公开(公告)号：CN103534064A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280023780.0

申请日：2012-04-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 荒谷崇

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B49/10 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B37/042 ,  B24B37/105 ,  B24B37/30 ,  B24B49/10 ,  B24B49/12 ,  B24B49/16 ,  H01L21/02024

Abstract: 本发明是一种研磨头的高度方向位置的调节方法，该方法具有：在使未保持有工件的研磨头定位到与砂布不接触的高度方向的位置之后使研磨头和定盘中至少一方旋转的工序；通过高度调节机构边使研磨头靠近砂布直至接触边通过转矩测定机构测定已旋转的研磨头与定盘中至少一方的负荷转矩电流并将该所测定的负荷转矩电流的变化量超过了规定的阈值的时刻的研磨头的高度方向的位置作为基准位置而设定的工序；以及基于距所设定的基准位置的距离将研磨头的高度方向的位置调节到规定位置的工序。由此提供一种能够稳定而高精度地调节研磨头的高度方向的位置的研磨头的高度方向位置的调节方法，能够提高所研磨的工件的平面度并能够抑制工件之间的平面度的偏差。

公开(公告)号：CN102355982B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201080012079.X

申请日：2010-03-30

Applicant: 日商·大都电子股份有限公司 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 石政幸男 ,  片山一郎 ,  加藤忠弘 ,  大西邦明

IPC: B24B9/00 ,  B24B1/00 ,  B24B17/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02021 ,  B24B9/065

Abstract: 在以往的晶片倒角加工中，虽然晶片周的倒角形状(截面形状)均匀，但在晶片制造的倒角工序处理中，均匀的倒角形状随圆周位置而产生了变化，所以，本发明提供一种对晶片制造的倒角工序处理中的变形进行了估计的晶片倒角加工方法。本发明的晶片的倒角加工方法使无槽砂轮接触在晶片的边缘(周端部)而对晶片进行倒角；其特征在于：将使上述晶片与砂轮在Z轴及Y轴方向上相对移动而在晶片整周形成相同的截面形状的移动轨迹作为基准，为了相应于晶片旋转角度位置在Z轴或Y轴中的至少一轴方向上使晶片与砂轮的相对位置从上述基准轨迹位置变动地进行加工动作，使用压电致动器，相应于晶片的旋转角度位置形成不同的截面形状。

公开(公告)号：CN102637699A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210109975.9

申请日：2008-10-20

Applicant: 株式会社电装 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 大槻浩 ,  坚田满孝 ,  能登宣彦 ,  竹野博 ,  吉田和彦

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供了使用SOI基片(100)的SOI结构的半导体装置。通过将Ar离子注入进作为活性层(3)的硅基片内，形成晶格畸变层(4)。结果，所述晶格畸变层(4)能够充当吸附点。以晶格畸变层(4)内的拉应力大于等于11MPa并小于等于27MPa的方式，调节Ar离子的用量。因此，能够防止晶格畸变层在作为吸附点时发生漏电流。

公开(公告)号：CN102355982A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201080012079.X

申请日：2010-03-30

Applicant: 日商·大都电子股份有限公司 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 石政幸男 ,  片山一郎 ,  加藤忠弘 ,  大西邦明

IPC: B24B9/00 ,  B24B1/00 ,  B24B17/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02021 ,  B24B9/065

Abstract: 在以往的晶片倒角加工中，虽然晶片周的倒角形状(截面形状)均匀，但在晶片制造的倒角工序处理中，均匀的倒角形状随圆周位置而产生了变化，所以，本发明提供一种对晶片制造的倒角工序处理中的变形进行了估计的晶片倒角加工方法。本发明的晶片的倒角加工方法使无槽砂轮接触在晶片的边缘(周端部)而对晶片进行倒角；其特征在于：将使上述晶片与砂轮在Z轴及Y轴方向上相对移动而在晶片整周形成相同的截面形状的移动轨迹作为基准，为了相应于晶片旋转角度位置在Z轴或Y轴中的至少一轴方向上使晶片与砂轮的相对位置从上述基准轨迹位置变动地进行加工动作，使用压电致动器，相应于晶片的旋转角度位置形成不同的截面形状。

公开(公告)号：CN101809769B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200880109044.0

申请日：2008-10-07

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 久米史高 ,  筱原政幸

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/30 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/16 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/30

Abstract: 根据金属有机化合物气相外延法，具有以 方向作为基准方向，倾斜角为10°到20°之间的主轴的GaAs单结晶基板(1)上，依次形成由包含两个或多个以上III族元素的(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中0≤x≤1，0＜y＜1)构成的发光层部(24)和第一GaP层(7a)。其中，倾斜角用氢化物气相外延法，在第一GaP层(7a)上形成第二GaP层(7b)，(7c)。第二GaP层(7b)，(7c)作为二阶段生长，以第一生长速度的低速生长区域(7b)和以高于上述第一生长速度的第二生长速度的高速生长区域(7c)，在整个生长过程中，速度在10μm/hr到40μm/hr之间。从而提供一种化合物半导体外延晶片及其制造方法，它能够抑制通过氢化物气相外延法形成的厚的窗口层时产生的小丘高度。

公开(公告)号：CN101271870B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810095543.0

申请日：2004-05-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 保科祐章 ,  田中纪通

IPC: H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种硅外延片，具有单晶硅基片，形成于该单晶硅基片的背面的硅氧化膜，以及形成于上述单晶硅基片的主表面上的硅外延层，其特征是，从上述单晶硅基片的上述背面延续到该单晶硅基片的外周部的至少最外缘的外周氧化膜，仅存在于上述外周部的局部上。

公开(公告)号：CN100576583C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200510007525.9

申请日：2005-02-07

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 中村秋夫 ,  茂木勇 ,  吉田裕二

IPC: H01L33/00

Abstract: 提供可获得更高亮度的GaP外延片及使用其外延片的GaP发光元件。本发明的GaP外延片3是在n型GaP单结晶基板10的{111}B面形成n型GaP缓冲层11的GaP外延片，将{01-1}裂面选择蚀刻后于n型GaP缓冲层11处观测到的梳齿状结晶缺陷的条数，为每100μm的成长界面为30条以下，其中该结晶缺陷为处于n型GaP缓冲层11成长界面且与平行面交叉并且延伸的梳齿状结晶缺陷。使用该GaP外延片3制作出的GaP发光元件1，具备高亮度。

公开(公告)号：CN100530723C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200680003703.3

申请日：2006-01-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 池田均 ,  小原正义

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/28 ,  B23K35/26 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L33/40 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/001 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3013 ,  B23K2101/40 ,  H01L24/31 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/30 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/4823 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 形成在发光元件1的化合物半导体层100第二主表面的第二电极16，具备接合合金化层31与焊料层34，该接合合金化层31与化合物半导体层100的第二主表面接触设置，同时用于降低与该化合物半导体层100的接合阻抗，该焊料层34用于将该接合金属层连接于通电支持体52。该焊料层34，是由设置在接合合金化层31侧、以Sn为主成分且熔点低于接合合金化层31的Sn系金属构成的Sn系焊料层34s，以及位在该Sn系焊料层34s的接合合金化层31的相反侧、与Sn系焊料层34s接触的Au-Sn系焊料层34m所构成，且该Au-Sn系焊料层34m含有30质量%～90质量%的Au、与10质量%～70质量%的Sn，Au与Sn的合计含有量大于或等于80质量%，且熔点高于Sn系焊料层34s。藉此，在以Au-Sn系焊料层进行安装为前提的发光元件中，提供一种Au-Sn系焊料层与接合合金化层之间具有更加优异的接合可靠性，进而不易产生Au-Sn系焊料层的剥离等现象的组件构造。

公开(公告)号：CN100521252C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200580028213.4

申请日：2005-07-15

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 阿部孝夫 ,  石川直挥

IPC: H01L31/042

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明的目的在于，提供无圆板状的单晶晶片的损失且可高度活用至今无法有效利用的弓形电池的太阳光发电用模块及使用其的太阳光发电系统、提供每单位面积的动作电压(也称为“面积电压”)高的太阳光发电用模块及使用其的太阳光发电系统、以及提供能够提高模块相对住宅屋顶的有效设置面积的配置率的太阳光发电用模块及使用其的太阳光发电系统。太阳光发电用模块通过从圆板状的单晶硅太阳光发电用电池分割的弓形电池构成，该弓形电池具有中心角为90°的圆弧，具有与弦正交的格栅及与其正交的一条以上的母线，且该弓形电池排列成格子状，所述太阳光发电用模块的特征在于，排列有14～42片面积为28～65cm2的该弓形电池。

公开(公告)号：CN100444414C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200510116112.4

申请日：2002-03-19

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 生岛聪之 ,  大塚宽之 ,  高桥正俊 ,  渡部武纪

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/304

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 根据本发明的制造太阳能电池的方法，在如下描述的在从硅单晶锭上切割的p型硅单晶基片的第一主表面上形成许多凹槽。首先，凹槽刻划刀片的刀口部分以一预定的高度，从工作台的平坦的基片进料表面上突出。p型硅单晶基片沿着基片进料表面朝着转动的凹槽刻划刀片移动，而保持其第一主表面与基片进料表面紧密接触。然后在凹槽的横着方向的如此刻划的凹槽内侧面的只有一侧上形成电极。本发明还描述了根据该制造太阳能电池的方法制造的太阳能电池。