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    Pyrometer
    111.
    发明公开
    Pyrometer 失效
    测温仪。

    公开(公告)号：EP0294747A2

    公开(公告)日：1988-12-14

    申请号：EP88109008.8

    申请日：1988-06-06

    Applicant: Minolta Camera Kabushiki Kaisha

    Inventor： Makino, Toshiro 36-304, Higashioji-Takano-Dai3 ,  Tsujimura, Hiroji c/o Minolta Camera K.K. ,  Arima, Jiro c/o Minolta Camera K.K.

    IPC: G01J5/60

    CPC classification number: G01J5/60 ,  G01J2005/0074

    Abstract: A pyrometer comprising light emitting means (101) for emitting light having at least two wavelengths to a target to be measured, first light measuring means for measuring light emitted by said light emitting means (101) with respect to said at least two wavelengths to produce first signals, second light measuring means for measuring light reflected by the target with respect to said at least two wavelengths to produce second signals, third light measuring means for measuring intensity of light radiated by the target with respect to said at least two wavelengths to produce third signals, emissivity assuming means for assuming an emissivity of the target on the basis of the equation
        ε (λ)= 1-k×L(λ) or ε (λ)= 1- k(λ) ×L(λ) ,
    wherein ε (λ), k, k(λ), L(λ) respectively represents an assumed emissivity of the target with respect to a wavelength λ, a constant, a function of λ, information as to the second signal at λ, and temperature calculating means (107) for calculating a temperature of the target on the basis of the minimum value of the difference between an assumed radiation intensity calculated according to the assumed emissivity of the target and a measured radiation intensity according to the third signals.
    Due to the pyrometer, a true temperature can be calculated even when the actual spectral characteristic of emissivity is complicated, and measuring errors of the radiation intensity and reflection intensity etc. can be prevented.

    Abstract translation: 一种高温计，包括用于将至少两个波长的光发射到待测量的目标的发光装置（101），第一光测量装置，用于测量由所述发光装置（101）相对于所述至少两个波长发射的光，以产生 第一信号，第二光测量装置，用于测量由所述目标相对于所述至少两个波长反射的光以产生第二信号;第三光测量装置，用于测量目标相对于所述至少两个波长辐射的光的强度，以产生 （λ）= 1-kxL（λ）或ε（λ）= 1-k（λ）xL（λ）的方式来假定目标的发射率的装置，其中ε（ λ），k，k（λ），L（λ）分别表示目标相对于波长λ的假定发射率，常数，λ的函数，关于第二信号的信息 以及温度计算装置（107），用于根据根据假定的目标发射率计算出的假定辐射强度与测量的辐射强度之间的差值的最小值来计算目标温度， 第三个信号。 由于高温计，即使发射率的实际光谱特性复杂，也可以计算真实的温度，并且可以防止辐射强度和反射强度等的测量误差。

    Mesure de l'émissivité thermique d'un corps
    112.
    发明公开
    Mesure de l'émissivité thermique d'un corps 有权
    Messung desWärmeemissionsvermögenseinesKörpers

    公开(公告)号：EP2505976A1

    公开(公告)日：2012-10-03

    申请号：EP12162129.6

    申请日：2012-03-29

    Applicant: Univ Paris Ouest Nanterre la Defense

    Inventor： Herve, Philippe ,  Rambure, Nicolas

    IPC: G01J5/08 ,  G01J5/58 ,  G01J5/00

    CPC classification number: G01J5/08 ,  G01J5/0825 ,  G01J5/58 ,  G01J2005/0074

    Abstract: La présente invention concerne un procédé de mesure de l'émissivité d'un corps à surface sensiblement lisse, comprenant les étapes suivantes :
    a) réalisation d'une première mesure A de la luminance en un point de la surface du corps sous un angle d'émission θ, le rayonnement thermique sur lequel est effectué la mesure étant polarisé dans une première direction par rapport au plan d'émission ;
    b) réalisation d'une seconde mesure B de la luminance au même point et sous le même angle θ, le rayonnement thermique sur lequel est effectué la mesure étant polarisé dans une seconde direction par rapport au plan d'émission, cette seconde direction étant différente de la première direction ;
    c) détermination de l'émissivité ε du corps,
    ledit procédé étant caractérisé en ce que
    l'angle θ est compris entre 40° et 50°, et
    l'émissivité non polarisée ε du corps et/ou la composante de l'émissivité dans le plan perpendiculaire ε S au plan d'émission et/ou la composante de l'émissivité dans le plan parallèle ε P au plan d'émission est déterminée sur la base des fonctions suivantes : ε = a 1 + 1 , 05 - B / A x 9 , 3332 × 10 - 8 x θ 5 - 2 , 6666 x 10 - 5 x θ 4 + 2 , 9883 x 10 - 3 x θ 3 - 0 , 16243 x θ 2 + 4 , 18573 x θ - 38 , 49 ε S θ = 2 - R ε P θ = 2 ⁢ R - R 2
    avec B A = R .

    Abstract translation: 该方法包括在44.5和45.5度之间的发射角（θ）处实现在身体（1）的光滑表面（3）的点（M）处的亮度的一组测量，其中测量 被制成相对于发射平面在不同的方向上极化。 基于特定关系确定身体的非偏振发射率和/或垂直于和平行于发射平面的平面中的发射率分量。 还包括以下独立权利要求：（1）用于确定材料的结构和/或组成的变化的方法（2）用于测量具有光滑表面的主体的发射率的装置。

    Temperaturerfassungseinrichtung
    113.
    发明公开
    Temperaturerfassungseinrichtung 审中-公开

    公开(公告)号：EP1857791A1

    公开(公告)日：2007-11-21

    申请号：EP07106371.3

    申请日：2007-04-18

    Applicant: BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH

    Inventor： Has, Uwe ,  Vetterl, Peter ,  Schieferdecker, Jörg ,  Schulze, Mischa

    IPC: G01J5/00 ,  G01J5/60 ,  F24C7/08

    CPC classification number: H05B3/746 ,  F24C7/08 ,  G01J5/0003 ,  G01J5/08 ,  G01J5/0896 ,  G01J5/12 ,  G01J5/602 ,  G01J2005/0074

    Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Temperaturerfassungseinrichtung eines Geräts zur berührungslosen Erfassung der Temperatur und/oder der Temperaturänderung eines Gegenstandes (4) insbesondere eines Kochgeschirrs mit thermisch durch das Gerät zu beaufschlagenden und/oder zu behandelnden Gargut, unter Verwendung zumindest eines den Gegenstand zumindest partiell erfassenden Infrarotstrahlungssensors (6).
    Der Temperaturerfassungseinrichtung ist ein in Richtung auf den temperaturmäßig zu erfassenden Gegenstand strahlender Infrarotstrahler (1) zugeordnet.
    Die vom zugeordneten Infrarotstrahler ausgesandte Strahlung wird von dem zu erfassenden Gegenstand reflektiert und zur Feststellung der Beschaffenheit des zu erfassenden Gegenstandes durch den Infrarotsender ausgewertet.

    Abstract translation: 该装置具有布置在凹面镜（2）的内侧并沿待检测物体的方向照射的红外线发射器（1）。 由红外发射器发射的辐射由红外传感器（6）检测并被物体反射，其中辐射被评估以确定物体的状况。 红外发射器和红外传感器组合到共同的光学系统单元的组件并附接到光谱滤波器。

    Semiconductor processing technique, including pyrometric measurement of radiantly heated bodies
    116.
    发明公开
    Semiconductor processing technique, including pyrometric measurement of radiantly heated bodies 失效
    Halbleiter-Verarbeitungstechnik，mit pyrometrischer Messung durch StrahlungerwärmterKörper。

    公开(公告)号：EP0618430A1

    公开(公告)日：1994-10-05

    申请号：EP94302060.2

    申请日：1994-03-23

    Applicant: AT&T Corp.

    Inventor： Fiory, Anthony Thomas

    IPC: G01J5/00 ,  G05D23/27 ,  H05B3/00

    CPC classification number: G01J5/0003 ,  G01J5/0007 ,  G01J5/08 ,  G01J5/0818 ,  G01J5/0878 ,  G01J2005/0048 ,  G01J2005/0074

    Abstract: In a process for heating, e.g., a semiconductor wafer within a processing chamber, the wafer is exposed to a flux of electromagnetic radiation from lamps energized by alternating electric current. The surface temperature of the wafer is measured, and responsively, the radiation flux is controlled. The temperature measurement procedure includes collecting radiation propagating away from the wafer in a first light-pipe probe, collecting radiation propagating toward the wafer in a second light-pipe probe, and detecting radiation collected in the respective probes. This procedure further involves determining, in the signal received from each probe, a magnitude of a time-varying component resulting from time-variations of the energizing current, and combining at least these magnitudes according to a mathematical expression from which the temperature can be inferred. At least some of the radiation collected by the second probe is collected after reflection from a diffusely reflecting surface. The second probe effectively samples this radiation from an area of the diffusely reflecting surface that subtends a solid angle Ω₂ at the wafer surface. The first probe effectively samples radiation from an area of the wafer that subtends a solid angle Ω₁ at the first probe. The radiation sampling is carried out such that Ω₂ is at least about Ω₁.

    Abstract translation: 加热过程包括将身体暴露于来自至少一个由时变电流激励的灯的可控磁通量的电磁辐射，测量表面温度。 的身体，并控制辐射通量。 该测量涉及收集由第一光管探针中的身体发射和反射的辐射并检测辐射，从而导致标记为S1的第一探针信号。 朝向身体传播的辐射的一部分被收集在第二光管探针中，并且包括被检测的漫反射表面的辐射，导致表示为S2的第二探针信号。 确定S1和S2的时变分量的大小，分别表示为〜DS1和〜DS2。 数值S1，S2，〜DS1和〜DS2在数学上组合，使得表面温度 的身体是计算的。 第一探测器有效地对来自身体区域的辐射进行对准在第一探针处的立体角ω1，并且第二探测器从辐射反射表面的区域中对准辐射，该扩散反射表面的区域在最近的表面 身体。 角度ω2大于或近似等于ω1。

    Method and apparatus to simultaneously measure emissivities and thermodynamic temperature of remote objects
    117.
    发明公开
    Method and apparatus to simultaneously measure emissivities and thermodynamic temperature of remote objects 失效
    对于辐射率的同时测量和远程对象的热力学温度的方法和设备。

    公开(公告)号：EP0483394A1

    公开(公告)日：1992-05-06

    申请号：EP90120717.5

    申请日：1990-10-29

    Applicant: HOUSTON ADVANCED RESEARCH CENTER

    Inventor： Krishnan,Shankar ,  Hansen,George P. ,  Hauge,Robert H. ,  Margrave,John L. ,  Rey,Charles A.

    IPC: G01J5/00 ,  G01J5/58

    CPC classification number: G01J5/58 ,  G01J4/04 ,  G01J5/0003 ,  G01J5/0096 ,  G01J5/04 ,  G01J5/047 ,  G01J5/08 ,  G01J5/0809 ,  G01J5/0825 ,  G01J5/0834 ,  G01J5/0846 ,  G01J5/0896 ,  G01J2005/0048 ,  G01J2005/0074 ,  G01J2005/0077 ,  G01N21/21 ,  G01N2021/1793 ,  G01N2201/0696

    Abstract: Method and apparatus for accurately and instantaneously determining the thermodynamic temperature of remote objects by continuous determination of the emissivity, the reflectivity, and optical constants, as well as the apparent or brightness temperature of the sample with a single instrument. The emissivity measurement is preferably made by a complex polarimeter including a laser that generates polarized light, which is reflected from the sample into a detector system. The detector system includes a beamsplitter, polarization analyzers, and four detectors to measure independently the four Stokes vectors of the reflected radiation. The same detectors, or a separate detector in the same instrument, is used to measure brightness temperature. Thus, the instrument is capable of measuring both the change in polarization upon reflection as well as the degree of depolarization and hence diffuseness. This enables correction for surface roughness of the sample and background radiation, which could otherwise introduce errors in temperature measurement.

    Abstract translation: 方法和装置，用于精确地设定和瞬时确定性通过连续测定的发射率，反射率，和光学常数，以及使用一台仪器表观亮度或温度的样本的采远程对象的热力学温度。 发射率测量优选通过一个复杂的旋光仪包括激光并产生偏振的光率，所有这一切都被从样品到检测器系统反射由该检测器系统包括分束器，偏振分析仪，和四个探测器以测量unabhängig的四个斯托克斯矢量 反射的辐射。 相同的检测器，或在同一仪器的单独探测器被用于测量亮度的温度。 因此，该仪器能够测量在两个偏振反射时的变化以及去极化的程度，并因此扩散的。 这使得能够对所述样品和背景辐射，否则可能在温度测量中引入误差的表面粗糙度的校正。

    Method for measuring temperature based on infrared light and apparatus for measuring temperature based on infrared light
    118.
    发明公开
    Method for measuring temperature based on infrared light and apparatus for measuring temperature based on infrared light 失效
    对于使用红外光测量温度的方法和装置。

    公开(公告)号：EP0476611A2

    公开(公告)日：1992-03-25

    申请号：EP91115833.5

    申请日：1991-09-18

    Applicant: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LIMITED

    Inventor： Miki, Atsushi, c/o Yokohama Works of Sumitomo ,  Nishiguchi, Masanori, c/o Yokohama Works of Sumit.

    IPC: G01J5/00

    CPC classification number: G01J5/0003 ,  G01J5/0007 ,  G01J2005/0048 ,  G01J2005/0074 ,  G01J2005/0077

    Abstract: A method for measuring temperature based on infrared light which measures the temperature of a semiconductor element, the surface layer of which is formed with two kinds of materials having different emissivities and optical reflectances, based on the amount of infrared emission incident on an image taking means according to the invention, comprises the steps of taking an image by diffusing and letting the incident be the reflected light of a beam of light incident on the surface of the above semiconductor element on the light receiving face of the image taking means, followed by determining the area ratio at which each of the above two kinds of materials occupies the surface of the above semiconductor element by comparing the average brightness value of the above image with the brightness value of an image for the case that each of the above two kinds of materials independently forms the surface layer of the above semiconductor element, and obtaining the weighted average of the emissivities of the above two kinds of materials with the area ratio at which each of the above two kinds of materials occupies the surface of the above semiconductor element, followed by calculating the temperature of the above semiconductor element based on the weighted average and the actual amount of infrared emission.

    Abstract translation: 基于红外光用于测量温度的方法，其测量一个半导体元件的温度，所有的表面层，其形成处理两种类型的具有不同发射率和光学反射率的材料，基于红外发射入射在图像拍摄装置中的量 雅丁本发明，包括通过扩散并让入射光是入射的光在光接收图象摄取装置的面的上述半导体元件的表面上的光束的反射光拍摄图像的步骤，通过确定性采矿其次 在每个上述两种物质的由上述图像的平均亮度值与图像的的情况下的亮度值相比较占据上述半导体元件的表面面积比没有上述各两种材料的 unabhängig形式上述半导体元件的表面层，以及获得所述术语的加权平均 以上两种的与每个上述两种物质的面积比的材料的vities占据上述半导体元件的表面上，然后通过计算基于加权平均上述半导体元件的温度和所述实际量 的红外发射。

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