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公开(公告)号：CN100433379C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200510052909.2
申请日：2005-02-25
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L33/14 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/46
Abstract: 本发明旨在提高半导体发光元件的发光效率。半导体发光元件(1)设有包含n型半导体层(15)、活性层(16)、p型半导体层(17)、第一、第二和第三辅助层(13、14、18)的半导体区(2)。在用作半导体区2的光取出面的一个主面(11)的中央连接有阴电极(8)。在半导体区(2)的另一主面(12)隔着包括欧姆接触层(19)和具有隧道效应的绝缘膜(3)与光反射层(4)接合。反射层(4)隔着第一和第二接合金属层(5、6)与硅支撑衬底(7)接合。绝缘膜(3)抑制光反射层(4)和欧姆接触层(19)之间的合金化。从而，确保光反射层(4)的良好的反射率。
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公开(公告)号：CN1750286A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510104147.6
申请日：2005-09-15
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明旨在容易地实现导体发光元件的过电压保护。因而，在包含p型半导体层(13)、活性层(14)、n型半导体层(15)的发光用半导体区域(1)的一方主面(17)上配置第一电极(2)。在发光用半导体区域(1)的另一方主面(18)上配置具有导电性的光反射层(3)。光反射层(3)上隔着粘贴金属层(6)粘贴保护元件用的半导体衬底(5)。在半导体衬底(5)上设置用以构成作为保护元件的齐纳二极管的n型半导体区域(21)和p型半导体区域(22)。齐纳二极管和发光元件由导体(9)并联连接。
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公开(公告)号：CN100423307C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200510104147.6
申请日：2005-09-15
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明旨在容易地实现导体发光元件的过电压保护。因而，在包含p型半导体层(13)、活性层(14)、n型半导体层(15)的发光用半导体区域(1)的一方主面(17)上配置第一电极(2)。在发光用半导体区域(1)的另一方主面(18)上配置具有导电性的光反射层(3)。光反射层(3)上隔着粘贴金属层(6)粘贴保护元件用的半导体衬底(5)。在半导体衬底(5)上设置用以构成作为保护元件的齐纳二极管的n型半导体区域(21)和p型半导体区域(22)。齐纳二极管和发光元件由导体(9)并联连接。
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公开(公告)号：CN1661826A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510052909.2
申请日：2005-02-25
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L33/14 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/46
Abstract: 本发明旨在提高半导体发光元件的发光效率。半导体发光元件(1)设有包含n型半导体层(15)、活性层(16)、p型半导体层(17)、第一、第二和第三辅助层(13、14、18)的半导体区(2)。在用作半导体区2的光取出面的一个主面(11)的中央连接有阴电极(8)。在半导体区(2)的另一主面(12)隔着包括欧姆接触层(19)和具有隧道效应的绝缘膜(3)与光反射层(4)接合。反射层(4)隔着第一和第二接合金属层(5、6)与硅支撑衬底(7)接合。绝缘膜(3)抑制光反射层(4)和欧姆接触层(19)之间的合金化。从而，确保光反射层(4)的良好的反射率。
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公开(公告)号：CN1973360A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200580021019.3
申请日：2005-07-13
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明的氮化物半导体发光装置由硅衬底(1)、在其上配置的具有发光功能的主半导体区(3)及在主半导体区(3)上配置的p型半导体层(8)构成。主半导体区(3)由n型半导体层(6)、活性层(7)和p型半导体层(8)构成。透光性电极(10)由Ag合金构成。在透光性电极(10)的Ag合金中掺入了用以抑制氧化或硫化的添加元素。掺入了添加元素的Ag合金稳定性高且透光性及欧姆性优异。
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公开(公告)号：CN1770489A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510108523.9
申请日：2005-09-29
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/44 , H01L24/32 , H01L33/0079 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/0133 , H01L2924/12041 , H01L2924/00 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01079 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的半导体发光元件包括具有导电性的支持衬底(1)和具有发光功能的半导体区(3)和光反射层(2)。半导体区(3)包括n型半导体层(6)、活性层(7)、p型半导体层(8)和p型辅助半导体层(9)。光反射层(2)由Ag或Ag合金构成，且配置在半导体区(3)和支持衬底(1)之间。该光反射层(2)通过接合在半导体区(3)的一方主面形成的由Ag或Ag合金构成的第一粘贴层和在支持衬底(1)的一方主面形成的由Ag或Ag合金构成的第二粘贴层来形成。光反射层(2)的侧面(22)和半导体区(3)的侧面(23)的任一方或两方被用以抑制迁移的保护层(6)覆盖。
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公开(公告)号：CN108604625A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680007327.9
申请日：2016-05-31
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L33/48
Abstract: 具有：支承基板(10)；发光元件(20)，其配置在支承基板(10)上，具有在第1半导体层(21)的上方配置第2半导体层(23)而得的层叠结构；透光性基板(70)，其配置在发光元件(20)的上方；第1连接用电极(41)，其从支承基板(10)的第1侧面(101)上至透光性基板(70)的第1侧面(701)上连续地配置，与第1半导体层(21)电连接；以及第2连接用电极(42)，其从支承基板(10)的第2侧面(102)上至透光性基板(70)的第2侧面(702)上连续地配置，与第2半导体层(23)电连接，发光装置经由第1连接用电极(41)以及第2连接用电极(42)的、与朝向支承基板(10)和透光性基板(70)的第1侧面相对的第2侧面，与安装基板电连接。
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公开(公告)号：CN102244173B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110108031.5
申请日：2011-04-28
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 松尾哲二
Abstract: 本发明获得可高效率取出光的发光元件及其制造方法。发光二极管(20)由Si基板(21)和通过外延生长形成在其上的半导体层形成。该半导体层由n型GaN层(n型半导体层)(22)和p型GaN层(p型半导体层)(23)构成。在该发光二极管(20)的侧面邻接形成有透光性绝缘层(30)。在该结构中，发光二极管(20)和透光性绝缘层(30)的上表面都由公共的透明电极(42)覆盖。在透明电极(42)中的透光性绝缘层(30)上的区域内形成有电极焊盘(43)。由于电极焊盘(43)不形成在发光二极管(20)上，因而光不会由电极焊盘(43)或者连接在电极焊盘(43)上的接合线或钎焊接合的配线等遮挡。
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