公开(公告)号：CN102244173A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110108031.5

申请日：2011-04-28

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 松尾哲二

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明获得可高效率取出光的发光元件及其制造方法。发光二极管(20)由Si基板(21)和通过外延生长形成在其上的半导体层形成。该半导体层由n型GaN层(n型半导体层)(22)和p型GaN层(p型半导体层)(23)构成。在该发光二极管(20)的侧面邻接形成有透光性绝缘层(30)。在该结构中，发光二极管(20)和透光性绝缘层(30)的上表面都由公共的透明电极(42)覆盖。在透明电极(42)中的透光性绝缘层(30)上的区域内形成有电极焊盘(43)。由于电极焊盘(43)不形成在发光二极管(20)上，因而光不会由电极焊盘(43)或者连接在电极焊盘(43)上的接合线或钎焊接合的配线等遮挡。

公开(公告)号：CN101355312B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200810135825.9

申请日：2008-07-15

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 臼井浩

IPC: H02M7/04 ,  H02M1/42 ,  H02M3/00 ,  H02M3/28 ,  H02M3/335 ,  H02J15/00

CPC classification number: H02M1/4225 ,  Y02B70/126

Abstract: 本发明提供一种AC-DC变换器，其可以从工业电源的一般插座取得电力，并且是可以应对更高的峰值功率的廉价的AC-DC变换器。该AC-DC变换器具备：对从电流电源(AC)供给的交流进行整流的整流器(DB)；与整流器的输出侧相连，改善功率因数的功率因数改善电路(11)；将从功率因数改善电路输出的电压变换为其它电压，并且将功率或电流限制为预定值来进行输出的DC-DC变换器(12)；积蓄能量的电容器；一个输入输出端子与DC-DC变换器的输出端子相连，另一个输入输出端子与电容器相连，双向地进行电力变换的双向DC-DC变换器(13)。

公开(公告)号：CN1866717B

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200610077692.5

申请日：2006-04-28

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 川合良

IPC: H02M7/527

Abstract: 变换器装置；为了对变换器装置的直流-交流变换电路(3)的第一～第六开关元件(Q1～Q6)进行热保护而设置散热体(6)。在散热体(6)上连接温度检出器(7)。设有通过运算推定散热体(6)温度的部件。求出散热体(6)温度的推定值与检出值之差值。根据该差值控制第一～第六开关元件(Q1～Q6)的开关频率。当所述差值较大时，将开关频率设成非可听频率。从而，实现变换器装置的开关元件的保护及噪声减小。

公开(公告)号：CN102171800A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980139284.X

申请日：2009-10-13

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其能够获得同时实现较高的开关速度与较低的导通电阻的IGBT。该IGBT(10)中，结晶缺陷层(25)在有源区(20)中形成于n层(102)中，在无源区(40)形成于p型基板(101)中。即，有源区(20)中的结晶缺陷层(25)形成于从表面观察时比无源区(40)中的结晶缺陷层(25)浅的位置。在该IGBT(10)中，通过上述构成使得空穴注入量在无源区(40)中减少，从而提高开关速度。另一方面，有源区(20)中空穴注入量的减少量比无源区(40)少。因此能够抑制此时的导通电阻的增大。

公开(公告)号：CN102165693A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980138267.4

申请日：2009-09-16

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 筱田祥宏 ,  原雅人

IPC: H03K17/08 ,  H01L27/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7806 ,  H02H11/002 ,  H02J7/0034 ,  H03K17/0822

Abstract: 开关装置(10)具有内置了阻止反向电流的肖特基势垒二极管D3的主IGFET(11)、保护开关单元(12)以及保护开关控制单元(13)。保护开关单元(12)连接在主IGFET(11)的漏电极D和栅电极G之间。保护开关控制单元(13)在对主IGFET(11)施加了反向电压时接通保护开关单元(12)。由此，从反向电压来保护主IGFET(11)。

公开(公告)号：CN101425555B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200810171279.4

申请日：2008-10-30

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 佐野武志 ,  塚越功二 ,  星野匡纪

IPC: H01L33/00 ,  F21V9/00 ,  F21V8/00 ,  F21Y101/02

CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L33/483 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体发光器件，包括：具有形成在其主表面之一上的凹形部分的基础部分；和安装在该基础部分的凹形部分的底表面上的发光元件。所述基础部分包括环绕该发光元件的侧壁部分。用填充在该凹形部分中的树脂部分覆盖该发光元件。该树脂部分的上表面的至少一部分设置成比该侧壁部分的上表面更靠近该凹形部分的底表面。

公开(公告)号：CN102097467A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010578769.3

申请日：2010-12-08

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 金子信男

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供能够与化合物半导体元件的动作无关地防止漏电流的化合物半导体装置及其制造方法。化合物半导体装置(1)具有：第1化合物半导体层(31)，其具有2DEG(310)；第2化合物半导体层(32)，其配置在第1化合物半导体层(31)上，作用为载流子供给层；化合物半导体元件(10)以及外周区域(11)，该化合物半导体元件(10)具有：第1电极(61)，其配置在2DEG(310)上；以及第2电极(42)，其在2DEG(310)上与第1电极(61)分开配置，该外周区域(11)在包围化合物半导体元件(10)的周围的区域的一部分中，配置在2DEG(310)上，具有降低该2DEG(310)的载流子浓度的外周电极(62)。

公开(公告)号：CN102035389A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010287865.2

申请日：2010-09-17

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 千叶明辉

IPC: H02M3/28 ,  H02M3/335

CPC classification number: H02M3/33569 ,  Y02B70/1433 ,  Y02P80/112

Abstract: 本发明提供直流变换装置，能以低成本且简单结构实现，在使多个电流谐振型变换器具有相位差来运转时，也能适当控制流入各电流谐振型变换器的电流的平衡。直流变换装置包含多个电流谐振型变换器，其各方具有：串联连接的2个开关元件；变压器，具有一次绕组和二次绕组；串联谐振电路，是由谐振电抗器、变压器的一次绕组以及谐振电容器串联连接而成的；整流电路，对在二次绕组产生的电压进行整流；直流变换装置具有：平滑电路，由设在多个电流谐振型变换器的各方具有的整流电路的输出端公共连接而成的连接点的后级的电抗器和平滑电容器构成；控制电路，根据由平滑电路输出的电压，控制多个电流谐振型变换器的各方具有的2个开关元件的接通/断开。

公开(公告)号：CN102017379A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115402.3

申请日：2009-10-27

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 京野羊一

IPC: H02M3/28 ,  H02M7/12

CPC classification number: H02M3/285 ,  H02M2001/0058 ,  Y02B70/1491

Abstract: 本发明提供一种开关电源装置。开关电源装置的第1变换器(3)在直流电源Vin的两端串联连接有开关元件(Q11)、(Q12)，在开关元件(Q12)的两端串联连接有具有辅助线圈(Na1)的变压器(T1)的一次线圈(Np1)和电容器(Ci1)，并且具有对在变压器(T1)的二次线圈(Ns11)、(Ns12)产生的电压进行整流的二极管(D11)、(D12)。第2变换器(4)，在直流电源Vin的两端串联连接有开关元件(Q21)、(Q22)，在开关元件(Q22)的两端串联连接有变压器(T2)的一次线圈(Np2)和电容器(Ci2)，并且具有对在变压器(T2)的二次线圈(Ns21)、(Ns22)上产生的电压进行整流的二极管(D21)、(D22)。串联共振电路(1)，是由与辅助线圈(Na1)串联连接的共振电抗器(L1)和共振电容器(C1)所构成。

公开(公告)号：CN101436633B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200810161485.7

申请日：2008-10-06

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 塚越功二

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L33/483 ,  H01L33/56

Abstract: 一种半导体发光器件，包括：具有凹部的基部；设置在该凹部中的发光元件；填充在该凹部中的树脂；以及包含荧光粉的树脂层，该包含荧光粉的树脂层包含波长变换物质，并且被设置成封闭该凹部的开口部分。包含荧光粉的树脂层具有比填充在凹部中的树脂低的热膨胀系数。