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公开(公告)号：CN105074547B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201480017747.6
申请日：2014-02-27
Applicant: 住友大阪水泥股份有限公司
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/0316 , G02F1/0356 , G02F1/225 , G02F2001/0154 , G02F2201/063 , G02F2201/122 , G02F2201/128
Abstract: 本发明提供一种光调制器。本发明的光调制器具备隆脊型光波导和调制电极。调制电极由被供给调制信号的信号电极、第一接地电极、第二接地电极构成，信号电极具有宽幅部，该宽幅部具有比隆脊型光波导的最上部的宽度更宽的宽度，第一接地电极具有以沿第一方向延伸的方式设置于第一面上的中央部接地电极构件，第二接地电极具有以沿第一方向延伸的方式设置于第二面上的中央部接地电极构件。中央部接地电极构件及中央部接地电极构件具有第一贯通孔及第二贯通孔，在俯视时，所述贯通孔与信号电极的宽幅部重叠。
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公开(公告)号：CN103513331B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201310258082.5
申请日：2013-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B6/12 , G02B6/12004 , G02F1/2257 , G02F2001/212 , G02F2201/063 , G02F2201/066 , G02F2202/105
Abstract: 本发明提供一种光学集成电路，该光学集成电路可包括包含单晶半导体材料的基板、在基板的 晶向上延伸并且包括该单晶半导体材料的无源元件、以及在基板的 晶向上延伸并且包括该单晶半导体材料的有源元件。
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公开(公告)号：CN105074547A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480017747.6
申请日：2014-02-27
Applicant: 住友大阪水泥股份有限公司
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/0316 , G02F1/0356 , G02F1/225 , G02F2001/0154 , G02F2201/063 , G02F2201/122 , G02F2201/128
Abstract: 本发明提供一种光调制器。本发明的光调制器具备隆脊型光波导和调制电极。调制电极由被供给调制信号的信号电极、第一接地电极、第二接地电极构成，信号电极具有宽幅部，该宽幅部具有比隆脊型光波导的最上部的宽度更宽的宽度，第一接地电极具有以沿第一方向延伸的方式设置于第一面上的中央部接地电极构件，第二接地电极具有以沿第一方向延伸的方式设置于第二面上的中央部接地电极构件。中央部接地电极构件及中央部接地电极构件具有第一贯通孔及第二贯通孔，在俯视时，所述贯通孔与信号电极的宽幅部重叠。
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公开(公告)号：CN109477983A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780038875.2
申请日：2017-12-15
Applicant: 洛克利光子有限公司
IPC: G02F1/01
CPC classification number: H04B10/541 , G02F1/0121 , G02F1/0147 , G02F1/015 , G02F1/025 , G02F2001/0157 , G02F2201/063 , G02F2201/16 , H04B10/524
Abstract: 一种光电器件。所述光电器件能操作以提供PAM-N调制输出，所述器件包括：M个光调制器，M是大于1的整数，所述M个光调制器以级联方式排列，所述器件被配置为在N个不同透射率状态下作为PAM-N调制器来操作，其中，在所述N个不同透射率状态中的每个透射率状态下，所述M个光调制器中的每一个具有向其施加的等于以下之一的相应控制电压：第一电压或第二电压。
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公开(公告)号：CN108931859A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810124748.0
申请日：2018-02-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/2257 , G02F2001/212 , G02F2201/063 , G02F1/025
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，实现内置有硅光调制器的半导体器件的小型化。半导体器件具有光调制器，该光调制器将第1光波导路、相位调制部(PM)、第2光波导路依次连接，沿第1方向(Y)对光进行引导，其中，相位调制部具有：半导体层(SL)，其由单晶硅构成，第1方向上的长度(L1)比与第1方向正交的第2方向(X)上的宽度(W1)大；芯部(CR)，其是形成于半导体层的光波导区域，沿第1方向延伸；一对板部(SB)，其在第2方向上配置于芯部的两侧；第1电极(Mp)，其与一个板部连接；和第2电极(Mn)，其与另一个板部连接。并且，芯部具有沿第1方向延伸的p型半导体区域和n型半导体区域，第2方向与半导体层的晶体取向 一致。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103907049B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201280052325.3
申请日：2012-10-26
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02F1/2257 , G02B6/122 , G02B6/2935 , G02B2006/12061 , G02B2006/12097 , G02B2006/12142 , G02B2006/12159 , G02F1/025 , G02F2001/0151 , G02F2001/212 , G02F2201/063
Abstract: 提供光学元件以及马赫－曾德型光波导元件。光学元件具备具有由肋部及夹着上述肋部位于其两侧且比上述肋部的厚度薄的第一及第二平板部形成的芯线的光波导，上述芯线的上述肋部和上述第一及第二平板部由半导体单晶一体地形成，上述第一平板部具有掺杂成P型的P型区域，上述第二平板部具有掺杂成N型的N型区域，上述肋部具有与设于上述第一平板部的P型区域接触的P型区域及与设置于上述第二平板部的N型区域接触的N型区域，上述肋部的P型区域和N型区域接触而构成PN结部，上述肋部具有在与上述光波导的长度方向垂直的截面中位于比上述第一及第二平板部靠上方的位置的上端部，上述肋部的上端部具有由本征区域、及以邻接的上述P型区域或N型区域的掺杂浓度的1/10以下的掺杂浓度掺杂的低浓度掺杂区域中的一方形成的未掺杂区域。
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公开(公告)号：CN103430084A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280012843.2
申请日：2012-03-16
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: G02F1/035 , G01N15/1434 , G02B6/122 , G02F1/2252 , G02F1/2255 , G02F2001/212 , G02F2201/05 , G02F2201/063 , G02F2201/066 , G02F2201/127 , G02F2202/28 , G02F2203/21 , G02F2203/50 , G02F2203/60
Abstract: 本发明的光调制元件包括：具有一对沟槽以及在这些沟槽之间的突起部支撑基板；由电光晶体构成且形成有进行多模传播的沟道型光波导的脊部；形成在脊部的一侧且由电光晶体构成；形成在脊部的另一侧且由电光晶体构成；用于粘接第一侧板部和支撑基板的第一粘接层；用于粘接第二侧板部和支撑基板的第二粘接层；以及用于粘接脊部和突起部的第三粘接层。本元件还具备：第一电极，设置在脊部的第一沟槽侧的侧面、第一侧板部的侧面以及第一侧板部上面；第二电极，设置在脊部的第二沟槽侧的侧面、第二沟槽、第二侧板部的侧面以及第二侧板部的上面。通过施加于第一电极和第二电极之间的调制电压来对在沟道型光波导中传播的光进行调制。
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公开(公告)号：CN101981492A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980111735.9
申请日：2009-03-06
Applicant: 住友大阪水泥股份有限公司
IPC: G02F1/035
CPC classification number: G02F1/225 , G02F2001/212 , G02F2201/063
Abstract: 本发明的目的在于抑制光折变现象的影响及杂散光与信号光的耦合。一种马赫-曾德尔波导型光调制器，包括：薄板(1)，由具有电光效应的材料形成且厚度在20μm以下；光波导(2)，形成于该薄板的表面或背面；以及调制电极，用于调制在该光波导内通过的光，上述马赫-曾德尔波导型光调制器的特征在于，该光波导由输入光波导(21)、分支光波导(23～28)、输出光波导(30)构成，该分支光波导具有：输入侧分支部(区域B)，从该输入光波导分支为多个光波导；输出侧合波部(区域D)，对连接于输出光波导的多个光波导进行合波；以及平行部(区域C)，形成于输入侧分支部与输出侧合波部之间，输入侧分支部或输出侧合波部中至少一个的沿分支光波导的对称轴的长度l与该平行部中的光波导间隔d的比率l/d为33～100。
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公开(公告)号：CN1771457A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN03826522.2
申请日：2003-04-30
Applicant: 皮雷利&C.有限公司
IPC: G02F1/035
CPC classification number: G02F1/3132 , G02F1/0316 , G02F1/0353 , G02F2201/063 , G02F2203/07
Abstract: 一种光电设备(1)，包括具有接收输入电磁辐射的第一波导(1)的定向耦合器(11)，所述第一波导包括光电材料的引导区(3)。此外，定向耦合器包括第二波导(2)，向其中耦合所述输入辐射的至少第一部分，并具有用于输出辐射的端口。光电设备具有至少在定向耦合器的所述第一波导(1)内生成控制电场(ERF)的结构(12，13)，以便在所述光电材料中，产生至少部分输入辐射的偏振转换。通过该偏振转换，可以控制从第二波导输出的辐射的功率，生成调制器、转换开关、衰减器或开闭开关。
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公开(公告)号：CN1446324A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN01814021.1
申请日：2001-08-08
Applicant: 布克哈姆技术公共有限公司
Inventor： I·E·戴
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2201/063 , G02F2201/122 , G02F2202/06 , G02F2202/105
Abstract: 电光装置，包括基底(2，3，4)和横过基底(2，3，4)延伸的集成光波导(1)，提供了两个掺杂部位(14，15)，以便可以施加横穿掺杂部位(14，15)的电信号，以改变波导(1)内的电荷载流子密度，掺杂部位(14，15)分别包括许多沿波导(1)长度彼此间隔开的掺杂区域(14A，14B，14C，14D；15A，15B，15C，15D)，以通过减少掺杂部位的每一对(14A，15A等)之间的电流电平来改善装置的性能。
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