 ,  박종호 ,  한상섭 ,  윤재호 ,  윤경훈 ,  안세진 ,  곽지혜

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 반도체 박막 제조용 반응기 및 그를 이용한 반도체 박막 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 반도체 박막 제조용 반응기는 내부에 기판이 수용될 수 있는 공간이 형성된 상태로 상부가 개방되며, 유체가 유입될 수 있는 유입구 및 유출될 수 있는 유출구가 형성된 용기; 상기 용기의 개방된 상부를 덮는 덮개; 및 상기 용기의 하부에 위치하여 기판을 가열하기 위해 상기 용기 측으로 빛을 조사하는 광조사부를 포함하고, 상기 용기의 재질은 빛을 투과할 수 있는 것임을 특징으로 한다. 그러므로 용기는 빛을 투과할 수 있고, 기판은 불투명하게 제작되기 때문에 용기 측으로 빛을 조사할 때, 용기 자체는 가열 되지 않고, 불투명한 기판만 가열되어 기판에 박막을 균일하게 형성할 수 있다는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR101193106B1

公开(公告)日：2012-10-19

申请号：KR1020110071294

申请日：2011-07-19

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 조아라 ,  윤경훈 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  안세진 ,  신기식 ,  안승규

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a CI(G)S based thin film including a Cu-Se thin film using Cu-Se binary nano particle flux and the CI(G)S based thin film manufactured by the same are provided to obtain a dense structure by filling a gap between particles. CONSTITUTION: Cu-Se binary nano particles an In nano particles are made. Slurry including Cu-Se binary nano particles is made by mixing the Cu-Se binary nano particles, solvents, and a binder. Slurry including In nano particles is made by mixing the In nano particles, the solvents, and the binder. A thin film is formed by alternatively coating a substrate with the slurry including Cu-Se binary nano particles and the slurry including In nano particles. The thin film is thermally processed for 60 to 90 minutes at substrate temperatures of 520 to 550 degrees centigrade by supplying selenium steam. [Reference numerals] (AA) Selenization thermal process; (BB) Cu-Se flux

Abstract translation: 目的：提供一种使用Cu-Se二元纳米粒子通量的Cu-Se薄膜和由其制造的CI（G）S系薄膜的CI（G）S系薄膜的制造方法， 填充颗粒之间的间隙的结构。 构成：制备Cu-Se二元纳米颗粒和纳米颗粒。 通过混合Cu-Se二元纳米颗粒，溶剂和粘合剂制备包括Cu-Se二元纳米颗粒的浆料。 包括纳米颗粒在内的浆料是通过混合In纳米颗粒，溶剂和粘合剂制成的。 通过用包括Cu-Se二元纳米颗粒和包含In纳米颗粒的浆料的浆料交替地涂布基材来形成薄膜。 通过提供硒蒸汽将薄膜在520至550摄氏度的基板温度下热处理60至90分钟。 （附图标记）（AA）硒化热处理; （BB）Cu-Se焊剂