公开(公告)号：CN103534064A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280023780.0

申请日：2012-04-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 荒谷崇

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B49/10 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B37/042 ,  B24B37/105 ,  B24B37/30 ,  B24B49/10 ,  B24B49/12 ,  B24B49/16 ,  H01L21/02024

Abstract: 本发明是一种研磨头的高度方向位置的调节方法，该方法具有：在使未保持有工件的研磨头定位到与砂布不接触的高度方向的位置之后使研磨头和定盘中至少一方旋转的工序；通过高度调节机构边使研磨头靠近砂布直至接触边通过转矩测定机构测定已旋转的研磨头与定盘中至少一方的负荷转矩电流并将该所测定的负荷转矩电流的变化量超过了规定的阈值的时刻的研磨头的高度方向的位置作为基准位置而设定的工序；以及基于距所设定的基准位置的距离将研磨头的高度方向的位置调节到规定位置的工序。由此提供一种能够稳定而高精度地调节研磨头的高度方向的位置的研磨头的高度方向位置的调节方法，能够提高所研磨的工件的平面度并能够抑制工件之间的平面度的偏差。

公开(公告)号：CN106663643B

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201580030897.5

申请日：2015-03-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 荒谷崇

IPC: H01L21/66 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明提供一种半导体基板的缺陷区域的评价方法，其根据形成于半导体基板上的MOS结构的C‑V特性来评价半导体基板的缺陷区域，该评价方法的特征在于，预先使用已知缺陷区域的类型的半导体基板，在与评价作为评价对象的半导体基板的缺陷区域时相同的热处理条件、以及C‑V特性评价条件下，求出缺陷区域与平带电压或固定电荷密度的关系，在对作为评价对象的半导体基板的缺陷区域的评价中，根据由形成于半导体基板上的MOS结构的C‑V特性求出的平带电压或固定电荷密度，基于预先求出的缺陷区域与平带电压或固定电荷密度的关系，对作为评价对象的半导体基板的缺陷区域进行判定。由此，提供一种即使氧浓度低也能够以简便的方法判定半导体基板的缺陷区域的半导体基板的缺陷区域的评价方法。

公开(公告)号：CN106663643A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580030897.5

申请日：2015-03-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 荒谷崇

IPC: H01L21/66 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00

CPC classification number: G01R31/2639 ,  C30B15/20 ,  C30B15/30 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  C30B33/005 ,  C30B33/02 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明提供一种半导体基板的缺陷区域的评价方法，其根据形成于半导体基板上的MOS结构的C‑V特性来评价半导体基板的缺陷区域，该评价方法的特征在于，预先使用已知缺陷区域的类型的半导体基板，在与评价作为评价对象的半导体基板的缺陷区域时相同的热处理条件、以及C‑V特性评价条件下，求出缺陷区域与平带电压或固定电荷密度的关系，在对作为评价对象的半导体基板的缺陷区域的评价中，根据由形成于半导体基板上的MOS结构的C‑V特性求出的平带电压或固定电荷密度，基于预先求出的缺陷区域与平带电压或固定电荷密度的关系，对作为评价对象的半导体基板的缺陷区域进行判定。由此，提供一种即使氧浓度低也能够以简便的方法判定半导体基板的缺陷区域的半导体基板的缺陷区域的评价方法。

公开(公告)号：CN103534064B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201280023780.0

申请日：2012-04-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 荒谷崇

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B49/10 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B37/042 ,  B24B37/105 ,  B24B37/30 ,  B24B49/10 ,  B24B49/12 ,  B24B49/16 ,  H01L21/02024

Abstract: 本发明涉及一种研磨头的高度方向位置的调节方法及工件的研磨方法，该调节方法具有：在使未保持有工件的研磨头定位到与砂布不接触的高度方向的位置之后使研磨头和定盘中至少一方旋转的工序；通过高度调节机构边使研磨头靠近砂布直至接触边通过转矩测定机构测定已旋转的研磨头与定盘中至少一方的负荷转矩电流并将该所测定的负荷转矩电流的变化量超过了规定的阈值的时刻的研磨头的高度方向的位置作为基准位置而设定的工序；以及基于距所设定的基准位置的距离将研磨头的高度方向的位置调节到规定位置的工序。由此提供一种能够稳定而高精度地调节研磨头的高度方向位置的调节方法，能够提高所研磨的工件的平面度并能够抑制工件之间的平面度的偏差。