公开(公告)号：WO2010036420A2

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：PCT/US2009046727

申请日：2009-06-09

Applicant: MASSACHUSETTS INST TECHNOLOGY ,  KOLODZIEJSKI LESLIE A ,  PETRICH GALE S ,  SHAMIR ORIT

Inventor： KOLODZIEJSKI LESLIE A ,  PETRICH GALE S ,  SHAMIR ORIT

CPC classification number: G02F1/01708 ,  B82Y20/00 ,  G02F2201/063 ,  G02F2201/07 ,  G02F2201/50

Abstract: An optical modulator is provided. The optical modulator includes a ridge- shaped active region comprising a plurality of alternating high and low index layers. The ridge-shaped active region is used to confine a selective optical mode for optical modulation. A plurality of oxidized layers positioned so as to confine the selective optical mode in the middle region of the ridge-shaped active region. The oxidized layers enable the optical modulator to withstand high operating voltages both in reverse and forward bias without concern of breakdown or carrier loss.

Abstract translation: 提供了一种光调制器。 该光学调制器包括一个脊形有源区，包括多个交替的高和低折射率层。 脊形有源区域用于限制用于光学调制的选择性光学模式。 多个氧化层被定位成将选择性光学模式限制在脊状有源区的中间区域。 氧化层使得光学调制器能够在反向和正向偏压下承受高工作电压，而不用担心击穿或载波损耗。

公开(公告)号：WO2010023738A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：PCT/JP2008/065331

申请日：2008-08-27

Applicant: 学校法人芝浦工業大学 ,  横井 秀樹

Inventor： 横井 秀樹

IPC: G02B27/28 ,  G02B6/12

CPC classification number: G02B6/132 ,  G02B6/12 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12157 ,  G02F1/095 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/063 ,  G02F2202/105

Abstract: 　ウェハボンディング処理を用いずに、Ｓｉ導波層と磁気光学材料層とから構成される光非相反素子を製造することができる新たな技術を提供する。基板上に磁気光学材料層を成膜し、前記磁気光学材料層の上にＳｉ層を成膜し、前記Ｓｉ層に導波路を形成し、前記導波路を伝播する光に非相反な位相変化を生じさせることができるように、前記磁気光学材料層を磁化する。

Abstract translation: 一种用于制造由Si波导层和没有晶片接合的磁光材料层构成的光学倒数器件的新型技术。 磁光材料层沉积在基片上，Si层沉积在磁光材料层上。 在Si层上形成波导。 为了使通过波导传播的光产生不可逆的相变，磁光材料层被磁化。

公开(公告)号：WO2009107194A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：PCT/JP2008/053214

申请日：2008-02-25

Applicant: 学校法人芝浦工業大学 ,  横井 秀樹

Inventor： 横井 秀樹

IPC: G02B27/28

CPC classification number: G02B6/132 ,  G02F1/0955 ,  G02F2201/063 ,  G02F2201/07

Abstract:   リブ導波路を形成したＳｉ層と、磁気光学材料層とを貼り合わせて光非相反素子を作成する場合に、クラックの発生を回避しつつ、Ｓｉ層と磁気光学材料層との十分な接着を確保することができる新たな技術を提供する。   第１の基板であるＳＯＩ基板のＳｉ層に導波路を形成する工程と、前記導波路の上に第１の薄膜バッファ層を形成する工程と、第２の基板に成膜した磁気光学材料層の上に前記第１の薄膜バッファ層と同じ材料を用いて第２の薄膜バッファ層を形成する工程と、前記第１の薄膜バッファ層と、前記第２の薄膜バッファ層とを、前記磁気光学材料層によって前記導波路を伝播する光に非相反な位相変化を生じさせることができる配置で、接合する工程と、を備える。

Abstract translation: 一种新技术，通过将形成有肋波导的Si层和磁光材料层粘贴在一起制造光不可逆元件，同时防止在Si层和磁光材料层之间的足够的粘附，同时防止发生裂纹。 制造光不可逆元件的方法包括在作为第一基板的SOI衬底的Si层中形成波导的工艺，在波导上形成第一薄膜缓冲层的工艺，形成第二薄层 使用与第一薄膜缓冲层相同的材料形成在第二基板上的磁光材料层上的薄膜缓冲层，以及以这种布置方式接合第一薄膜缓冲层和第二薄膜缓冲层的工艺 以致通过磁光材料层在波导中传播的光引起不可逆相变。

公开(公告)号：WO2009090687A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：PCT/JP2008/000048

申请日：2008-01-18

Applicant: アンリツ株式会社 ,  河野健治 ,  内田靖二 ,  川面英司 ,  佐藤勇治 ,  名波雅也 ,  中平徹 ,  五十嵐信弘 ,  松本聡

Inventor： 河野健治 ,  内田靖二 ,  川面英司 ,  佐藤勇治 ,  名波雅也 ,  中平徹 ,  五十嵐信弘 ,  松本聡

IPC: G02F1/035

CPC classification number: G02F1/0356 ,  G02F2201/063 ,  G02F2201/07

Abstract: 　電気光学効果を有する基板に光導波路と進行波電極を形成した進行波電極形光変調器に関する技術の課題に、前記進行波電極形光変調器の光変調帯域、駆動電圧、特性インピーダンス等の特性の改善がある。上記課題を解決するために、前記進行波電極を伝搬する高周波電気信号の電界強度が強い領域における前記基板の一部分の厚さを掘り下げにより少なくして形成した、リッジの構造を最適化する。また、前記リッジの形成された基板の上に、バッファ層を、前記バッファ層の上に導電層を形成するとともに、前記リッジの側壁に対する法線方向における前記バッファ層の少なくとも一部の厚みを、前記基板を掘り下げた部分上の前記バッファ層の厚み、もしくは前記リッジ頂部の前記バッファ層の厚みの少なくとも一方よりも薄くする。

Abstract translation: 与形成在具有电光效应的基板上的导光体和行波电极形成的行波电极型光调制器有关的技术问题包括光调制带宽，驱动电压， 和行波电极型光调制器的特性阻抗。 为了解决这个问题，优化了脊的结构，其形成为使得在行波电极中传播的高频电信号的高电场强度的区域的基板的一部分的厚度减小 通过挖掘。 此外，在形成有脊的基板上形成缓冲层，在缓冲层上形成导电层。 缓冲层的至少一部分在与脊的侧壁的法线方向上的厚度比衬底上的挖掘​​区域上的缓冲层部分和顶部的缓冲层部分的至少一个薄 的山脊。

公开(公告)号：WO2006041172A1

公开(公告)日：2006-04-20

申请号：PCT/JP2005/018987

申请日：2005-10-11

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  山口 省一郎 ,  吉野 隆史

Inventor： 山口 省一郎 ,  吉野 隆史

IPC: G02B6/122 ,  G02F1/377 ,  G02F1/035

CPC classification number: G02F1/3775 ,  G02B6/122 ,  G02B2006/1204 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12152 ,  G02F1/035 ,  G02F2201/063

Abstract: 　リッジ型光導波路を有する光導波路基板において、三次元光導波路を入射光が伝搬する際の損失を低減できるような構造を提供することである。光導波路基板は、強誘電性材料からなる強誘電体層３を備えており、層３の表面に形成されているリッジ部と、リッジ部の両側にそれぞれ設けられた突起とを備えており、リッジ部に三次元光導波路が設けられている。あるいは、層３の表面に形成されているリッジ部１５と、リッジ部１５の両側にそれぞれ設けられており、リッジ部１５よりも低い段差部２５Ａ、２５Ｂとを備えており、各段差部の外側にそれぞれ溝１６が形成されており、リッジ部１５に三次元光導波路が設けられている。

Abstract translation: 一种具有脊型光波导的光波导基板，其特征在于，提供能够降低入射光通过三维光波导传播时产生的损耗的结构。 光波导基板包括由铁电体材料构成的铁电体层（3），形成在铁电体层（3）的表面上的脊部，分别设置在脊部的相对侧的突起部和三维光学部件 波导设置在脊单元上。 或者，基板包括形成在铁电体层（3）的表面上的脊单元（15），分别设置在脊单元（15）的相对侧并且低于脊单元的阶梯差（25A，25B） （15），分别形成在各台阶差的外侧的凹槽（16）和设置在脊单元（15）上的三维光波导。

公开(公告)号：WO2005114307A1

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：PCT/CA2005/000781

申请日：2005-05-20

Applicant: BOOKHAM TECHNOLOGY PLC ,  PROSYK, Kelvin ,  HAYSOM, Joan

Inventor： PROSYK, Kelvin ,  HAYSOM, Joan

IPC: G02F1/015

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G02F1/015 ,  G02F1/01708 ,  G02F1/025 ,  G02F2001/0157 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/063 ,  G02F2202/108 ,  H01L21/265 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/22

Abstract: A monolithically integrated electroabsorption modulated laser having a ridge waveguide structure, has lateral ion implantation. The integrated device has a laser section and a modulator section. The modulator section has ion implanted regions adjacent to the waveguide ridge. The implanted regions penetrate through the top cladding layer to reduce capacitance within the intrinsic active core of the reverse biased modulator and allow a shallow etched ridge waveguide structure to be used for the modulator. The device provides good optical coupling, efficient manufacturing, and good high power performance.

Abstract translation: 具有脊波导结构的单片集成电吸收调制激光器具有横向离子注入。 集成装置具有激光部和调制部。 调制器部分具有与波导脊相邻的离子注入区域。 注入区域穿透顶部包层以减小反向偏置调制器的本征有效核心内的电容，并允许将浅蚀刻脊波导结构用于调制器。 该器件提供良好的光耦合，高效的制造和良好的高功率性能。

公开(公告)号：WO2004027512A1

公开(公告)日：2004-04-01

申请号：PCT/JP2003/011881

申请日：2003-09-18

Applicant: 独立行政法人 物質・材料研究機構 ,  栗村 直 ,  原田 昌樹

Inventor： 栗村 直 ,  原田 昌樹

IPC: G02F1/377

CPC classification number: G02F1/3544 ,  G02F2001/3509 ,  G02F2201/063

Abstract: 　水晶の擬似位相整合素子１の、光の通過方向に沿って、２本の溝１０を平行にダイシング加工する。すると、（ｂ）、（ｃ）に示すように、図における上面側に２本の溝１０で挟まれた凸部１１が形成され、その中にリッジ型導波路９が形成される。よって、このリッジ型導波路９に光を通すことにより、光はリッジ型導波路９に閉じ込められた状態で、結晶軸反転部分（分極反転領域）４を通過し、波長変換が行われる。よって、波長変換素子内での光のエネルギーが高い状態とすることができ、高い波長変換効率を得ることができる。

Abstract translation: 在晶体虚拟相位匹配元件（1）中沿着光通过方向切割两个凹槽（10），从而在图2的上表面侧形成保持在两个凹槽（10）之间的突起（11） 如图1和2所示。 4（b），（c）; 并且在突起内形成脊状波导（9）。 当允许光通过波导（9）时，光在被限制在波导（9）中的同时通过晶轴反转部分（极化反转区域）（4）进行波长转换。 在波长转换元件内可以保持高的光能量，以确保高的波长转换效率。

公开(公告)号：WO02069025A3

公开(公告)日：2002-11-21

申请号：PCT/GB0200773

申请日：2002-02-22

Applicant: BOOKHAM TECHNOLOGY PLC ,  VONSOVICI ADRIAN PETRU ,  DAY IAN EDWARD

Inventor： VONSOVICI ADRIAN PETRU ,  DAY IAN EDWARD

IPC: G02F1/025

CPC classification number: G02F1/025 ,  G02F2201/063 ,  G02F2202/06 ,  G02F2202/105

Abstract: An electro-optic device includes a semiconducting layer in which is formed a waveguide, a modulator formed across the waveguide comprising a p-doped region to one side and an n-doped region to the other side of the waveguide, wherein at least one of the doped regions extends from the base of a recess formed in the semiconducting layer. In this way, the doped regions can extend further into the semiconducting layer and further hinder escape of charge carriers without the need to increase the diffusion distance of the dopant and incur an additional thermal burden on the device. In an SOI device, the doped region can extend to the insulating layer. Ideally, both the p and n-doped regions extend from the base of a recess, but this may be unnecessary in some designs. Insulating layers can be used to ensure that dopant extends from the base of the recess only, giving a more clearly defined doped region. The (or each) recess can have non-vertical sides, such as are formed by v-groove etches, A combination of a vertical sidewall at the base of the recess and a non-vertical sidewall at the opening could be used.

Abstract translation: 一种电光器件包括其中形成有波导的半导体层，横过波导形成的调制器，该调制器包括到一侧的p掺杂区域和到波导的另一侧的n掺杂区域，其中至少一个 掺杂区域从在半导体层中形成的凹槽的底部延伸。 以这种方式，掺杂区域可以进一步延伸到半导体层中，并且进一步阻碍电荷载流子的逸出，而不需要增加掺杂剂的扩散距离并且对器件带来额外的热负荷。 在SOI器件中，掺杂区可以延伸到绝缘层。 理想情况下，p和n掺杂区域都从凹槽底部延伸，但在某些设计中这可能是不必要的。 可以使用绝缘层来确保掺杂剂仅从凹陷的底部延伸，从而给出更明确限定的掺杂区域。 （或每个）凹陷可以具有非垂直侧面，例如由V形凹槽蚀刻形成。可以使用凹陷基部处的垂直侧壁和开口处的非垂直侧壁的组合。

公开(公告)号：WO2002071141A1

公开(公告)日：2002-09-12

申请号：PCT/GB2002/000754

申请日：2002-02-21

Applicant: BOOKHAM TECHNOLOGY PLC ,  EVANS, Ivan

Inventor： EVANS, Ivan

IPC: G02F1/313

CPC classification number: G02F1/3133 ,  G02F2201/063 ,  G02F2201/14 ,  G02F2202/06

Abstract: An integrated optical switch comprises a pair of waveguides (14, 16)on a substrate (10), a p-n junction across the pair of waveguides defined by doped regions (18, 20) in the substrate, one on each side of the pair of waveguides, the arrangement being such as to enable an asymmetric current density to be applied across the respective waveguides. Typically, this is achieved by defining said regions substantially asymmetrically about the pair of waveguides. The arrangement can be asymmetric in respect of the location and/or the shape of the doped regions. The asymmetry can exist longitudinally with respect to the waveguides, or transverse thereto, or in other ways. A series of p and n-doped regions can be provided, potentially in a symmetric layout, and driven selectively and asymmetrically so as to achieve the same or a similar effect.

Abstract translation: 集成光开关包括在衬底（10）上的一对波导（14,16），跨过衬底中的掺杂区（18,20）限定的一对波导上的pn结，在该对波导的每一侧上 波导，该布置使得能够跨各个波导施加不对称电流密度。 通常，这通过围绕该对波导基本不对称地限定所述区域来实现。 该布置对于掺杂区域的位置和/或形状可以是不对称的。 不对称性可以相对于波导纵向存在，或横向于其它方式。 可以提供一系列p和n掺杂区域，潜在地以对称布局，并且被选择性地和不对称地驱动以实现相同或相似的效果。

公开(公告)号：WO0181989A3

公开(公告)日：2002-06-13

申请号：PCT/US0112839

申请日：2001-04-20

Applicant: UNIV COLUMBIA ,  FUJITA JUNICHIRO ,  LEVY MIGUEL ,  OSGOOD RICHARD M JR

Inventor： FUJITA JUNICHIRO ,  LEVY MIGUEL ,  OSGOOD RICHARD M JR

IPC: G02B6/26 ,  G02F1/095 ,  G02F1/21 ,  G02F1/225

CPC classification number: G02B6/2746 ,  G02F1/0955 ,  G02F1/225 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/063

Abstract: A device and method for optical isolation for use in optical systems is disclosed. The device provides for a waveguide optical isolator fabricated using two arms, made of optical waveguides comprising magneto-optical material, in a Mach-Zehnder interferometer configuration. The device of the present invention operates using the TM mode of a light wave and, thus, does not require phase-matching of TM and TE modes. Further, the present invention does not use polarizers to extinguish the optical feedback.

Abstract translation: 公开了一种用于光学系统中的用于光隔离的装置和方法。 该装置提供了使用由Mach-Zehnder干涉仪配置构成的包括磁光材料的光波导制成的两个臂制造的波导光隔离器。 本发明的装置使用光波的TM模式进行操作，因此不需要TM和TE模式的相位匹配。 此外，本发明不使用偏振器来熄灭光学反馈。