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公开(公告)号：KR101541415B1
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：KR1020130087979
申请日：2013-07-25
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지의기판을준비하는단계, 상기기판상에균일하게소정의입자를소정의시간동안분사압력과분사각도를조절하여요철구조를형성하는샌드블래스트(sand blast) 처리단계, 상기요철구조가형성된기판을세척하는단계, 상기기판의요철구조에의해후면전극층의표면에요철구조가형성될수 있는소정의두께로후면전극층을증착하는단계, 상기후면전극층상에광흡수층을증착하고, 상기광흡수층상에버퍼층을증착하는단계, 상기버퍼층상에투명전도층을증착하는단계, 상기투명전도층상에반사방지막을전면전극층이형성되는영역을제외한부분에증착하는단계, 상기투명전도층상에상기반사방지막이형성되지않은부분에전면전극층을증착하는단계를포함하는태양전지제조방법을이용한다. 본원발명에서는태양전지의기판에샌드블래스트(sand blast) 처리를통하여요철구조를형성하고, 상기기판상부에형성되는후면전극에도요철구조가형성되는효과를두어광흡수층에서흡수되는태양광의비율을높일수 있게된다. 또한, 기판에형성된요철구조로인하여상기기판의고온에서의변형을방지할수 있어태양전지의안정성을확보할수 있다.
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公开(公告)号：KR101490519B1
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：KR1020130080225
申请日：2013-07-09
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 박막 태양전지에 관한 것으로, 종래 광흡수층 상부에 버퍼층, 투명전극, 그리드 전극을 형성하여 제조하던 것을 광흡수층 상부에는 버퍼층, 투명전극을 형성하지 않고, 버퍼층, 투명전극, 그리드 전극을 CIGS 하부면에 형성함으로써 태양광이 장애물 없이 직접 광흡수층으로 입사하도록 하고, 또한 제 1 전극과 버퍼층을 서로 맞물리는 나선형상으로 패터닝하여 빛에너지를 흡수하여 발생하게 되는 전자-정공이 전극 또는 버퍼층으로 이동하게 되는 거리를 단축할 수 있게 하는 태양전지에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020150006927A
公开(公告)日：2015-01-20
申请号：KR1020130080225
申请日：2013-07-09
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/04
Abstract: 본 발명은 박막 태양전지에 관한 것으로, 종래 광흡수층 상부에 버퍼층, 투명전극, 그리드 전극을 형성하여 제조하던 것을 광흡수층 상부에는 버퍼층, 투명전극을 형성하지 않고, 버퍼층, 투명전극, 그리드 전극을 CIGS 하부면에 형성함으로써 태양광이 장애물 없이 직접 광흡수층으로 입사하도록 하고, 또한 제 1 전극과 버퍼층을 서로 맞물리는 나선형상으로 패터닝하여 빛에너지를 흡수하여 발생하게 되는 전자-정공이 전극 또는 버퍼층으로 이동하게 되는 거리를 단축할 수 있게 하는 태양전지에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种锡膜太阳能电池。 代替形成缓冲层的现有制造，在光吸收层的上部中的透明电极，栅电极，缓冲层，缓冲层，透明电极和栅电极形成在 CIGS在光吸收层的上部不形成透明电极，从而直接向光吸收层发射太阳光而没有障碍物，并且缩短电子和空穴到电极和缓冲层的移动距离。 通过以交替螺旋形状并吸收光能的方式构图第一电极和缓冲层来产生电子和空穴。
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公开(公告)号：KR1020140132025A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：KR1020130050380
申请日：2013-05-06
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: B60J7/043 , H01L31/042
Abstract: 본 발명은 본 발명은 차량의 지붕에 설치하는 선루프(sunroof)에 관한 것으로, 특히 전기 변색소자를 이용한 차량용 선루프와 이에 전기를 공급하는 방법에 관한 것으로서, 차량의 지붕에 설치하여 외부의 빛이나 공기가 차안으로 들어오도록 조절할 수 있게 하는 선루프(sunroof)에 있어서, 가해지는 전압에 따라 투명도가 변화되는 전기 변색소자(Electrochromic Material)를 갖는 스마트유리창부(1)와, 상기 스마트유리창부(2)에 전원을 공급하는 태양전지부(2)와 태양전지부(2)에서 생산된 전기를 스마트유리창부에 공급하는 전원공급부(3)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 技术领域本发明涉及一种安装在车顶上的太阳屋顶，更具体地说，涉及使用电致变色材料的车辆天窗和向其供电的方法。 安装在车顶上以控制外部光或空气引入车辆内的天窗包括具有电致变色材料的智能玻璃窗单元（1），其中透明度根据施加的电压而变化; 向所述智能玻璃窗单元（2）供电的太阳能电池单元（2）; 以及将太阳能电池单元（2）中产生的电力供应到智能玻璃窗单元（2）的电源单元（3）。
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公开(公告)号：KR1020140112148A
公开(公告)日：2014-09-23
申请号：KR1020130026155
申请日：2013-03-12
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L21/02568 , H01L21/02664 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: Disclosed is a method for manufacturing a CI(G)S thin film as a light absorbing layer of a solar cell. The method includes the steps of: preparing a substrate; manufacturing a CI(G)S-based compound which is a precursor; forming a CI(G)S-based precursor thin film by coating the substrate with the precursor CI(G)S-based compound; drying the CI(G)S-based precursor thin film formed on the substrate; selenizing the dried CI(G)S-based precursor thin film through heat treatment to form a CI(G)S thin film; dipping the formed CI(G)S thin film in a solution containing sodium (Na) to deposit a buffer layer; and heat treating the CI(G)S thin film on which the buffer layer is deposited so that the Na on the buffer layer can be moved to the CI(G)S thin film in a Na+ state, thereby reducing defects of crystal grains of the CI(G)S thin film by the Na+ and using the CI(G)S thin film having improved performance as a light absorbing layer of a solar cell.
Abstract translation: 公开了一种制造作为太阳能电池的光吸收层的CI（G）S薄膜的方法。 该方法包括以下步骤：制备基底; 制造作为前体的CI（G）S基化合物; 通过用前体CI（G）S基化合物涂覆基底来形成CI（G）S基前体薄膜; 干燥形成在基板上的CI（G）S基前体薄膜; 通过热处理对干燥的CI（G）S基前体薄膜进行硒化，形成CI（G）S薄膜; 将形成的CI（G）S薄膜浸入含有钠（Na）的溶液中以沉积缓冲层; 并对其中沉积有缓冲层的CI（G）S薄膜进行热处理，使得缓冲层上的Na能够以Na +态移动到CI（G）S薄膜，从而减少晶体的晶粒缺陷 通过Na +的CI（G）S薄膜和使用具有改进的性能的CI（G）S薄膜作为太阳能电池的光吸收层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101439240B1
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：KR1020130036155
申请日：2013-04-03
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/18 , H01L31/0749
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/042 , H01L31/0749 , H01L31/18
Abstract: The present invention relates to a fabrication method of a light absorbing layer and a solar cell. The fabrication method of the light absorbing layer and the fabrication method of the solar cell are configured to fabricate the light absorbing layer of the solar cell to allow the light absorbing layer have a composition ratio of a target by irradiating a laser or an electron beam to the target having the desired composition ratio and then depositing a formed plasma on a substrate; to be able to adjust the composition in accordance to the height of the light absorbing layer; and to deposit the light absorbing layer at a low temperature when compared to a conventional technique.
Abstract translation: 本发明涉及一种光吸收层和太阳能电池的制造方法。 光吸收层的制造方法和太阳能电池的制造方法被配置为制造太阳能电池的光吸收层，以通过照射激光或电子束来允许光吸收层具有靶的组成比 所述靶具有所需的组成比，然后在基底上沉积形成的等离子体; 能够根据光吸收层的高度来调整组成; 并且与常规技术相比，将光吸收层沉积在低温下。
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公开(公告)号：KR101428594B1
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：KR1020130108451
申请日：2013-09-10
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/04
Abstract: The present invention relates to a CI(G)S thin film and a method for forming the same. More specifically, the present invention relates to a method for forming a CI(G)S thin film which improves an electro-optical property, productivity, cost reduction and process stability and a CI(G)S thin film manufactured by the method. According to the present invention, an indium layer or an indium-gallium layer, which has low copper content or no copper, between the CI(G)S thin film of a solar cell and molybdenum thin film interface is stacked, thereby completely removing carbon remaining on the CI(G)S thin film and the molybdenum thin film interface and improving the electro-optical property of the CI(G)S thin film.
Abstract translation: 本发明涉及一种CI（G）S薄膜及其形成方法。 更具体地说，本发明涉及一种提高电光性能，生产率，成本降低和工艺稳定性的CI（G）S薄膜的形成方法以及通过该方法制造的CI（G）S薄膜）。 根据本发明，在太阳能电池的CI（G）S薄膜和钼薄膜界面之间堆叠具有低铜含量或不含铜的铟层或铟镓层，从而完全除去碳 留在CI（G）S薄膜和钼薄膜界面上，提高了CI（G）S薄膜的电光性能。
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公开(公告)号：KR1020140026678A
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：KR1020120091874
申请日：2012-08-22
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a CIGS thin film which does not require an additional Se supply during rapid thermal processing (RTP), by performing the rapid thermal processing after forming a Cu-In-Ga-Se precursor thin film containing a Se component. Specifically, the method for manufacturing a CIGS thin film comprises the steps of forming a Cu-In-Ga-Se precursor thin film containing selenium in a substrate (step a); and performing rapid thermal processing to the precursor thin film formed in step a at a temperature exceeding 400°C and below 600°C and at a pressure of 1 to 760 torr for 1 to 30 minutes (step b). The present invention allows the precursor thin film to contain a sufficient amount of Se in itself in the process of manufacturing the CIGS precursor thin film. Therefore the precursor thin film does not require an additional Se supply during the rapid thermal processing, thereby minimizing loss of Se from controlling the rapid thermal processing conditions and providing a high crystalline CIGS thin film.
Abstract translation: 本发明涉及一种在快速热处理（RTP）中不需要额外的Se供应的CIGS薄膜的制造方法，其特征在于，在形成含有Cu-In-Ga-Se前体薄膜的Cu-In-Ga-Se前体薄膜之后进行快速热处理 Se组件。 具体地说，制造CIGS薄膜的方法包括以下步骤：在衬底中形成含有硒的Cu-In-Ga-Se前体薄膜（步骤a）。 对步骤a中形成的前体薄膜，在超过400℃，600℃以下，1〜760托的压力下进行1〜30分钟的快速热处理（步骤b）。 本发明允许前体薄膜在制造CIGS前体薄膜的过程中本身含有足够量的Se。 因此，前体薄膜在快速热处理期间不需要额外的Se供应，从而使得Sn的损失最小化以控制快速热处理条件并提供高结晶CIGS薄膜。
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119.发明授权저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 ＣＩ（Ｇ）Ｓ계 박막의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 ＣＩ（Ｇ）Ｓ계 박막 有权基于CIGS的复合薄膜的制备方法使用具有低熔点的熔点和其制备的CI（G）S基化合物薄膜
公开(公告)号：KR101367760B1
公开(公告)日：2014-02-28
申请号：KR1020120010638
申请日：2012-02-02
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0326 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막에 개시된다. 본 발명의 CI(G)S계 박막의 제조방법은, CI(G)S계 나노입자를 제조하는 단계(단계 a); CI(G)S계 나노입자와 녹는점이 30~400℃ 범위에 있는 플럭스를 포함하는 슬러리를 제조하는 단계(단계 b); 슬러리를 기판에 비진공 코팅하여 CI(G)S계 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 c); CI(G)S계 전구체 박막을 건조시키는 단계(단계 d); 및 CI(G)S계 전구체 박막을 셀레늄증기를 이용하여 셀렌화 열처리하는 단계(단계 e); 를 포함한다. 이에 의하여, 종래 CI(G)S계 박막의 형성에서보다 낮은 온도로 셀렌화 열처리가 가능하여 제조비용을 절감하면서도, 낮은 온도에서도 박막 내 결정성장이 충분히 이루어질 수 있다.
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120.发明授权이중의 밴드갭 기울기가 형성된 ＣＺＴＳ계 박막의 제조방법, 이중의 밴드갭 기울기가 형성된 ＣＺＴＳ계 태양전지의 제조방법 및 그 ＣＺＴＳ계 태양전지 有权双层压片薄膜的制造方法，双层分级太阳能电池和CZTS太阳能电池的制造方法
公开(公告)号：KR101339874B1
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020120066111
申请日：2012-06-20
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: H01L31/0725 , H01L21/02422 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02568 , H01L31/0326 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a double grading CZTS thin film. The method for manufacturing a double grading CZTS thin film includes a step for forming a backside electrode; and a step for forming a CZTS-based thin film. The present invention improves the efficiency of a solar cell by increasing electron mobility.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造双重分级CZTS薄膜的方法。 双级分CZTS薄膜的制造方法具有形成背面电极的工序， 以及形成CZTS系薄膜的工序。 本发明通过增加电子迁移率来提高太阳能电池的效率。
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