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    窒化物半導体レーザ、及びエピタキシャル基板
    111.
    发明申请
    窒化物半導体レーザ、及びエピタキシャル基板 审中-公开
    氮化物半导体激光和外延衬底

    公开(公告)号：WO2012144251A1

    公开(公告)日：2012-10-26

    申请号：PCT/JP2012/052711

    申请日：2012-02-07

    Applicant: 住友電気工業株式会社 ,  ソニー株式会社 ,  京野 孝史 ,  塩谷 陽平 ,  住友 隆道 ,  善積 祐介 ,  上野 昌紀 ,  簗嶋 克典 ,  田才 邦彦 ,  中島 博

    Inventor： 京野　孝史 ,  塩谷　陽平 ,  住友　隆道 ,  善積　祐介 ,  上野　昌紀 ,  簗嶋　克典 ,  田才　邦彦 ,  中島　博

    IPC: H01S5/343 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01S5/3201 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

    Abstract: 光閉じ込め性の低下を縮小しながら駆動電圧の低減を可能にする窒化物半導体レーザを提供する。半導体領域１９では、発光層１３の活性層２５、第１のクラッド領域２１及び第２のクラッド領域２３は主面１７ａ上に設けられる。第２のクラッド領域２３は、第１ｐ型III族窒化物半導体層２７及び第２ｐ型III族窒化物半導体層２９を含む。第１ｐ型III族窒化物半導体層２７はＩｎＡｌＧａＮ層からなり、第２ｐ型III族窒化物半導体層２９は該ＩｎＡｌＧａＮ層と異なる半導体からなる。このＩｎＡｌＧａＮ層は非等方的な歪みを内包する。第１ｐ型III族窒化物半導体層２７は第２ｐ型III族窒化物半導体層２９と活性層２５との間に設けられる。第２ｐ型III族窒化物半導体層２９の比抵抗ρ２９は第１ｐ型III族窒化物半導体層２７の比抵抗ρ２７より低い。

    Abstract translation: 提供了一种氮化物半导体激光器，其能够降低驱动电压，同时减少光限制性能的降低。 在半导体区域（19）中，在主表面（17a）上设置发光层（13），第一覆盖区域（21）和第二覆盖区域（23）的有源层（25）。 第二高频区域（23）包含第一p型III族氮化物半导体层（27）和第二p型III族氮化物半导体层（29）。 第一p型III族氮化物半导体层（27）包括InAlGaN层，第二p型III族氮化物半导体层（29）包含与InAlGaN层不同的半导体。 InAlGaN层包括各向异性应变。 第一p型III族氮化物半导体层（27）设置在有源层（25）和第二p型III族氮化物半导体层（29）之间。 第二p型III族氮化物半导体层（29）的电阻率（Δ29）低于第一p型III族氮化物半导体层（27）的电阻率（ρ27）。

    半導体発光素子およびその製造方法
    114.
    发明申请
    半導体発光素子およびその製造方法 审中-公开
    半导体发光元件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2011117940A1

    公开(公告)日：2011-09-29

    申请号：PCT/JP2010/006017

    申请日：2010-10-07

    Applicant: パナソニック株式会社 ,  折田賢児

    Inventor： 折田賢児

    IPC: H01L33/32 ,  H01L33/14

    CPC classification number: H01L33/0045 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/125 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/34333

    Abstract: 　半導体発光素子は、基板１の上面上に設けられ、活性層６を含む窒化物半導体多層膜とを備える。活性層６の下面と接する層、または活性層６に、凹部２、段差、及び突状部のうち少なくとも１つが形成されており、窒化物半導体多層膜の上部には、前端面及び後端面を有し、光導波路となるリッジストライプが形成されており、リッジストライプの幅方向の中心から凹部２、段差または突状部の幅方向の中心までの距離が、前端面から後端面に向かって連続的または段階的に変化し、活性層６におけるバンドギャップエネルギーは、前端面から後端面に向かって連続的または段階的に変化している。

    Abstract translation: 公开了一种半导体发光元件，其设置有设置在基板（1）的上表面上并且包括有源层（6）的氮化物半导体多层膜。 与有源层（6）或有源层（6）的下表面接触的层至少具有凹部（2），形成在其上的台阶或突出部分，并且在氮化物半导体 形成具有前端面和后端面并成为光波导的多层膜，脊状条纹。 脊条宽度方向的中心与凹部（2）的宽度方向的中心之间的距离，台阶或突出部分从前端面向后端面连续或逐渐变化， 活性层（6）中的带隙能量从前端面向后端面连续或逐渐变化。

    GAN LASERS ON ALN SUBSTRATES AND METHODS OF FABRICATION
    116.
    发明申请
    GAN LASERS ON ALN SUBSTRATES AND METHODS OF FABRICATION 审中-公开
    GAN激光器在ALN基板和制造方法

    公开(公告)号：WO2008150401A1

    公开(公告)日：2008-12-11

    申请号：PCT/US2008/006727

    申请日：2008-05-28

    Applicant: CORNING INCORPORATED ,  BHAT, Rajaram ,  NAPIERALA, Jerome ,  SIZOV, Dmitry ,  ZAH, Chung-En

    Inventor： BHAT, Rajaram ,  NAPIERALA, Jerome ,  SIZOV, Dmitry ,  ZAH, Chung-En

    IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

    CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/183 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3216 ,  H01S2301/173

    Abstract: Ga(In)N -based laser structures and related methods of fabrication are proposed where Ga (In)N-based semiconductor laser structures are formed on AlN or GaN substrates (20) in a manner that addresses the need to avoid undue tensile strain in the semiconductor structure. In accordance with one embodiment of the present invention, a Ga (In)N-based semiconductor laser is provided on an AlN or GaN substrate provided with an AlGaN lattice adjustment layer (30) where the substrate (20), the lattice adjustment layer (30), the lower cladding region (60), the active waveguiding region (40), the upper cladding region (50), and the N and P type contact regions (70, 60) of the laser form a compositional continuum in the semiconductor laser. Additional embodiments are disclosed and claimed.

    Abstract translation: 提出了基于Ga（In）N的激光器结构和相关的制造方法，其中在AlN或GaN衬底（20）上形成Ga（In）N基半导体激光器结构，以满足需要避免不适当的拉伸应变 半导体结构。 根据本发明的一个实施例，在设置有AlGaN晶格调整层（30）的AlN或GaN衬底上设置Ga（In）N基半导体激光器，其中衬底（20），晶格调整层 30），激光的下包层区域（60），有源波导区域（40），上包层区域（50）以及N和P型接触区域（70,60）形成半导体中的组成连续体 激光。 公开并要求保护附加实施例。

    GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE WITH REDUCED STRESS ELECTRON BLOCKING LAYER
    117.
    发明申请
    GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE WITH REDUCED STRESS ELECTRON BLOCKING LAYER 审中-公开
    具有减少应力电子阻挡层的基于氮化镓的半导体器件

    公开(公告)号：WO2008073525A1

    公开(公告)日：2008-06-19

    申请号：PCT/US2007/073672

    申请日：2007-07-17

    Applicant: AGERE SYSTEMS INC. ,  FREUND, Joseph, Michael

    Inventor： FREUND, Joseph, Michael

    IPC: H01S5/20 ,  H01S5/343

    CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3216

    Abstract: A semiconductor device comprises an active layer (350) and a cladding layer (370). An electron blocking layer (380) is at least partially disposed in a region between the active layer and the cladding layer and is configured to form a potential barrier to a flow of electrons from the active layer toward the cladding layer. The electron blocking layer comprises two elements from Group m of the periodic table and an element from Group V of the periodic table. One of the two elements from Group III of the periodic table has a concentration profile with a first portion that gradually increases in concentration in a direction away from the active layer toward the cladding layer and a second portion that gradually decreases in concentration between the first portion and the cladding layer.

    Abstract translation: 半导体器件包括有源层（350）和覆层（370）。 电子阻挡层（380）至少部分地设置在有源层和包覆层之间的区域中，并且被配置为形成从有源层朝向包层的电子流的势垒。 电子阻挡层包括来自元素周期表的第m族元素和元素周期表第Ⅴ族元素的两个元素。 周期表第III组的两个元素中的一个具有浓度分布，第一部分在远离有源层朝向包层的方向上逐渐增加浓度，第二部分在第一部分 和包覆层。

    SYSTEM AND METHODS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY FOR FLATTENING ACTIVE LAYERS AND THE MECHANICAL STABILIZATION OF QUANTUM WELLS ASSOCIATED WITH VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASERS
    120.
    发明申请
    SYSTEM AND METHODS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY FOR FLATTENING ACTIVE LAYERS AND THE MECHANICAL STABILIZATION OF QUANTUM WELLS ASSOCIATED WITH VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASERS 审中-公开
    使用移动增强外延来平缓主动层的系统和方法以及与垂直孔表面发射激光相关的量子阱的机械稳定

    公开(公告)号：WO2004070900A1

    公开(公告)日：2004-08-19

    申请号：PCT/US2004/001871

    申请日：2004-01-26

    Applicant: FINISAR CORPORATION

    Inventor： JOHNSON, Ralph H. ,  BLASINGAME, Virgil, J.

    IPC: H01S5/323

    CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L33/007 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/32358 ,  H01S5/32366 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34346 ,  H01S5/34353 ,  H01S2302/00

    Abstract: Methods and Systems producing flattening layers associated with nitrogen-containing quantum wells and to prevent 3-D growth of nitrogen containing layers using high As fluxes. MEE (Migration Enhanced Epitaxy) is used to flatten layers and enhance smoothness of quantum wells interfaces and to achieve narrowing of the spectrum of light emitted from nitrogen containing quantum wells. MEE is performed by alternately depositing single atomic layers of group III and V before, and/or after, and/or in-between quantum wells. Where GaAs is used, the process can be accomplished by alternately opening and closing Ga and As shutters in an MBE system, while preventing both from being open at the same time. Where nitrogen is used, the system incorporates a mechanical means of preventing nitrogen from entering the MBE processing chamber, such as a gate valve. The gate valve allows the nitrogen source to be completely cut-off from the chamber during non-nitrogen processing steps to achieve the flattening layers described herein. In at least nitrogen containing layers, 3-dimensional growth is also reduced by using high arsenic fluxes, and by using substantially As4 as the main constituent of the arsenic flux.

    Abstract translation: 制备与含氮量子阱相关的扁平层的方法和系统，并且使用高As助熔剂来防止含氮层的3-D生长。 MEE（迁移增强外延）用于平坦化层并增强量子阱界面的平滑度，并实现从含氮量子阱发射的光的光谱变窄。 通过在量子阱之间，之前和/或之后交替沉积III族和V族的单个原子层来执行MEE。 在使用GaAs的情况下，可以通过在MBE系统中交替地打开和关闭Ga和As快门来实现该过程，同时防止两者同时打开。 在使用氮气的情况下，该系统包含防止氮气进入MBE处理室（例如闸阀）的机械装置。 在非氮处理步骤期间，闸阀允许氮源与室完全切断以实现本文所述的扁平化层。 在至少含氮层中，通过使用高砷通量，并且通过使用基本上As 4作为砷通量的主要成分，也可以降低3维生长。

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